Продукція > STD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STD16N65M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16N65M2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD16N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16N65M2 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 110W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 110W Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Gate charge: 19.5nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16N65M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16N65M2 Код товару: 198608
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STD16N65M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16N65M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V | на замовлення 2508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16N65M2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD16N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16N65M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16N65M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package | на замовлення 1869 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16N65M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16N65M5 Код товару: 189591
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STD16N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16N65M5 | STM | MOSFET 650V 0.299 OHM Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V | на замовлення 4946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16N65M5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp | на замовлення 2852 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16N65M5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD16N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16N65M5 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 12A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 279mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 2187 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16NE06 | ST | 07+ TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16NE06-1 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD16NE06L | STMicroelectronics | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16NE06L-1 | ST | TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16NE06LT4 | STM | TO-252 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16NE06T4 | STM | TO-252 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16NE10 | ST | 07+ TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16NE10L | ST | TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16NE10L | STMicroelectronics | MOSFET N-Channel 100V - 0.07Ohm - 16A - DPAK StripFET MOS, POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16NE10LT4 | ST | TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16NE10LT4 | STMicroelectronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16NE10LT4 | STM | N-channel 100V - 0.07. - 16A - DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16NF06 | ST | 07+ TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16NF06L | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 60 V, 0.060 Ohm typ., 16 A STripFET II Power MOSFET in DPAK package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16NF06L | ST | TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16NF06L-1 | ST | TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16NF06LT4 | STM | N-channel 60V - 0.060. - 24A - DPAK/IPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16NF06LT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16NF06LT4 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 60 Volt 16 Amp | на замовлення 4624 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16NF06LT4 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD16NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 2633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16NF06LT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16NF06LT4 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 40W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17A Power dissipation: 40W Case: DPAK Gate-source voltage: ±18V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 1133 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16NF06LT4 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±18V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 19263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16NF06LT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16NF06LT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16NF06LT4 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16NF06T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16NF06T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16NF06T4 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 40W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 11A Power dissipation: 40W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16NF06T4 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 16A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16NF06T4 | ST | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 70mOhm; 16A; 40W; -55°C ~ 175°C; STD16NF06T4 STD16NF06 TSTD16NF06 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16NF06T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16NF06T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16NF06T4 | на замовлення 55000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD16NF06T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16NF06T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16NF06T4 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 16A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V | на замовлення 16855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16NF06T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 67500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16NF06T4 | STMicroelectronics | MOSFETs N Ch 60V 0.060 Ohm 16A | на замовлення 9562 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16NF25 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16NF25 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 250V 14A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16NF25 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Channel 250V Pwr Mosfet | на замовлення 1071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16NF25 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD16NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 85W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.195ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16NF25 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD16NF25 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 250V 14A DPAK Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA | на замовлення 5743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD16NF25 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD16NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.235 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 85W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm | на замовлення 726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD17-APPLICATOR | TE Connectivity | TE Connectivity | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD17-APPLICATOR | TE Connectivity | STD17-APPLICATOR | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD17-APPLICATOR | TE Connectivity Raychem Cable Protection | Description: STD17-APPLICATOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 260 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD1703 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD1703L | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD1703LT4 | STMicroelectronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD1703LT4 | ST | TO252 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD1703LT4$F | на замовлення 7200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD1703LTA | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD170N4F7AG | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 80A DPAK Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 172W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD170N4F7AG | STMicroelectronics | MOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 mOhm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET | на замовлення 2365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD1766 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD1766-Y | AUK | SOT89 | на замовлення 17000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD1766Y | AUK | на замовлення 60520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STD1766Y/ | на замовлення 46000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD1766Y/2SD1766 | AUK | SOT-89 08+ | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD1766Y/B2 | на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD17N03LT4 | на замовлення 3659 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD17N05 | ST | 07+ TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD17N05L | ST | 07+ TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD17N05T4 | SC | TO-252 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD17N06 | ST | 07+ TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD17N06-1 | на замовлення 5525 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD17N061 | ST | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STD17N06L | ST | TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD17N06T4 | STM | TO-252 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD17N08 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD17NE03L | ST | 07+ TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD17NE03LT4 | STM | 07+ TO-252 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD17NE06 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

