Продукція > ZXM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXM62P03E6DIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6DIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Chnl HDMOS
на замовлення 4101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.25 грн
6000+18.03 грн
9000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.625W; SOT26
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
на замовлення 543 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.00 грн
10+44.87 грн
100+32.54 грн
500+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 13539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+43.02 грн
100+29.82 грн
500+23.39 грн
1000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 800mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TCDiodes IncorporatedMOSFET 30V P Chnl HDMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03GZETEX07+ SOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03GTA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63C02ZETEX2004
на замовлення 744 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63C02X8
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63C02XTA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63C03ZETEX2004
на замовлення 811 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63C03XTA
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63N02
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63N02E6TADiodes IncorporatedDiodes Inc.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63N02E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63N02XTA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63N03XTA
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63P02
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63P02E6TAZETEX2004
на замовлення 429 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63P02XTA
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63P03XTA
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02
на замовлення 648 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XTADiodes IncorporatedMOSFET 20V P-Chnl HDMOS
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XTADiodes Inc./ZetexMOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-MSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035ZETEX02+ TO-220
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035GT
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035GTAZETEXSOT223
на замовлення 23790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035GTA12A/35V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035L3Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 35V 13A TO-220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035L3ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N03XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N03XTA
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 8-MSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N03XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 8MSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N03XTR-NDZETEX2004
на замовлення 446 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-MSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+43.23 грн
2000+38.44 грн
3000+36.81 грн
5000+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -19A; 1.1W; MSOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -19A
Power dissipation: 1.1W
Case: MSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 949 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.28 грн
10+81.27 грн
100+55.10 грн
500+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Chnl HDMOS
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XTADiodes Inc./ZetexMOSFET P-CH 20V 3.5A 8-MSOP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
на замовлення 9645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.63 грн
10+75.55 грн
100+58.75 грн
500+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035GT
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035GTAZETEXSOT223
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035GTA12A/35V
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035L3Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 35V 12A TO-220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035L3ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM64P03X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.075 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM64P03X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.075 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XDiodes IncorporatedMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
на замовлення 7884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.03 грн
10+82.88 грн
100+64.46 грн
500+51.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+54.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V P Chnl HDMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+46.73 грн
2000+41.60 грн
3000+39.87 грн
5000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+66.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTR-NDZETEX2004
на замовлення 679 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66N02ZETEX09+ SO-8
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66N02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66N03ZETEX09+ SO-8
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66N03N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02SO-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8TADiodes IncorporatedMOSFET 20V P-Chnl HDMOS
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P03ZETEX09+ SO-8
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P03N8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P03N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P03N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.25A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TADIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 2.2/-2.1A
Pulsed drain current: 9.4A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23/0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.16 грн
5000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.03 грн
10+63.70 грн
100+42.44 грн
500+31.27 грн
1000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC
Код товару: 184010
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 2.2/-2.1A
Pulsed drain current: 9.4A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23/0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.24 грн
5000+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes IncorporatedMOSFETs 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.