Продукція > RN2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RN2046 | на замовлення 83700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN21-I/RM | Microchip Technology | Description: MODULE BLUETOOTH 2.0/EDR CLASS1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2101 | TOSHIBA | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN2101 | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2101(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM | на замовлення 3197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2101(TE85L,F) | Toshiba | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2101(TE85L,F) | Toshiba | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 29 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2101,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SSM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2101,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2101,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: - | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2101,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor with Built-in Transistor | на замовлення 38741 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2101,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SSM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2101,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SSM T/R | на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2101,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2101,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2101,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: SSM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA | на замовлення 5986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2101,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: SSM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2101,LXHF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2101ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Supplier Device Package: CST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2101ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Supplier Device Package: CST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2101CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2101CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2101CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2101F | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN2101F(TPL3,F) | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 6350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2101MFV(TPL3) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2101MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2101MFV,L3F | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor PNP -.1A -50V 4.7kohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2101MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2101MFV,L3F(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: VESM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2101MFV,L3F(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: VESM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 7890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2101MFV,L3F(CT | Toshiba | Digital Transistors 4.7kohm/4.7kohm 0.1A SOT-723 50V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 29 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2101MFV,L3XHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2101MFV,L3XHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723) | на замовлення 13620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2101MFV,L3XHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 7975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2102 | TOSHIBA | на замовлення 12720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN2102,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SSM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2102,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2102,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2102,LF(CT | Toshiba | Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2102,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SSM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2102,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2102,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: - | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2102,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor with Built-in Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2102,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K, | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2102,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) | на замовлення 4525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2102,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K, | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2102<TE85L,F> | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 2943 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2102ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2102ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2102CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2102CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2102F | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 5100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2102FS | на замовлення 8800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN2102FT-TE85LSOT416-YB | на замовлення 72000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN2102MFV | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN2102MFV(TPL3) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 10K x 10Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2102MFV,L3F(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: VESM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2102MFV,L3F(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 10kohm 10kohm 0.1A SOT-723 50V | на замовлення 7450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2102MFV,L3F(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: VESM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 15720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2102MFV,L3F(CT | Toshiba | RN2102MFV,L3F(CT | на замовлення 7700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1701 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2102MFV,L3XHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723) | на замовлення 15970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2102MFV,L3XHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER= | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2102MFV,L3XHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER= | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2103 | TOSHIBA | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN2103(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SSM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2103(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SSM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2103,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2103,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2103,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2103,LF(CT | Toshiba | Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1263 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2103,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2103,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2103,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2103,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package | на замовлення 8402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2103,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2103,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2103,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2103/YC | TOSHIBA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN2103ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Part Status: Active Supplier Device Package: CST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2103ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Part Status: Active Supplier Device Package: CST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2103CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: CST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Power - Max: 50 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2103CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3 Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Power - Max: 50 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: CST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2103F | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN2103F(TH3MAT-V) | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2103MFV(TPL3) | Toshiba | Digital Transistors -50V -100mA 22x22Kohms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2103MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2103MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: VESM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2103MFV,L3F | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 29 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2103MFV,L3F(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: VESM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 6790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2103MFV,L3F(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 22kohm 22kohm 0.1A SOT-723 50V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2103MFV,L3F(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: VESM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2103MFV,L3XHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2103MFV,L3XHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2103MFV,L3XHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723) | на замовлення 15715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2103TE85R | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN2103TE85R(YC) | на замовлення 1865 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN2104(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2104(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM | на замовлення 727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2104(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 4037 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2104,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2104,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package | на замовлення 8893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2104,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM | на замовлення 5735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2104,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2104,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2104,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM, | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |

