Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFS4410ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg
на замовлення 3591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.06 грн
500+121.13 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+242.48 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+85.97 грн
1600+77.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 390A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.25 грн
10+112.67 грн
25+90.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4410ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.16 грн
10+164.05 грн
100+118.11 грн
500+105.98 грн
800+80.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+259.48 грн
57+249.59 грн
100+241.13 грн
250+225.46 грн
500+203.08 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS450
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS450BonsemiMOSFETs 500V N-Channel B-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS450B
Код товару: 37978
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS450BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 9.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS450BOn SemiconductorN-MOSFET; полевой; 500В; 6,1А; 96Вт; TO3PF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS450BonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3PF
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510PBFIRFS4510PBF Транзисторы
на замовлення 110 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510PBFInfineon / IRMOSFET 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 37600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+91.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+96.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+75.03 грн
1600+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 26400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.20 грн
1600+76.43 грн
2400+75.67 грн
4000+72.23 грн
5600+66.68 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+86.46 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+73.31 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+239.35 грн
85+167.88 грн
115+123.32 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+86.94 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+247.43 грн
82+172.17 грн
100+169.34 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
500+130.54 грн
1000+119.95 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+95.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 26400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.20 грн
1600+76.43 грн
2400+75.67 грн
4000+72.23 грн
5600+66.68 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
500+130.54 грн
1000+119.95 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+91.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+87.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
500+130.54 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4610Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4610
Код товару: 99518
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 73 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 11 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3550/90
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+35.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4610PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4610PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 90nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4610TRLIR08+ SMD
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4610TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.12 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4610TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+106.20 грн
1600+85.92 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4610TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+106.31 грн
1600+86.02 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4610TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4610TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 73A 14mOhm 90nC Qg
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4610TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.12 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4610TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4610TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.12 грн
500+135.24 грн
1000+128.18 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4610TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+305.76 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4610TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4610TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4610TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615PBF
Код товару: 53677
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 42 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1750/26
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+49.50 грн
10+42.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 26nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 34,5mOhm; 33A; 144W; -55°C~175°C; Substitute: IRFS4615TRL; IRFS4615; IRFS4615-GURT; IRFS4615 TIRFS4615
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+91.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 572000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+84.13 грн
286400+76.87 грн
429600+71.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+93.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 564800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+84.13 грн
286400+76.87 грн
429600+71.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+74.82 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.72 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.12 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+66.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+61.64 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+74.82 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.11 грн
10+99.48 грн
100+67.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+66.39 грн
2400+63.89 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4620International RectifierN-MOSFET 24A 200V 144W IRFS4620 TIRFS4620
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+120.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4620PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4620PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0637 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 144
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0637
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4620PBFInfineon / IRMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4620PBF
Код товару: 74099
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 24 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 63,7 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1710/25
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+31.50 грн
10+30.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4620TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+66.76 грн
1600+66.12 грн
2400+64.21 грн
4000+60.49 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4620TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 21600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.71 грн
1600+74.08 грн
2400+71.25 грн
4000+63.88 грн
5600+63.12 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4620TRLPBFVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4620TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.19 грн
1600+64.92 грн
2400+61.03 грн
4000+55.44 грн
5600+50.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4620TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.19 грн
1600+64.92 грн
2400+61.03 грн
4000+55.44 грн
5600+50.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4620TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0775 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0775ohm
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4620TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+71.81 грн
1600+66.41 грн
2400+62.44 грн
4000+56.70 грн
5600+51.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4620TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
на замовлення 7328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4620TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.25 грн
1600+64.63 грн
2400+62.77 грн
4000+59.14 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4620TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 22295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.75 грн
10+149.04 грн
100+103.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4620TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+71.73 грн
1600+66.33 грн
2400+62.36 грн
4000+56.63 грн
5600+51.74 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4620TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+180.63 грн
113+125.13 грн
115+123.24 грн
200+84.19 грн
500+76.27 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4620TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0775 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0775ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4710IR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]