Продукція > mt5
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT53E256M32D2DS-046 AIT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 2508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-046 AIT:B | Micron | DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AIT | на замовлення 363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR | Micron | DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AIT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-046 AUT:B | Micron | DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AUT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-046 AUT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-046 AUT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM LPDDR4 WFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-046 AUT:B TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM LPDDR4 WFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-046 AUT:B TR | Micron | DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AUT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-046 IT:B | MICRON | на замовлення 2409 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-046 IT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.1V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Memory Organization: 256M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-046 IT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-046 IT:B | Micron | DRAM LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP | на замовлення 1371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-046 IT:B TR | Micron | DRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-046 WT:B | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM | на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-046 WT:B | Micron | DRAM LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-053 AAT ES:B | Micron | DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AAT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-053 AAT ES:B TR | Micron | DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AAT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-053 AAT:B | Micron | DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AAT | на замовлення 3684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-053 AAT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.1V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 1.866 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Memory Organization: 256M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 1464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-053 AAT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR | Micron | DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AAT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-053 AIT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256M x 32 Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 1.866 GHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Voltage - Supply: 1.1V Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 8Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 200-WFBGA Packaging: Tray | на замовлення 1339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-053 AIT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 1881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-053 AIT:B | Micron | DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AIT | на замовлення 1895 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-053 AIT:B TR | Micron | DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AIT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-053 AUT:B | Micron | DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AUT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-053 AUT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Voltage - Supply: 1.1V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 1.866 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Memory Organization: 256M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 2022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-053 AUT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-053 AUT:B TR | Micron | DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AUT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-053 WT:B | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.1V 200-Pin WFBGA Tray | на замовлення 2304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-053 WT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -30°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-053 WT:B | MICRON | на замовлення 897 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-053 WT:B | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.1V 200-Pin WFBGA Tray | на замовлення 2304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-053 WT:B | Micron | DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA | на замовлення 1934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.1V 200-Pin WFBGA T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR | Micron | DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.1V 200-Pin WFBGA T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-046 AAT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E256M32D2FW-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 8Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit | на замовлення 1319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-046 AAT:B | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP Qualification: AEC-Q100 DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256M x 32 Access Time: 3.5 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 8Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 200-TFBGA Memory Format: DRAM Packaging: Box Grade: Automotive Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Clock Frequency: 2.133 GHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-046 AAT:B TR | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 256M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-046 AIT:B | Micron | DRAM LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-046 AIT:B | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 256M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-046 AIT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E256M32D2FW-046 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 8Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit | на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-046 AIT:B TR | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 256M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-046 AIT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-046 AUT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E256M32D2FW-046 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 8Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit | на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-046 AUT:B | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP Package / Case: 200-TFBGA Packaging: Box Memory Organization: 256M x 32 Access Time: 3.5 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Grade: Automotive Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 2.133 GHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 8Gbit Mounting Type: Surface Mount Qualification: AEC-Q100 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-046 AUT:B TR | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 8Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 200-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q100 DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256M x 32 Access Time: 3.5 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Grade: Automotive Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 2.133 GHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-046 IT ES:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-046 IT:B | Micron | DRAM LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP | на замовлення 959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-046 IT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E256M32D2FW-046 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 8Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit | на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-046 IT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-046 WT:B | Micron | DRAM LPDDR4 8Gbit 32 200/264 TFBGA 2 WT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-046 WT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 8GBIT PAR 200TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-046 WT:B | Micron Technology | LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP | на замовлення 1346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-046 WT:B TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 8GBIT PAR 200TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-053 AAT:B | Micron | DRAM LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-053 AAT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-053 AUT:B | Micron | DRAM LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-053 AUT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M64D4NZ-053 WT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16G 256MX64 FBGA QDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1190 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M64D4NZ-053 WT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM LPDDR4 WFBGA | на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E256M64D4NZ-053 WT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16G 256MX64 FBGA QDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E256M64D4NZ-053 WT:B TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM LPDDR4 WFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2D1ACY-DC | Micron | DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2D1ACY-DC TR | Micron | DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2D1BCY-DC | Micron | DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2D1BCY-DC | Micron Technology Inc. | Description: SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2D1BCY-DC TR | Micron Technology Inc. | Description: SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2D1BCY-DC TR | Micron | DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2D1DKS-DC | Micron | DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 PLASTIC MISC Z42M | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2D1DKS-DC TR | Micron | DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 PLASTIC MISC Z42M | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2DBDS-DC | Micron | DRAM LPDDR4 0 256MX32 FBGA DDP Z00M | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2DBDS-DC TR | Micron | DRAM LPDDR4 0 256MX32 FBGA DDP Z00M | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2DCDS-DC | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 0 FBGA QDP Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2DCDS-DC | Micron | DRAM LPDDR4 0 ?? FBGA QDP Z19M | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2DCDS-DC TR | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 0 FBGA QDP Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2DCDS-DC TR | Micron | DRAM LPDDR4 0 ?? FBGA QDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2DDDS-DC | Micron | DRAM LPDDR4 0 ?? WFBGA DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AAT:A TR | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA QDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AAT:C | Micron | DRAM LPDDR4 64Gbit 32 200/264 TFBGA 4 AT | на замовлення 574 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AAT:C | MICRON | Description: MICRON - MT53E2G32D4DE-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32 Bit, 2133 MHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 64Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AAT:C | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 64GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 2G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AAT:C TR | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 64Gbit 2Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AAT:C TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 64GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 2G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AAT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 64G 2GX32 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AIT:A | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 64GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 2G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AIT:A | Micron | DRAM LPDDR4 64G 2GX32 FBGA QDP Z32M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AIT:A TR | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA QDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AIT:A TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 64GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 2G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AIT:C | MICRON | Description: MICRON - MT53E2G32D4DE-046 AIT:C - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 64Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AIT:C | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 64GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 2G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 1224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AIT:C | Micron | DRAM LPDDR4 64Gbit 32 200/264 TFBGA 4 IT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AIT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 64G 2GX32 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AIT:C TR | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 64G 2GX32 FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 2G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AUT:C | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 64GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 2G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AUT:C | MICRON | Description: MICRON - MT53E2G32D4DE-046 AUT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 64Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AUT:C | Micron | DRAM LPDDR4 64Gbit 32 200/264 TFBGA 4 UT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AUT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 64G 2GX32 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AUT:C TR | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 64Gbit 2Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |

