Продукція > 2N4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2N4910Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4910 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 1.0A 25W 40Vcbo 40Vceo 0.6V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4910 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 1.0A 25W 40Vcbo 40Vceo 0.6V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4911Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4911MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4911Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4911 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4911 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 1.0A 25W 60Vcbo 60Vceo 1.0A 3.0MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4912Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4912Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 4A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2037.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N4912Semelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4912MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4912Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4912Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4912
Код товару: 132579
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4912Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4912 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4913Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4913Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4913Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 40V 5A 88000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4913Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4913MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4914Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4914MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4914Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4915MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4915MicrosemiTrans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8549.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N4915Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4915onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4915Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 5A TO3
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 88 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4916MOTOROLA
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4917MOTOROLA
на замовлення 28900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4918ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 3A 40V 30W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4918Central SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Power
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4918Solid State Inc.Description: TRANS PNP 40V 1A TO126
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4918MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4918 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4918 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Power
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4918GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4918GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4918GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 30W PNP
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4918GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4918GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N4918G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4918GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.31 грн
23+32.94 грн
100+29.78 грн
250+28.01 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4918GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 1A TO126
на замовлення 6993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.23 грн
10+54.21 грн
100+41.58 грн
500+30.85 грн
1000+24.68 грн
2000+22.36 грн
5000+20.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4918GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4919onsemiDescription: TRANS PNP 60V 1A TO-126
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4919MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4919onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 30W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4919GON Semiconductor
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4919GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N4919G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4919GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 30W PNP
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4919GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 1A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 32188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
649+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 649 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4919GOn SemiconductorBipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 3MHz 30 W Through Hole TO-126 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4919GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4919GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 1A TO-126
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 30 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N491AMOTCAN
на замовлення 985 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N491BMOTCAN
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N492MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4920onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4920Solid State Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A TO126
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4920
Код товару: 200323
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4920ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4920MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N4920 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 30 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4920 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Med Power
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4920 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 80V 1A 30W TH TRANSISTOR-BIPOLAR
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4920 PBFREE
Код товару: 205418
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4920 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 1.0A 30W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4920 TIN/LEADCentral Semiconductor2N4920 TIN/LEAD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4920GOn SemiconductorPNP, Uкэ=80V, Iк=1A, h21=10...150, 30Вт, 3МГц, TO-225AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4920GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 1A TO-126
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4920GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N4920G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4920GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+69.96 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4920GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W PNP
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4920GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 1A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 17678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
634+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 634 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4921onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4921onsemiDescription: TRANS NPN 40V 1A TO126
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4921GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 30W NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4921GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 1A TO126
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4921GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4921GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 1A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1028+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 1028 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4921GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4921GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N4921G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4922onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 30W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4922ON09+
на замовлення 10308 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4922GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 30W; TO225
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO225
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Current gain: 30...150
Frequency: 3MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Polarisation: bipolar
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.06 грн
10+50.82 грн
25+43.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4922GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 30W NPN
на замовлення 4048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4922GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1A TO-126
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
на замовлення 10308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.77 грн
10+56.27 грн
100+37.21 грн
500+27.24 грн
1000+24.77 грн
2000+22.69 грн
5000+20.10 грн
10000+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4922GOn SemiconductorNPN 60V 1A TO-225 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4922GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4922GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N4922G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4922GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923onsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923NTE Electronics, Inc.Silicon NPN Transistor High Voltage
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+144.26 грн
103+137.66 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923
Код товару: 153719
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-32
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
Power - Max: 30 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 80V 1A TO-126
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]