Продукція > TSM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TSM121CM
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM123A1NinigiTSM123A1 SP3T; (ON)-OFF-(ON); 3A/250ВAC; 20мОм Перемикачі та вимикачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM123A1NINIGICategory: Toggle Switches
Description: Switch: toggle; Pos: 3; SP3T; (ON)-OFF-(ON); 3A/250VAC; -25÷85°C
Mounting hole dimensions: Ø6.2mm
Related items: TSPC05-M
Type of switch: toggle
Body colour: black
AC contacts rating @R: 3A / 250V AC
Operating temperature: -25...85°C
Contacts configuration: SP3T
Stable positions number: 1
Leads: for soldering
Body dimensions: 13.2x7.9x9.5mm
Kind of toggle: round
Switching method: (ON)-OFF-(ON)
Soldering temperature: 260°C / 4 s
Max. contact resistance:: 20mΩ
Electrical life: 20000 cycles
Number of positions: 3
Actuator material: metal
Knob height: 11mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM123A2NinigiПеремикачі та вимикачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM123F1NINIGICategory: Toggle Switches
Description: Switch: toggle; Pos: 3; SP3T; (ON)-OFF-(ON); 3A/250VAC; -25÷85°C
Type of switch: toggle
Number of positions: 3
Stable positions number: 1
Contacts configuration: SP3T
Switching method: (ON)-OFF-(ON)
AC contacts rating @R: 3A / 250V AC
Leads: for soldering
Operating temperature: -25...85°C
Kind of toggle: flat
Mounting hole dimensions: Ø6.2mm
Knob height: 12mm
Max. contact resistance:: 20mΩ
Body dimensions: 13.2x7.9x9.5mm
Electrical life: 20000 cycles
Actuator material: metal
Body colour: black
Soldering temperature: 260°C / 4 s
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+138.71 грн
5+108.86 грн
20+90.58 грн
100+77.28 грн
500+51.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM123F1NinigiТумблер 3A/250VAC (ON)-OFF-(ON) Перемикачі та вимикачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM126CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 30MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 8µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51.42 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM126CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFET 600V 30mA N-Channel Depletion Mode
на замовлення 11708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1284B-3
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1284B-3LFLB
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1285BCSA+Silicon LabsDescription: IC ADC 12BIT 8-SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Bits: 12
Configuration: S/H-ADC
Data Interface: SPI
Reference Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply, Analog: 2.7V ~ 3.6V
Voltage - Supply, Digital: 2.7V ~ 3.6V
Sampling Rate (Per Second): 300k
Input Type: Single Ended
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 8-SOIC
Architecture: SAR
Ratio - S/H:ADC: 1:1
Number of A/D Converters: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1285BCSA+TSilicon LabsDescription: IC ADC 12BIT 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Bits: 12
Configuration: S/H-ADC
Data Interface: SPI
Reference Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply, Analog: 2.7V ~ 3.6V
Voltage - Supply, Digital: 2.7V ~ 3.6V
Sampling Rate (Per Second): 300k
Input Type: Single Ended
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 8-SOIC
Architecture: SAR
Ratio - S/H:ADC: 1:1
Number of A/D Converters: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1285BESA+Silicon LabsDescription: IC ADC 12BIT 8-SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Bits: 12
Configuration: S/H-ADC
Data Interface: SPI
Reference Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply, Analog: 2.7V ~ 3.6V
Voltage - Supply, Digital: 2.7V ~ 3.6V
Sampling Rate (Per Second): 300k
Input Type: Single Ended
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 8-SOIC
Architecture: SAR
Ratio - S/H:ADC: 1:1
Number of A/D Converters: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1285BESA+Silicon LabsAnalog to Digital Converters - ADC 12-bit 300ksps ADC with Int 2.5V Ref
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1285BESA+TSilicon LabsDescription: IC ADC 12BIT 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Bits: 12
Configuration: S/H-ADC
Data Interface: SPI
Reference Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply, Analog: 2.7V ~ 3.6V
Voltage - Supply, Digital: 2.7V ~ 3.6V
Sampling Rate (Per Second): 300k
Input Type: Single Ended
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 8-SOIC
Architecture: SAR
Ratio - S/H:ADC: 1:1
Number of A/D Converters: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1285DBSilicon LabsData Conversion IC Development Tools
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1285DBSilicon LaboratoriesTSM1285 ADC Demonstration Board 300KSPS Graphic User Interface IDE
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7560.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1285DBTouchstone SemiconductorDescription: BOARD EVAL ADC 12-BIT TSM1285
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4955.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1285DBSilicon LaboratoriesTSM1285 ADC Demonstration Board 300KSPS Graphic User Interface IDE
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM128C08CATTSOP
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM12N65CITaiwan SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM12N65CI C0Taiwan SemiconductorMOSFET 650V 6A N Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM130NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM130NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 30 V
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+53.02 грн
100+36.89 грн
500+27.80 грн
1000+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM130NB06CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 60V 51A 13mOhm N-Chan Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM130NB06LCRTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM130NB06LCRTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 51A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 180000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM130NB06LCRTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM130NB06LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 30 V
на замовлення 7275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.73 грн
10+65.96 грн
100+43.82 грн
500+32.20 грн
1000+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM130NB06LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 60V 51A 13mOhm N-Chan Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM130NB06LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.02 грн
5000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM13N50ACI C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 500V N channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM13N50ACI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 13A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1965 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM13N50ACZ C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1965 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM13N50ACZ C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 500V N channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM13ND50CITaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 13A ITO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1877 pF @ 50 V
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.84 грн
50+139.19 грн
100+137.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM13ND50CI C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 500V, 13A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM13ND50CI RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 500V 13A Single N-Chan Pwr MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1412CU6
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1412CU6RF
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM141ASKLSTSM141AS SWT-10/5 микрокнопка SMD 3*6MM Кнопки та клавіатури
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM142CHUNGSONGTSM142 YTP1109S. 4,5х4,5 L=3,8мм. Клемники
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM142CHUNGSONGTSM142 YTP1109S 4,5х4,5 L=3,8мм SMD Клемники
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1426CU6
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM14POE3M-IPEJApplied MotionAC, DC & Servo Motors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM14POE3M-JG04Applied MotionStepper Motors RJ45 connectr; 4.62:1 PH gear
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM14POE3M-MG32Applied MotionStepper Motors M12 connectr; 32.50:1 PH gear
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04CRTaiwan SemiconductorLDO Voltage Regulators 40V, 41A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04CRTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04CR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1092 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.95 грн
10+93.11 грн
100+72.57 грн
500+56.26 грн
1000+44.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04CR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+43.12 грн
372+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1092 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04CR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04CR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.80 грн
18+43.12 грн
100+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1132pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.27 грн
10+71.57 грн
50+53.59 грн
100+44.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04DCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 38A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1132pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04LCRTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04LCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 40V 41A 15mOhm N-Chan Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 966 pF @ 20 V
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.00 грн
100+33.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04LCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.98 грн
30+25.52 грн
50+23.13 грн
100+20.84 грн
250+19.50 грн
500+18.56 грн
1000+18.32 грн
3000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 966 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04LCV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 36A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1013 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04LCV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 36A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1013 pF @ 20 V
на замовлення 9938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.79 грн
10+39.79 грн
100+25.94 грн
500+18.75 грн
1000+16.95 грн
2000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04LDCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A/37A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 966pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.91 грн
5000+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04LDCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 37A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04LDCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A/37A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 966pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+58.86 грн
100+45.78 грн
500+36.42 грн
1000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150P03PQ33Taiwan Semiconductor CorporationDescription: -30, -36, SINGLE P-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1829 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150P03PQ33 RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1829 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.11 грн
10000+13.48 грн
15000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150P03PQ33 RGGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin P-DFN EP T/R
на замовлення 4426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+19.96 грн
39+19.66 грн
100+18.65 грн
250+16.99 грн
500+16.05 грн
1000+15.79 грн
3000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150P03PQ33 RGGTaiwan SemiconductorMOSFETs -30, -36, Single P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150P03PQ33 RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1829 pF @ 15 V
на замовлення 19678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+39.49 грн
100+25.71 грн
500+18.58 грн
1000+16.79 грн
2000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150P03PQ33 RGGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin P-DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150P04LCSTaiwan Semiconductor CorporationDescription: -40, -22, SINGLE P-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2783 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150P04LCSTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 22A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150P04LCSTaiwan SemiconductorLDO Voltage Regulators -40V, -22A, Single P-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150P04LCS RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 22A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150P04LCS RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 22A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150P04LCS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 40V 22A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2783 pF @ 20 V
на замовлення 59199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.19 грн
10+61.03 грн
50+45.37 грн
100+37.83 грн
500+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150P04LCS RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs -40, -22, Single P-Channel
на замовлення 8046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150P04LCS RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 22A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150P04LCS RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 22A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150P04LCS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 40V 22A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2783 pF @ 20 V
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.44 грн
7500+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM152J-TR07+;
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM157PW1U
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM157PW2B
на замовлення 26934 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM157PW2B1575
на замовлення 26934 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM157PW2B1575.42MHZ
на замовлення 26934 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM157PW4USANYOQFN?
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM157W1U
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM15N03PQ33Taiwan SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM15N03PQ33 RFGTaiwan SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM15N15CPTaiwan SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM15N50CI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 14A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2263 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM15N50CI C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 500V, 14A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM15N50CZ C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 500V, 14A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM15N50CZ C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V 14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2263 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.