Продукція > TSM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSM22-H50CQ18ST-24.000M | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 24.0000MHZ HCMOS SMD | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM22-H50CQ18ST-25.000M | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 25.0000MHZ HCMOS SMD | на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM22-H50CQ18ST-25.000M-TR | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 25.0000MHZ HCMOS SMD | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM22-H50CQ18ST-28.63636M | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 28.63636MHZ HCMOS Packaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 15mA Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Frequency: 28.63636 MHz Base Resonator: Crystal | на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM22-H50CQ18ST-28.63636M-TR | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 28.63636MHZ HCMOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 15mA Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Frequency: 28.63636 MHz Base Resonator: Crystal | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM22-H50CQ18ST-38.400M | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 38.4000MHZ HCMOS SMD Packaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 15mA Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Frequency: 38.4 MHz Base Resonator: Crystal | на замовлення 3061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM22-H50CQ18ST-38.400M-TR | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 38.4000MHZ HCMOS SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM22-H50CQ18ST-40.000M | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 40.0000MHZ HCMOS SMD Packaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 15mA Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Frequency: 40 MHz Base Resonator: Crystal | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM22-H50CQ18ST-68.000M-TR | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 68.0000MHZ HCMOS SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 15mA Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Frequency: 68 MHz Base Resonator: Crystal | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM22-H50CQ33ST-12.000M | Transko Electronics, Inc. | Description: 12MHZ XTAL OSC CERAMIC SMD | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM22-H50CQ33ST-12.000M-TR | Transko Electronics, Inc. | Description: 12MHZ XTAL OSC CERAMIC SMD | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM22-H50CQ33ST-14.31818M | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 14.31818MHZ HCMOS Packaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 3.3V Current - Supply (Max): 15mA Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Frequency: 14.31818 MHz Base Resonator: Crystal | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM22-H50CQ33ST-27.000M | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 27.0000MHZ HCMOS SMD | на замовлення 1356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM22-H50CQ33ST-27.000M-TR | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 27.0000MHZ HCMOS SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 3.3V Current - Supply (Max): 15mA Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Frequency: 27 MHz Base Resonator: Crystal | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM22-H50CQ33ST-4.9152M-TR | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 4.9152MHZ HCMOS SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 3.3V Current - Supply (Max): 15mA Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Frequency: 4.9152 MHz Base Resonator: Crystal | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM22-H50CQ33ST-50.000M | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 50.0000MHZ HCMOS SMD Packaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 3.3V Current - Supply (Max): 15mA Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Frequency: 50 MHz Base Resonator: Crystal | на замовлення 1584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM22-H50CQ33ST-50.000M-TR | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 50.0000MHZ HCMOS SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM22-H50CQ33ST-6.13635M | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 6.13635MHZ HCMOS SMD Packaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 3.3V Current - Supply (Max): 15mA Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Frequency: 6.13635 MHz Base Resonator: Crystal | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM22-H50CQ33ST-64.000M | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 64.0000MHZ HCMOS SMD | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM22-H50GM18ST-100.000M | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 100.0000MHZ HCMOS | на замовлення 1270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM22-H50HM33ST-12.288M | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 12.2888MHZ HCMOS SMD Packaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: 0°C ~ 70°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 3.3V Current - Supply (Max): 15mA Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Frequency: 12.288 MHz Base Resonator: Crystal | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM22-H50HM33ST-12.288M-TR | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 12.2888MHZ HCMOS SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: 0°C ~ 70°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 3.3V Current - Supply (Max): 15mA Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Frequency: 12.288 MHz Base Resonator: Crystal | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM220NB06CR | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM220NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R | на замовлення 352500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM220NB06CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM220NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 68W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PDFN56 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm | на замовлення 1347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM220NB06CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; 23W; PDFN56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A Power dissipation: 23W Case: PDFN56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM220NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM220NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM220NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM220NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM220NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM220NB06CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM220NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PDFN56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm | на замовлення 1347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM220NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R | на замовлення 352500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM220NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM220NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454 pF @ 30 V | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM220NB06LCR | Taiwan Semiconductor | LDO Voltage Regulators 60V, 35A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM220NB06LCR | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM220NB06LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 30 V | на замовлення 3129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM220NB06LCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM220NB06LCR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM220NB06LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM220NB06LCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; 23W; PDFN56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A Power dissipation: 23W Case: PDFN56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM221I | ST | 09+ SO-14 | на замовлення 1223 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM221ID | ST | SOP-14 | на замовлення 480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM221IDT$91 | ST | SOP14 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM221IN | ST | DIP14 | на замовлення 2750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM22A | Essentra | Conduit Fittings & Accessories TEAR TAB CAP - METRIC THREAD:LDPE YELLOW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM22A | Essentra Components | Description: TAP CAP YELLOW 0.87" Packaging: Bulk Color: Yellow Size / Dimension: 0.87" (22.0mm) H Type: Tap Cap | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM22P10CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CH 100V 22A ITO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM22P10CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 100V 22Amp P channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM22P10CZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 100V 22Amp P channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM22P10CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CH 100V 22A TO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM2301 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2301ACX | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -20V, -2.8A, Single P-Channel MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM2301ACX RF | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V P Channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM2301ACX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFET -20V, -2.8A, Single P-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 72000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM2301ACX RFG | Taiwan Semiconductor | P Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 72000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM2301ACX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V | на замовлення 92293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM2301ACX RFG | Taiwan Semiconductor | P Channel Power MOSFET | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM2301ACX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 450mW; SOT23 Mounting: SMD Power dissipation: 0.45W Gate charge: 7.2nC Polarisation: unipolar Drain current: -1.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: tape Case: SOT23 On-state resistance: 0.13Ω | на замовлення 3429 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM2301ACX RFG | Taiwan Semiconductor | P Channel Power MOSFET | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM2301ACX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM2301ACX RFG | Taiwan Semiconductor | P Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 72000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM2301ACX RFG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 190mOhm; 2,8A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2301CX RF; TSM2301CX-RFG; TSM2301ACX; TSM2301BCX RFG; TSM2301ACX RFG; Zamiennikiem b?dzie: TSM650P02CX; TSM2301ACX RFG TTSM2301cx кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 14 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM2301ACX RFG | Taiwan Semiconductor | P Channel Power MOSFET | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM2301ACX RFG-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -20V -2.8A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM2301ACX-CN | CHIPNOBO | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 170mOhm; 2,3A; 400mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: TSM2301CX RFG; TSM2301CX-CN CHIPNOBO TTSM2301cx CNB кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM2301BCX | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2301BCX | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V P channel MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM2301BCX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V P channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM2301BCX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 6 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM2301BCX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 6 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM2301CX Код товару: 130402
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| TSM2301CX | Taiwan Semiconductor | 20V P Chanel Mosfet Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM2301CX | 06+ TSSOP8 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| TSM2301CX | JGSEMI | Transistor P-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 3,6A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: TSM2301CX RFG; TSM2301CX JGSEMI TTSM2301cx JGS кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM2301CX RF | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 20V P Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM2301CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 6 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM2301CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 6 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM2301CX RFG-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -20V -2.8A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM2301CXRF | на замовлення 2558 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2302CX | JGSEMI | Transistor N-MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 4A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: TSM2302CX RFG; TSM2302CX JGSEMI TTSM2302cx JGS кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 820 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM2302CX | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V N channel MOSFET | на замовлення 11900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM2302CX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 20V, 3.9A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM2302CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 300mW; SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tape Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A Gate charge: 7.8nC On-state resistance: 65mΩ Power dissipation: 0.3W Gate-source voltage: ±8V Kind of channel: enhancement | на замовлення 11 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM2302CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM2302CX RFG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Transistor N-MOSFET; 20V; 8V; 95mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; NRND item and EOL soon; Odpowiednik: TSM250N02CX RFG; TSM2302CX RFG; TSM2302CXR TSM2302CX TTSM2302cx кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 2673 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM2302CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM2302CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 10 V | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM2302CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM2302CX RFG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Transistor N-MOSFET; 20V; 8V; 95mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; NRND item and EOL soon; Odpowiednik: TSM250N02CX RFG; TSM2302CX RFG; TSM2302CXR TSM2302CX TTSM2302cx кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM2302CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM2302CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM2302CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 10 V | на замовлення 36531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM2302CX RFG-ML | MOSLEADER | Description: N-Channel 20V 3.9A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM2302CX(транзистор) Код товару: 48007
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| TSM2302CX-CN | CHIPNOBO | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 115mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 150°C; Equivalent: TSM2302CX RFG; TSM2302CX-CN CHIPNOBO TTSM2302cx CNB кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 2880 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM2302CXRF | на замовлення 37000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2303CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM2303CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. |

