Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD50P04P413AUMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413AUMA2Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L-11Infineon
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L-11InfineonTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 10V; 10,6mOhm; 50A; 58W; -55°C~175°C; Replacement: IPD50P04P4L-11; IPD50P04P4L11ATMA1; IPD50P04P4L11ATMA2; IPD50P04P4L11; IPD50P04P4L11ATMA2 TIPD50p04p4l11
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L-11Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L-11InfineonТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L-11Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.37 грн
159+89.19 грн
250+85.62 грн
500+79.58 грн
1000+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L-11(мікросхема)
Код товару: 83618
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11UMWDescription: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.01 грн
10+89.37 грн
100+60.30 грн
500+44.90 грн
1000+41.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11UMWDescription: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
на замовлення 116253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.70 грн
500+47.04 грн
1000+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
на замовлення 116253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.01 грн
50+62.82 грн
100+56.70 грн
500+47.04 грн
1000+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 17137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.14 грн
10+44.78 грн
100+37.76 грн
500+37.07 грн
1000+36.31 грн
2500+31.27 грн
5000+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.83 грн
5000+30.28 грн
7500+29.11 грн
12500+26.09 грн
17500+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
на замовлення 60411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.24 грн
500+37.02 грн
1000+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+60.18 грн
1000+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+215.46 грн
136+104.90 грн
200+95.44 грн
1000+75.27 грн
2000+65.22 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.93 грн
10+100.77 грн
100+71.07 грн
500+55.07 грн
1000+46.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 10547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.58 грн
10+90.50 грн
100+52.05 грн
500+41.35 грн
1000+36.66 грн
2500+33.55 грн
5000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.48 грн
10+75.24 грн
100+50.40 грн
500+37.28 грн
1000+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
на замовлення 60411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.67 грн
50+74.74 грн
100+53.24 грн
500+37.02 грн
1000+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+60.18 грн
1000+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+60.18 грн
1000+55.50 грн
10000+49.47 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -40V; -40A; 58W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -40A
Power dissipation: 58W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -200A
Gate charge: 14nC
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+149.96 грн
140+101.46 грн
199+71.56 грн
500+55.44 грн
1000+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11InfineonMOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11AUMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 8.8A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.74 грн
28+29.64 грн
100+19.89 грн
500+14.21 грн
1000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.22 грн
10+38.50 грн
100+24.85 грн
500+19.95 грн
1000+16.71 грн
2500+14.15 грн
5000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.89 грн
500+14.21 грн
1000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.27 грн
10+36.42 грн
100+25.32 грн
500+18.55 грн
1000+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 8.8A DPAK-2
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEInfineon
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 18.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.13 грн
101+141.50 грн
250+135.83 грн
500+126.25 грн
1000+113.09 грн
2500+105.36 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50R280CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 6464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.65 грн
500+61.18 грн
1000+46.94 грн
5000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 18.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+94.41 грн
158+90.06 грн
198+71.82 грн
206+66.61 грн
500+51.13 грн
2000+49.00 грн
5000+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 4893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.81 грн
10+80.98 грн
100+47.36 грн
500+37.55 грн
1000+34.59 грн
2500+29.89 грн
10000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 18.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50R280CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 6464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.28 грн
10+101.48 грн
100+72.65 грн
500+61.18 грн
1000+46.94 грн
5000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V
на замовлення 4764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.04 грн
10+76.51 грн
100+51.52 грн
500+38.27 грн
1000+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 18.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 13A DPAK-2 CoolMOS CE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R2K0CEInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 6.1A DPAK-2
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R2K0CEInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET CE
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2068 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R2K0CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50R2K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.23 грн
20+40.43 грн
100+24.97 грн
500+18.10 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R2K0CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
на замовлення 24537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.70 грн
11+29.32 грн
100+18.88 грн
500+13.49 грн
1000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R2K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R2K0CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50R2K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.97 грн
500+18.10 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R2K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.46 грн
18+43.71 грн
34+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R2K0CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 5006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.24 грн
10+33.18 грн
100+21.26 грн
500+16.71 грн
1000+13.53 грн
2500+11.46 грн
10000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R2K0CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.44 грн
5000+10.07 грн
7500+9.59 грн
12500+8.49 грн
17500+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R2K0CEAUMA1Infineon
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R2K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R2K0CEBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 6.1A DPAK-2
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R380CEInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 500V 9.9A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R380CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R380CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R380CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R380CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R380CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 3722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.76 грн
10+70.34 грн
100+40.73 грн
500+31.96 грн
1000+29.13 грн
2500+26.03 грн
5000+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R380CEAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14.1A; 98W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14.1A
Power dissipation: 98W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24.8nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R380CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R380CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50R380CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.1 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.28 грн
500+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R380CEAUMA1InfineonMOSFET, TO-252-3 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R380CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R380CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V
на замовлення 17638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.74 грн
10+62.15 грн
100+41.37 грн
500+30.46 грн
1000+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R380CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R380CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50R380CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.1 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.87 грн
50+67.25 грн
100+47.28 грн
500+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R380CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R380CEBTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 500V 9.9A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 550V 9A DPAK-2 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPINFINEONDescription: INFINEON - IPD50R399CP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 83
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPINFINEONDescription: INFINEON - IPD50R399CP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 83
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.56 грн
10+90.72 грн
100+61.42 грн
500+45.86 грн
1000+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+101.60 грн
150+94.75 грн
165+83.30 грн
250+74.24 грн
500+67.66 грн
1000+65.88 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.60 грн
10+95.09 грн
25+94.75 грн
100+83.30 грн
250+74.24 грн
500+67.66 грн
1000+65.88 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]