Продукція > SIS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIS301C2CASIS03+
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS301DHSIS01+
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS301DHMV
на замовлення 7323 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS301LVD0
на замовлення 214 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS301LVMV
на замовлення 214 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS301LVMVBOSIS
на замовлення 542 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS301MVSIS
на замовлення 449 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS301MVBOFFSIS02+
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS301MVC
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS301VBSISQFP100
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS302ELC
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS302ELVSIS
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS302ELVE
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS302ELVE0
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS302ELVMV
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS302ELVZSIS06+
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS302ELVZE0CY
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS302LVSIS0602+
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS302LVE0
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS302LVE0CY-L-5SIS2004
на замовлення 730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS302LVEOBF(CM.01)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS302LVMVSIS
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS302LVZE0CY-5SISQFP128
на замовлення 361 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS305SIS
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS305DOAASIS
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiS307DV
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS307DVAOAA
на замовлення 20949 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS307ELV
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS307ELVBO BASIS08+
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS307ELVBOBA
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS315SIS02+
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS315AOGA
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS315E
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS316MX
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS322DNT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS322DNT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS322DNT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS322DNT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS322DNT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS330DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS333A1CASIS
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS333A1CACM02
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS334DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4001X01-3070
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS402DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 4271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.94 грн
10+121.15 грн
100+83.06 грн
500+62.67 грн
1000+57.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS402DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS402DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS402DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS402DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 10234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.49 грн
10+121.47 грн
100+71.80 грн
500+59.23 грн
1000+55.43 грн
3000+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS402DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+79.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4047DIP-471SIS2038SAGAMI
на замовлення 110329 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS406DN-T1-E3
на замовлення 875 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS406DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.011 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.91 грн
500+26.62 грн
1000+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 12781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.43 грн
10+51.45 грн
100+33.87 грн
500+24.68 грн
1000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3
на замовлення 71200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 105338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.59 грн
10+54.62 грн
100+31.27 грн
500+24.30 грн
1000+22.02 грн
3000+19.12 грн
6000+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS406DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.011 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.82 грн
21+40.11 грн
100+28.91 грн
500+26.62 грн
1000+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS406DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.56 грн
6000+19.20 грн
9000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.93 грн
10+45.09 грн
100+28.93 грн
500+23.54 грн
1000+21.88 грн
3000+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS407ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 9000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 39.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 6329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.37 грн
50+47.92 грн
100+35.52 грн
500+27.97 грн
1500+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.75 грн
10+57.14 грн
100+37.71 грн
500+27.55 грн
1000+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS407ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0073 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 39.1
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.15 грн
6000+21.54 грн
9000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.91 грн
6000+25.87 грн
9000+24.87 грн
15000+22.29 грн
21000+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V
на замовлення 31538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.51 грн
10+66.64 грн
100+44.36 грн
500+32.67 грн
1000+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 25252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.56 грн
10+70.97 грн
100+40.94 грн
500+32.10 грн
1000+29.34 грн
3000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS407DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 25 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 33W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 8355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.56 грн
12+72.08 грн
100+47.84 грн
500+34.78 грн
1000+29.34 грн
5000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS40C3208-20
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS410DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS410DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 25851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.20 грн
10+74.39 грн
100+43.15 грн
500+33.96 грн
1000+31.00 грн
3000+28.37 грн
6000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS410DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS410DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 5.2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.94 грн
10+89.40 грн
100+59.60 грн
500+47.56 грн
1000+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS410DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS410DN-T1-GE3
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS410DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
на замовлення 6315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.95 грн
10+65.36 грн
100+43.68 грн
500+32.24 грн
1000+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS410DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+106.94 грн
139+102.15 грн
250+98.06 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN (SIS412DN-T1-GE3)
Код товару: 63212
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-E3
Код товару: 56990
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-E3VISHAY09+ QFN-8
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3
Код товару: 173697
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 50183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+40.46 грн
100+26.30 грн
500+18.98 грн
1000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS412DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.024 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 26548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.45 грн
18+45.83 грн
100+29.80 грн
500+21.99 грн
1000+18.57 грн
5000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.41 грн
16+49.49 грн
25+47.77 грн
100+33.23 грн
250+30.46 грн
500+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+79.71 грн
277+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.39 грн
6000+14.53 грн
9000+13.90 грн
15000+12.37 грн
21000+11.97 грн
30000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.29 грн
6000+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 10W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.33 грн
12+37.48 грн
100+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.23 грн
6000+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 10862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.63 грн
10+43.43 грн
100+24.58 грн
500+18.92 грн
1000+17.12 грн
3000+14.70 грн
6000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
297+47.77 грн
412+34.46 грн
416+34.11 грн
643+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiS412DNS412
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.34 грн
6000+19.01 грн
9000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.17 грн
10+47.86 грн
50+31.41 грн
100+26.34 грн
250+21.27 грн
500+18.61 грн
1000+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]