Продукція > DMP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP3056LDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3056LDM-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 8650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM-7DiodesMOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V
на замовлення 51139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.92 грн
10+33.50 грн
25+27.91 грн
50+22.95 грн
100+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Channel 1.25W
на замовлення 14636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.56 грн
17+45.83 грн
100+29.52 грн
500+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.11 грн
9000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3056LDM-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 8650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.3A; Idm: -13A; 1.25W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.3A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+149.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.25W; SOT26
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Drain current: -3.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT26
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.38 грн
13+34.15 грн
25+28.92 грн
50+25.26 грн
100+21.77 грн
500+15.37 грн
1000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.79 грн
10+40.24 грн
25+33.71 грн
50+27.77 грн
100+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3056LSD - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3056LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.01 грн
10+44.79 грн
50+36.31 грн
100+32.41 грн
500+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3056LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs PMOS-DUAL
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 3924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.54 грн
10+53.25 грн
25+44.72 грн
50+36.96 грн
100+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13
Код товару: 116130
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13DiodesTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A Automotive 8-Pin SOP T/R Транзистори
на замовлення 578 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
72+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.51 грн
10+66.26 грн
25+55.76 грн
50+46.22 грн
100+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3056LSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 8314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.17 грн
12+66.49 грн
100+38.10 грн
500+30.92 грн
1000+26.61 грн
2500+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.11 грн
7500+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
797+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 797 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; Idm: -24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.8A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3056LSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3056LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.1 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSS-13DiodesMOSFET P-CH 30V 7.1A 8SOP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 7.1A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 25 V
на замовлення 3139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+39.34 грн
25+32.85 грн
50+27.08 грн
100+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; Idm: -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3056LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.1 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs PMOS SINGLE P-CHANNL 30V 7.1A
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSS-13Diodes INC.P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 7,1, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 722 @ 25, Qg, нКл = 6,8 @ 4,5 В, Rds = 45 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 7.1A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 25 V
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 870 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3056LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+44.72 грн
25+37.48 грн
50+30.92 грн
100+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3056LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.74 грн
5000+64.14 грн
10000+63.52 грн
15000+60.66 грн
20000+55.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.9A; Idm: -25A; 1W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.9A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4.3A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4.3A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3065LVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 5.1A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3065LVT-13Diodes IncorporatedMOSFET 30V P-Ch Enh Mode 20Vgss 587pF 12.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3065LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4.9A TSOT-26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3065LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4.9A TSOT-26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3065LVT-7Diodes IncorporatedMOSFET 30V P-Ch Enh Mode 20Vgss 587pF 12.3nC
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3068LDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3068L-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Ch Enh Mode 72mOhm -10V -3.9A
на замовлення 19987 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3068L-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3068L-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.2A; Idm: -18A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -18A
Gate charge: 15.9nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3068L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3068L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3068L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3068L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3068L-7DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R DMP3068L-13 DMP3068L-7 TDMP3068L-7 Diodes
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3068L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3068L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.072 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 700mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 700mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3068L-7
Код товару: 143440
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3068L-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Ch Enh Mode 72mOhm -10V -3.9A
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3068L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3068L-7DiodesP-Channel 30V 3.3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23 Транзистори
на замовлення 7014 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
110+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3068L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3068L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.072 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 700mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3068L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3068L-7-50Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3068L-7-MLMOSLEADERDescription: P 30V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.59 грн
1000+2.43 грн
3000+2.27 грн
6000+2.09 грн
15000+2.02 грн
30000+1.94 грн
75000+1.79 грн
150000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3068LVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3068LVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3068LVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 2.8A TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3068LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 2.8A TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 33000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3068LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3068LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3085LSDDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3085LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3085LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3085LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3085LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch ENH FET -30V 70mOhm -10V -3.9A
на замовлення 235424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3085LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3085LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.33 грн
7500+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3085LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.49 грн
5000+7.42 грн
7500+7.34 грн
12500+7.01 грн
17500+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3085LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3085LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.53 грн
5000+7.46 грн
7500+7.38 грн
12500+7.04 грн
17500+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3085LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3085LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3085LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.