Продукція > STD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STD16N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+81.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD16N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19.5nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+185.04 грн
91+155.58 грн
103+137.90 грн
500+105.92 грн
1000+95.97 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2
Код товару: 198608
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+255.81 грн
66+215.36 грн
100+169.48 грн
250+150.27 грн
500+132.46 грн
1000+112.82 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+189.66 грн
5+150.12 грн
10+138.38 грн
50+117.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5STMSTD16N65M5 MOSFET 650V 0.299 OHM Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.63 грн
10+170.05 грн
50+131.51 грн
100+111.77 грн
500+92.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
на замовлення 6469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+255.81 грн
10+217.53 грн
25+215.36 грн
100+169.48 грн
250+150.27 грн
500+132.46 грн
1000+112.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+132.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5
Код товару: 189591
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD16N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+131.63 грн
5000+128.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+131.63 грн
5000+128.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NE06ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NE06-1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NE06LSTMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NE06L-1STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NE06LT4STMTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NE06T4STMTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NE10ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NE10LSTTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NE10LSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 100V - 0.07Ohm - 16A - DPAK StripFET MOS, POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NE10LT4STMN-channel 100V - 0.07. - 16A - DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NE10LT4STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NE10LT4STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06LSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 60 V, 0.060 Ohm typ., 16 A STripFET II Power MOSFET in DPAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06LSTTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06L-1STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06LT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 16 Amp
на замовлення 6364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06LT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD16NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 10033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.14 грн
10+72.84 грн
50+54.57 грн
100+45.69 грн
500+35.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06LT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 40W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±18V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 956 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.80 грн
10+67.26 грн
100+45.37 грн
250+39.50 грн
500+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.63 грн
7500+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06LT4STMN-channel 60V - 0.060. - 24A - DPAK/IPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.86 грн
10+102.38 грн
50+76.64 грн
100+65.88 грн
500+47.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 40W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06T4
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.02 грн
7500+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 8418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.22 грн
10+70.27 грн
50+52.62 грн
100+44.03 грн
500+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+43.17 грн
336+42.14 грн
342+41.38 грн
349+39.18 грн
500+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06T4STMicroelectronicsMOSFETs N Ch 60V 0.060 Ohm 16A
на замовлення 9385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.35 грн
7500+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06T4STTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 70mOhm; 16A; 40W; -55°C ~ 175°C; STD16NF06T4 STD16NF06 TSTD16NF06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF25STMicroelectronicsMOSFETs N-Channel 250V Pwr Mosfet
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF25STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD16NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.235 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.195ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 7219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.79 грн
10+108.09 грн
50+82.17 грн
100+69.26 грн
500+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF25STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD16NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.235 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF25STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; 85W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD17-APPLICATORTE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: STD17-APPLICATOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD17-APPLICATORTE ConnectivitySTD17-APPLICATOR
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD17-APPLICATORTE ConnectivityTE Connectivity
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1703
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1703L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1703LT4STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1703LT4STTO252
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1703LT4$F
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1703LTA
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD170N4F7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD170N4F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1766
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1766-YAUKSOT89
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1766YAUK
на замовлення 60520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1766Y/
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1766Y/2SD1766AUKSOT-89 08+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1766Y/B2
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD17N03LT4
на замовлення 3659 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD17N05ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD17N05LST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD17N05T4SCTO-252
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD17N06ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD17N06-1
на замовлення 5525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD17N061ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD17N06LSTTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD17N06T4STMTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD17N08
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD17NE03LST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD17NE03LT4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD17NE06
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.