Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS4115-7PPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4115-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4115PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 12.1mOhms 77nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4115PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4115PBF | Infineon | MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4115TRL7PP | Infineon | MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4115TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4115TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0118 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4115TRL7PP | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4115TRL7PP | Infineon | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V | на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4115TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4115TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0118 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 41638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 105A 11.8mOhm 73nC Qg | на замовлення 243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4115TRL7PP | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4115TRL7PP | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg | на замовлення 12790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4115TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 70A; Idm: 396A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 70A Pulsed drain current: 396A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4115TRLPBF | Infineon | MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4115TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4115TRLPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Id = 195 A, Ptot, Вт = 375, Udss, В = 150, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 5270 @ 50, Qg, нКл = 120 @ 10 В, Rds = 12.1 мОм @ 62 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт кількість в упаковці: 800 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4115TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm | на замовлення 423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4127 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFS4127PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4127PBF | Infineon Technologies | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET SWITCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4127PBF Код товару: 99017
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D-Pak (TO-252) Напруга сток-витік Uds, В: 200 В Струм стоку Idd, А: 72 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 18,6 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5380/100 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| IRFS4127TRL | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 22mOhm; 72A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRFS4127, IRFS4127TRL IRFS4127 TIRFS4127 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4127TRLPBF Код товару: 147925
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V | на замовлення 3159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4127TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4127TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 28800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4127TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4127TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg | на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS41N15D | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS41N15DHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS41N15DPBF | Infineon / IR | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 72nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS41N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 11550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS41N15DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS41N15DTRLHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS41N15DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS41N15DTRLP | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 150V 41A 45mOhm 72nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS41N15DTRLP | International Rectifier | Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS41N15DTRLPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS41N15DTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS41N15DTRRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4227 | IR | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFS4227 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4227PBF | Infineon | IRFS4227PBF IRFS4227TRLPBF MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4227PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 62 А, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 4600 @ 25, Qg, нКл = 98 @ 10 В, Rds = 26 мОм @ 46 A, 10 В, Tексп, °C = -40...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4227PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 26mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4227PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 46A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4227TRL | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 26mOhm; 62A; 330W; -40°C ~ 175°C; IRFS4227, IRFS4227TRL IRFS4227 TIRFS4227 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4227TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4227TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 31200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4227TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4227TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4227TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4227TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4227TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4227TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 18400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4227TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4227TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4227TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 28800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4227TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4227TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4227TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4227TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4227TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 23200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4227TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4227TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4227TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V | на замовлення 2983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4227TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 17600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4227TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS4228PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4228TRLPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS4228TRLPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |