Продукція > SQ1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQ1853P12NFLaird Technologies IASDescription: ANT 1850-1990MHZ 3.5DBI N FEMALE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1853PIHKLaird Technologies IASDescription: HARDWARE KIT S2403BP ANT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1853PNFLaird Technologies IASDescription: ANT 1850-1990MHZ 3.5DBI N FEMALE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1853PNFLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,0,NF
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1853PP36SMMLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 1.9GHZ PANEL CAB CHAS MT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1853PP36SMMLairdAntennas Omni,Squint,36in,SMA M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1855DD12NFLaird Technologies IASDescription: ANTENNA 1850-1990MHZ 5DBI N FML
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1902AEL-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.78A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1902AEL-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1902AEL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.78A SC70-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 660mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 430mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1902AEL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 780mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 780mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.345ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.09 грн
500+19.47 грн
1000+17.14 грн
5000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1902AEL-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.78A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1902AEL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.78A SC70-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 660mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 430mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1902AEL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 780mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 780mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.345ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.30 грн
21+40.24 грн
100+26.09 грн
500+19.47 грн
1000+17.14 грн
5000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1/GE3-XVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3Vishay SiliconixMosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 850mA 450mW Surface Mount SOT-363 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1912AEEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 6438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.80 грн
20+42.43 грн
100+35.03 грн
500+27.55 грн
1000+23.27 грн
5000+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 130735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 115831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+34.64 грн
100+22.38 грн
500+16.05 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1912AEEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 6438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.03 грн
500+27.55 грн
1000+23.27 грн
5000+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.75 грн
6000+12.15 грн
9000+11.60 грн
15000+10.30 грн
21000+9.95 грн
30000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 181173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.99 грн
23+33.72 грн
25+33.38 грн
100+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.32 грн
6000+9.06 грн
9000+8.62 грн
15000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+43.37 грн
Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 24615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
12+27.02 грн
100+17.24 грн
500+12.22 грн
1000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1918 10mh : SQ1918-10mhДроссель синфазный SQ1918-10mH 20% 21x17x23mm Індуктивності
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.85A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3Vishay SiliconixMosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 850mA 450mW Surface Mount SOT-363 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1922AEEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.91 грн
27+31.05 грн
100+20.00 грн
500+14.19 грн
1000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.85A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.69 грн
6000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual Nch 20V Vds SOT-363
на замовлення 127592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1922AEEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.11 грн
500+15.70 грн
1000+12.75 грн
5000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.85A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+31.02 грн
100+19.95 грн
500+14.24 грн
1000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1922EEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 840 mA, 840 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 840mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.69 грн
500+22.27 грн
1500+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+32.23 грн
100+20.76 грн
500+14.84 грн
1000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
на замовлення 302314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.84A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1922EEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 840 mA, 840 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 840mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.80 грн
50+37.72 грн
100+25.69 грн
500+22.27 грн
1500+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.65 грн
6000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.84A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
672+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 672 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.84A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+21.05 грн
40+18.97 грн
50+18.28 грн
100+15.05 грн
250+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1V-07BIDECDescription: IDEC - SQ1V-07B - RELAY SOCKET, 5PIN, 12A, 300V
tariffCode: 85364110
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 12A
Nennspannung: 300V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Anschlussklemmen: Screw
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Sockelmontage: DIN Rail
usEccn: EAR99
Produktpalette: RQ Series
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+714.49 грн
5+653.53 грн
10+621.01 грн
25+525.33 грн
50+411.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2