Продукція > IRL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 28 32 36 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLL014NTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.67 грн
13+33.97 грн
25+27.76 грн
100+20.63 грн
500+15.60 грн
1000+13.92 грн
2500+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBFINTERNATIONAL RECTIFIERn-Ch, 55V, 0.14, SOT223, Pb-Free
на замовлення 183 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
13+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 8026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.78 грн
22+37.72 грн
100+24.71 грн
500+17.59 грн
1000+14.63 грн
5000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.80 грн
5000+14.82 грн
7500+14.13 грн
12500+12.53 грн
17500+12.10 грн
25000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014PBFIRLL014PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 102 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014PBFVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRLL014TRPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014PBF/IRIR08+;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014TRVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRLL014TRPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 60V 2.7 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLL014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.01 грн
100+54.70 грн
500+44.61 грн
1000+36.44 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014TRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 22A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.4nC
On-state resistance: 0.2Ω
Drain current: 1.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT223 N-CH 60V 2.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014TRPBF-BE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 22A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.4nC
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 1.7A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,1 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 510 @ 25, Qg, нКл = 15,6 @ 5 В, Rds = 65 мОм @ 3,1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 80 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024N
Код товару: 48944
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10.4nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1760 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NPBF
Код товару: 114736
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 510/10,4
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 430 шт
  • 350 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+18.00 грн
10+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLL024NPBF - IRLL024N 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NPBFInternational RectifierSOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NPBF-INFInfineon TechnologiesDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 100mOhm; 4,4A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL024N smd TIRLL024
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 355 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBFInternational RectifierSOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF
Код товару: 92254
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+9.40 грн
100+7.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1323+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 1323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.15 грн
10000+24.80 грн
15000+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 49180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1323+26.74 грн
10000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 1323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 17449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.74 грн
50+46.17 грн
100+32.68 грн
500+23.40 грн
1000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+55.35 грн
359+39.50 грн
500+31.46 грн
1000+27.67 грн
2500+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.31 грн
17+45.60 грн
100+34.51 грн
500+27.33 грн
1000+23.34 грн
2500+17.40 грн
5000+17.22 грн
7500+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.62 грн
13+61.51 грн
25+60.88 грн
100+58.47 грн
250+53.92 грн
500+51.56 грн
1000+51.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 48962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.81 грн
10+46.34 грн
100+30.29 грн
500+21.94 грн
1000+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Gate charge: 10.4nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±16V
Case: SOT223
на замовлення 7395 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.54 грн
10+43.69 грн
50+31.37 грн
100+27.17 грн
500+19.71 грн
1000+17.28 грн
2500+14.51 грн
5000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+60.88 грн
234+60.64 грн
250+60.39 грн
500+58.00 грн
1000+53.48 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.01 грн
5000+21.78 грн
7500+21.56 грн
12500+18.84 грн
17500+17.27 грн
25000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.93 грн
5000+21.71 грн
7500+21.50 грн
12500+18.78 грн
17500+17.22 грн
25000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+45.60 грн
410+34.51 грн
500+28.34 грн
1000+25.20 грн
2500+18.13 грн
5000+17.22 грн
7500+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl
на замовлення 10999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.43 грн
5000+18.25 грн
7500+18.07 грн
12500+16.51 грн
17500+15.20 грн
25000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.47 грн
5000+17.26 грн
7500+16.51 грн
12500+14.69 грн
17500+14.22 грн
25000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 17449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.68 грн
500+23.40 грн
1000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.43 грн
5000+18.25 грн
7500+18.07 грн
12500+16.51 грн
17500+15.20 грн
25000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 7nC
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZPBFInternational RectifierHEXFET 55В 5А 2,8 Вт SOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRInfineonN-MOSFET HEXFET 55V 5A 1W 0.06Ω IRLL024Z TIRLL024z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+29.53 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.24 грн
500+25.74 грн
1000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.39 грн
5000+25.02 грн
7500+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 55V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 4A
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.19 грн
10+42.44 грн
11+38.41 грн
50+31.20 грн
100+29.27 грн
500+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.29 грн
5000+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.37 грн
5000+22.16 грн
7500+21.93 грн
12500+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.39 грн
5000+25.02 грн
7500+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.75 грн
50+39.42 грн
100+30.24 грн
500+25.74 грн
1000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 5A 60mOhm 7nC Log Lvl
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
на замовлення 7147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+44.46 грн
100+29.16 грн
500+21.19 грн
1000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.31 грн
5000+22.10 грн
7500+21.88 грн
12500+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110PBF
Код товару: 22278
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLL110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 1.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110PBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 250 @ 25, Qg, нКл = 6,1 @ 5 В, Rds = 540 мОм @ 900 мА, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 40 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110PBFVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110PBF : IRLL110TRPBF IRLL110PBFVishay SiliconixSOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 76mOhm; 1,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLL110; IRLL110TR; IRLL110TR-BE3 IRLL110TR UMW TIRLL110 UMW
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TR IRLL110PBFUMWMOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 100V 1.5 Amp
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBF
Код товару: 119073
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 27W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLL110TRPBF - N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.5A, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.68 грн
10+89.41 грн
25+86.16 грн
50+75.40 грн
100+66.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Gate charge: 6.1nC
Power dissipation: 3.1W
On-state resistance: 760mΩ
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 250 @ 25, Qg, нКл = 6.1 @ 5, Rds = 540 мОм @ 900 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 27W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 3462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.17 грн
10+102.88 грн
100+70.10 грн
500+52.61 грн
1000+48.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT223 100V 1.5A N-CH MOSFET
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBF-BE3.VISHAYDescription: VISHAY - IRLL110TRPBF-BE3. - MOSFET, N-CH, 100V, 1.5A, SOT-223
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.93 грн
10+112.17 грн
25+103.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 28 32 36 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]