Продукція > ZVP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZVP2110ASTZDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110ASTZDIODES INCORPORATEDCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -230mA; Idm: -3A; 700mW; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.23A
Pulsed drain current: -3A
Power dissipation: 0.7W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+48.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -310mA; Idm: -3A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -310mA
Pulsed drain current: -3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.09 грн
26+30.06 грн
100+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.17 грн
10+83.78 грн
25+70.95 грн
50+59.08 грн
100+52.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+48.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.78 грн
15+53.63 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTADiodes IncorporatedMOSFETs P-Chnl 100V
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.11 грн
3000+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2120ADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 200V 120MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2120AZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2120ASTOADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 200V 120MA E-LINE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2120ASTOA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2120ASTOBDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 200V 120MA E-LINE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2120ASTZDiodes IncorporatedMOSFETs P-Chnl 200V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2120ASTZDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 200V 120MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2120ASTZDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2120ASTZDIODES INCORPORATEDCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -120mA; Idm: -1.2A; 700mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.12A
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.7W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2120GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2120GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 150mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+54.04 грн
100+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2120GTA
Код товару: 176577
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2120GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVP2120GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2120GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 200V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2120GTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -200mA; Idm: -1.2A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.2A
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2120GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 150mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2120GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVP2120GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2120GTADiodes IncorporatedMOSFETs P-Chnl 200V
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2120GTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 150mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306ZETEXSOT23
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306ADIODES INCORPORATEDCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.16A; 0.625W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.16A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.12 грн
10+52.58 грн
25+43.69 грн
50+38.33 грн
100+33.88 грн
200+30.28 грн
500+26.50 грн
1000+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306ADiodes IncorporatedMOSFETs P-Chnl 60V
на замовлення 6951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306ADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.16A 3-Pin E-Line
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306ADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 18 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306A
Код товару: 129099
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306ADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.16A 3-Pin E-Line
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306ASTOA
на замовлення 25080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306ASTOADiodes IncDescription: MOSFET P-CHAN 60V TO92-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306ASTOBDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 160MA E-LINE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: E-Line-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306ASTZDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 160MA E-LINE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: E-Line-3
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306ETAZETEXSOT-23.
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVP3306F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVP3306F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306FTADiodes IncorporatedMOSFETs P-Chnl 60V
на замовлення 7637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 18 V
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+38.87 грн
25+32.46 грн
50+26.73 грн
100+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306FTADiodes Inc./Zetexsot23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
713+19.85 грн
818+17.30 грн
822+17.22 грн
916+14.89 грн
1133+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306FTA
Код товару: 53873
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 564 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.06 грн
13+32.37 грн
30+25.33 грн
75+20.13 грн
100+18.79 грн
150+16.94 грн
500+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+21.38 грн
38+19.93 грн
39+19.85 грн
100+16.68 грн
250+15.37 грн
500+13.24 грн
1000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 18 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.26 грн
24+32.55 грн
100+15.27 грн
3000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306FTA/MLZETEX
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306FTASOT23-MLZETEX
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306FTC
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306FTC(ML)
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3306TTA
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310A
Код товару: 44420
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310ADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.14A 3-Pin E-Line
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310ADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVP3310A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 mA, 20 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310ADIODES INCORPORATEDCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -140mA; Idm: -1.2A; 625mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -140mA
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310ADiodes IncorporatedMOSFETs P-Chnl 100V
на замовлення 14669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310ADiodes Inc./ZetexMOSFET P-CH 100V 140MA TO92-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310ADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 140MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 5673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+56.84 грн
25+47.79 грн
50+39.57 грн
100+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310ASTOADiodes IncorporatedMOSFETs P-Chnl 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310ASTOADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 140MA E-LINE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: E-Line-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310ASTOBDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 140MA E-LINE
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: E-Line-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310ASTOBDiodes IncorporatedMOSFETs P-Chnl 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310ASTZDiodes IncorporatedMOSFETs P-Chnl 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310ASTZDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 140MA E-LINE
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: E-Line-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FDiodes IncorporatedMOSFETs Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVP3310F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 75 mA, 20 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
на замовлення 9638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVP3310F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 75 mA, 20 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
на замовлення 9638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FQTA-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FQTA-52Diodes Zetex100V P-Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.075A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVP3310FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 75 mA, 20 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 330mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 20ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
на замовлення 5550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FTADiodes IncorporatedMOSFETs P-Chnl 100V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FTA
Код товару: 196658
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -140mA; Idm: -1.2A; 0.33W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -140mA
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.71 грн
12+35.47 грн
25+29.18 грн
100+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+40.08 грн
25+33.48 грн
50+27.55 грн
100+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVP3310FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 75 mA, 20 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
на замовлення 5550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FTA(MR)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FTA-50Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.