Продукція > SI1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI1004-E-GMR | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI10040QC | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1005-C-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Part Status: Obsolete Serial Interfaces: I²C, SPI, UART RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Modulation: FSK, GFSK, OOK GPIO: 19 Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Receiving: 18.5mA Protocol: EZRadioPro Power - Output: 13dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: TxRx + MCU Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM Frequency: 240MHz ~ 960MHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -121dBm Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Packaging: Tube DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1005-C-GM | Silicon Labs | SI1005-C-GM/Ultra-Low Power 32 kB, 10-bit ADC SI1005 кількість в упаковці: 43 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1005-E-GM | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 43 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1005-E-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA Packaging: Tray Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 19 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1005-E-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1005-E-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1005-E-GM2R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 19 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1005-E-GMR | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1007 | на замовлення 31 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1007F | на замовлення 33 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1007G | на замовлення 32 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI100E445JC | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI100MOH-B | NEC | на замовлення 1563 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI1010-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Part Status: Obsolete Serial Interfaces: I²C, SPI, UART RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Modulation: FSK, GFSK, OOK GPIO: 15 Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) Current - Transmitting: 85mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Receiving: 18.5mA Protocol: EZRadioPro Power - Output: 20dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: TxRx + MCU Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM Frequency: 240MHz ~ 960MHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -121dBm Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1010-A-GM | Silicon Labs | SI1010-A-GM SI1010 кількість в упаковці: 43 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1010-A-GMR | Silicon Labs | QFN 42/I°/16KB, 768B RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1010 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1010-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1010-C-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA Packaging: Tray Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 15 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1010-C-GM2 | Silicon Labs | LGA 42/I°/16KB, 768B RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1010 кількість в упаковці: 43 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1010-C-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +20 dBm, programmable XCVR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1820 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1010-C-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +20 dBm, programmable XCVR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1010-C-GM2R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 15 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI10102R-T1 | на замовлення 150000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1010DK | Silicon Labs | Description: DEVELOPMENT KIT SI101X Packaging: Box For Use With/Related Products: Si101x Frequency: 915MHz Type: Transceiver Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1010DK | Silicon Labs | DEVELOPMENT KIT DEVELOPKIT кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1011-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Part Status: Obsolete Serial Interfaces: I²C, SPI, UART RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Modulation: FSK, GFSK, OOK GPIO: 15 Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) Current - Transmitting: 85mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Receiving: 18.5mA Protocol: EZRadioPro Power - Output: 20dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: TxRx + MCU Memory Size: 8kB Flash, 768B RAM Frequency: 240MHz ~ 960MHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -121dBm Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1011-A-GM | Silicon Labs | QFN 42/Ultra-Low Power 8 kB, 12-bit ADC MCU with Integrated 240–960 MHz Tra SI1011 кількість в упаковці: 43 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1011-A-GMR | Silicon Labs | QFN 42/I°/8KB, 768B RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1011QFN кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1011-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1011-C-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA Packaging: Tray Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 8kB Flash, 768B RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 15 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1820 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1011-C-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +20 dBm, programmable XCVR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1011-C-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +20 dBm, programmable XCVR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1011-C-GM2R | Silicon Labs | Description: IC MCU 8KB FLASH EZ PRO 42LGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1011X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V SC89-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Supplier Device Package: SC-89-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 190mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 400mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-89, SOT-490 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1011X-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -12V -.48A .19W | на замовлення 5644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1011X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V SC89-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Supplier Device Package: SC-89-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 190mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 400mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-89, SOT-490 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012-A-GM | Silicon Labs | 42-QFN-5X7-LF 42/I°/16KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, QFN42 SI1012 кількість в упаковці: 43 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012-A-GMR | Silicon Labs | QFN 42/I°/16KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, SI1012 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012-C-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V 42-Pin LGA EP Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1820 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012-C-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012-C-GM2 | Silicon Labs | LGA 42/I°/16KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1012 кількість в упаковці: 43 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012-C-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA Packaging: Tray Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 15 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1012-C-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V 42-Pin LGA EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1012-C-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012-C-GM2R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 15 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SOT523 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Supplier Device Package: SOT-523 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150mW (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 2.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SOT523 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Supplier Device Package: SOT-523 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150mW (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 2.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-523 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-CHANNEL MOSFET | на замовлення 1002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV Verlustleistung: 240mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm | на замовлення 58647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 240mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay BC Components | N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 630 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 43 @ 10, Qg, нКл = 2, Rds = 396 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,24, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-416 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV Verlustleistung: 240mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC75A | на замовлення 137642 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 240mW Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 60278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 240mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V | на замовлення 60053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A Version: ESD Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SC75A Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 2nC Power dissipation: 0.15W On-state resistance: 396mΩ Drain current: 0.63A Pulsed drain current: 2A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V | на замовлення 109 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012R | VISHAY | 09+ SOP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012R-S6-GE3 | на замовлення 77422 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1012R-T1 | VISHAY | на замовлення 15200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI1012R-T1-E3 | Vishay Siliconix | SC-75 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SC-75A Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012R-T1-E3 | VISHAY | на замовлення 9200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI1012R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SC-75A Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | на замовлення 133689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1012R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.41 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 1224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SC-75A Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA | на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 1254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | Vishay | N-MOSFET 20V 0.5A SI1012R-T1-GE3 TSI1012r кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 420 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 транзистор Код товару: 57781
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI1012X | VISHAY | на замовлення 8150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI1012X-T1 | VISHAY | SC89-3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-89, SOT-490 Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SC-89-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | на замовлення 6469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1012X-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V | на замовлення 1597 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1012X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1013-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Modulation: FSK, GFSK, OOK GPIO: 15 Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Receiving: 18.5mA Protocol: EZRadioPro Power - Output: 13dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: TxRx + MCU Memory Size: 8kB Flash, 768B RAM Frequency: 240MHz ~ 960MHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -121dBm Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Packaging: Tube Part Status: Obsolete Serial Interfaces: I²C, SPI, UART RF Family/Standard: General ISM < 1GHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1013-A-GM | Silicon Labs | SI1013-A-GM SI1013 кількість в упаковці: 43 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1013-A-GMR | Silicon Labs | QFN 42/I°/8KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1013 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1013-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1013-C-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1013-C-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1013-C-GM2 | Silicon Labs | LGA 42/I°/Ultra Low Power, 16/8 kB, 12/10-Bit ADC MCU with Integrated 240?9 SI1013 кількість в упаковці: 43 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1013-C-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 8KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1013-C-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1013-C-GM2R | Silicon Labs | Description: IC MCU 8KB FLASH EZ PRO 42LGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Si1013CX-T1-E3 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1013CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

