Продукція > RN2

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RN2046
на замовлення 83700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN21-I/RMMicrochip TechnologyDescription: MODULE BLUETOOTH 2.0/EDR CLASS1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101TOSHIBA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
на замовлення 3197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1528+9.26 грн
1579+8.96 грн
2500+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 1528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2101,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor with Built-in Transistor
на замовлення 38741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2101,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LF(CTToshibaTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SSM T/R
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+5.77 грн
164+4.62 грн
302+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LXHF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
19+16.30 грн
100+8.22 грн
500+6.30 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101F
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101F(TPL3,F)TOSHIBASOT23
на замовлення 6350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101MFV(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101MFV,L3FToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor PNP -.1A -50V 4.7kohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
45+6.72 грн
100+4.15 грн
500+2.83 грн
1000+2.48 грн
2000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101MFV,L3F(CTToshibaDigital Transistors 4.7kohm/4.7kohm 0.1A SOT-723 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101MFV,L3XHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
на замовлення 13620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
27+11.40 грн
100+7.09 грн
500+4.89 грн
1000+4.32 грн
2000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102TOSHIBA
на замовлення 12720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
39+7.85 грн
100+4.86 грн
500+3.32 грн
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor with Built-in Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2102,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102,LF(CTToshibaSilicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2102,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
16+20.00 грн
100+11.34 грн
500+7.04 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
на замовлення 4525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102<TE85L,F>TOSHIBASOT23
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102FTOSHIBASOT23
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102FS
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102FT-TE85LSOT416-YB
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 10K x 10Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3F(CTToshibaRN2102MFV,L3F(CT
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
34+8.91 грн
100+4.78 грн
500+3.52 грн
1000+2.44 грн
2000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3F(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 10kohm 10kohm 0.1A SOT-723 50V
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER=
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3XHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
на замовлення 15970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER=
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103TOSHIBA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
19+16.45 грн
100+8.70 грн
500+5.37 грн
1000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2103,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
на замовлення 8402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2103,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103,LF(CTToshibaSilicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
17+17.96 грн
100+10.17 грн
500+6.32 грн
1000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.66 грн
6000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103/YCTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 50 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 50 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103F
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103F(TH3MAT-V)TOSHIBASOT23
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors -50V -100mA 22x22Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103MFV,L3FToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
26+11.77 грн
100+6.42 грн
500+3.71 грн
1000+2.53 грн
2000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103MFV,L3F(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 22kohm 22kohm 0.1A SOT-723 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103MFV,L3XHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
на замовлення 15715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
19+16.30 грн
100+7.96 грн
500+6.22 грн
1000+4.33 грн
2000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103TE85R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103TE85R(YC)
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
17+18.34 грн
100+9.70 грн
500+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104(TE85L,F)TOSHIBASOT23
на замовлення 4037 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
на замовлення 8893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 5735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
23+13.44 грн
100+7.13 грн
500+4.40 грн
1000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.