Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4310TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4310TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.007 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 22100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4310TRLPBF | Infineon | MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC | на замовлення 4525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4310TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4310TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.007 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4310TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4310Z Код товару: 99516
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Напруга сток-витік Uds, В: 100 В Струм стоку Idd, А: 120 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,8 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6860/120 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||
| IRFS4310Z | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRFS4310ZPBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4310ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4310ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4310ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 120nC | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4310ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 14714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4310ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4310ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 19200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4310ZTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm | на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4310ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4310ZTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg | на замовлення 695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4310ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4310ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V | на замовлення 8364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4310ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 14704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4310ZTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4321 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4321-7P | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4321-7PPBF | Infineon / IR | MOSFET TRENCH MOSFET - PACKAGE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4321-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4321PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4321PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 83 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 330 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4321PBF | Infineon | на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRFS4321PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 71nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4321PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4321TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4321TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK-7 Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: D2PAK-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 34A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4321TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4321TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 86 A, 0.0117 ohm, TO-263CB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350W Bauform - Transistor: TO-263CB Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0117ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4321TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4321TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 13300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4321TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4321TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK | на замовлення 114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4321TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK-7 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: D2PAK-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 34A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4321TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4321TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4321TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 86 A, 0.0117 ohm, TO-263CB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4321TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4321TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg | на замовлення 3470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V | на замовлення 25679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4321TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4321TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V | на замовлення 25600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4321TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4321TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4321TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4321TRRPBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4321TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4321TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4321TRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 71nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4321TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4321TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4321TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 96A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410PBF | Infineon / IR | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 120nC | на замовлення 4612 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFS4410PBF - IRFS4410 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410PBF | IR | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRFS4410PBF-INF | Infineon Technologies | Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 88 A, 0.008 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | на замовлення 842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 88 A, 0.008 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 247 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC | на замовлення 1092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410Z | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4410Z | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410Z | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410Z Код товару: 99517
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Напруга сток-витік Uds, В: 100 В Струм стоку Idd, А: 97 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 7,2 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4820/83 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||
| IRFS4410ZPBF | Infineon / IR | MOSFET 100V SINGLE N-CH 9mOhms 83nC | на замовлення 613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4410ZPBF | Infineon | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4410ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm | на замовлення 822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |