Продукція > IPD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD50N04S4L08ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
932+38.05 грн
1010+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 12082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
932+38.05 грн
1010+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2-14UMWDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.47 грн
10+34.55 грн
50+25.32 грн
100+20.96 грн
500+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2-14UMWDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.21 грн
10+98.64 грн
50+74.76 грн
100+62.93 грн
500+50.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.06 грн
5000+56.24 грн
10000+54.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N06S214ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 50 A, 0.0108 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.00 грн
5000+61.02 грн
10000+59.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N06S214ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 50 A, 0.0108 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N06S2L13ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 50 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.54 грн
10+99.77 грн
50+75.61 грн
100+63.66 грн
500+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N06S2L13ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 50 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 29667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S3L-06Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S3L-08Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4-09Infineon
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4-09(транзистор)
Код товару: 92577
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.90 грн
10+100.19 грн
100+70.16 грн
500+54.46 грн
1000+46.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.24 грн
10+84.88 грн
50+63.85 грн
100+53.55 грн
500+42.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N06S409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 2179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+74.94 грн
526+67.45 грн
1000+62.21 грн
Мінімальне замовлення: 473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
на замовлення 5063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+146.78 грн
141+100.79 грн
201+70.58 грн
500+54.78 грн
1000+46.65 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N06S409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 2179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+74.94 грн
526+67.45 грн
1000+62.21 грн
Мінімальне замовлення: 473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L-08Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.64 грн
122+116.20 грн
250+111.54 грн
500+103.67 грн
1000+92.86 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
788+45.02 грн
1000+41.51 грн
Мінімальне замовлення: 788 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA1
Код товару: 172362
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+38.71 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
на замовлення 8677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+60.25 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+60.25 грн
1000+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 42284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+60.25 грн
1000+55.57 грн
10000+49.55 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+111.51 грн
180+78.81 грн
200+77.30 грн
500+57.04 грн
1000+51.89 грн
2000+40.34 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.17 грн
5000+36.62 грн
7500+36.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.03 грн
10+80.47 грн
50+60.55 грн
100+50.79 грн
500+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.32 грн
5000+36.77 грн
7500+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+60.25 грн
1000+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+60.25 грн
1000+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.43 грн
9+51.19 грн
25+45.87 грн
100+41.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+48.63 грн
1000+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 34577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+48.63 грн
1000+44.84 грн
10000+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.13 грн
10+82.90 грн
100+57.98 грн
500+43.56 грн
1000+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+48.63 грн
1000+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.73 грн
10+66.34 грн
50+49.58 грн
100+41.45 грн
500+32.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N06S4L12ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+48.63 грн
1000+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.97 грн
170+83.47 грн
243+58.37 грн
500+43.86 грн
1000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
на замовлення 4688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.62 грн
5000+31.31 грн
7500+30.99 грн
12500+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.39 грн
7500+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N06S4L12ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.22 грн
5000+30.91 грн
7500+30.60 грн
12500+29.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.65 грн
234+60.67 грн
236+60.29 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N08S4-13Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N08S413ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N08S413ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1711 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.58 грн
10+81.97 грн
50+61.62 грн
100+51.68 грн
500+40.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N08S413ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N08S413ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 8118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N08S413ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1711 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L-16Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.64 грн
122+116.20 грн
250+111.54 грн
500+103.67 грн
1000+92.86 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L-16Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L-16INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; DPAK3; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Application: automotive industry
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
43+136.02 грн
50+89.74 грн
100+83.93 грн
300+79.77 грн
500+70.63 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+140.97 грн
111+127.72 грн
136+104.83 грн
200+94.57 грн
500+87.24 грн
1000+74.46 грн
2000+69.40 грн
2500+69.30 грн
5000+67.44 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 38A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.10 грн
5000+79.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.25 грн
10+88.80 грн
25+87.47 грн
100+81.38 грн
250+75.28 грн
500+72.20 грн
1000+72.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.16 грн
10+120.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+91.25 грн
160+88.80 грн
163+87.47 грн
168+81.38 грн
250+75.28 грн
500+72.20 грн
1000+72.12 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.67 грн
5000+73.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.