Продукція > FDC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP
Код товару: 123114
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
3+9.00 грн
10+7.70 грн
100+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APONSEMIDescription: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 32967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APonsemiMOSFETs -30VSgl P-Chl LogLv PwrTrch MOSFET
на замовлення 15603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+42.04 грн
1000+25.37 грн
3000+24.63 грн
6000+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP-GFairchild SemiconductorDescription: FDC658AP - MOSFET 30V 50.0 MOHM
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+41.98 грн
348+40.70 грн
402+35.21 грн
406+33.61 грн
522+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+52.76 грн
50+39.16 грн
100+32.60 грн
500+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH -30V
на замовлення 4813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1206+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 1206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 4515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.60 грн
13+58.67 грн
50+57.88 грн
100+42.83 грн
500+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+89.41 грн
7+63.23 грн
10+54.26 грн
50+38.24 грн
100+33.55 грн
500+26.42 грн
1000+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.29 грн
18+41.98 грн
25+40.70 грн
100+33.95 грн
250+31.12 грн
500+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 4515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P-NN0530NO
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P_NB4E011ON SemiconductorDescription: IC AUDIO JACK DETECTION SUPERSOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P_NLONS/FAIP-Channel MOSFET (SuperSOT-6) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6901LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INT SSOT-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6901L-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC697Ponsemi / FairchildMOSFET PCh 1.8V PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC697PFairchild SemiconductorDescription: 8A, 20V, 0.02OHM, P-CHANNEL MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3524 pF @ 10 V
на замовлення 69811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+84.06 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC697P-NLFAIRCHILD
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC697P/.697FAIR
на замовлення 282000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC697P_F077onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3524 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC697P_F077onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3524 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC699PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC699P - MOSFET, P, SMD, FLMP, SSOT-6
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: Unknown
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: Unknown
на замовлення 4762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC699PON SemiconductorFDC699P
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
464+76.29 грн
515+68.67 грн
1000+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC699Ponsemi / FairchildMOSFET P-Channel 2.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC699PON SemiconductorFDC699P
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
464+76.29 грн
515+68.67 грн
1000+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC699PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 7A SUPERSOT6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 10 V
на замовлення 4762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+41.36 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC699P-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC699P_F077onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC7250066C-81001BCorning FDC Stbd Hdwr Rack Mount FDC-C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC72C65LJPSMSCDescription: FLOPPY DISK CONTROLLER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+766.25 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC72C65PSMSCDescription: FLOPPY DISK CONTROLLER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+527.09 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC765SMCPLCC44
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC765ASMSCDescription: FLOPPY DISK CONTROLLER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+588.56 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC765ALJPSMSCDescription: FLOPPY DISK CONTROLLER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+332.02 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC765ALJTMCBSMSCDescription: FLOPPY DISK CONTROLLER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC765APSMSCDescription: FLOPPY DISK CONTROLLER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+332.02 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC796NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A SUPERSOT6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1444 pF @ 15 V
на замовлення 983985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC796Nonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC796N-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC796N/.796FAIR
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC796N_F077onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1444 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC796N_Qonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC855NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC855NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.20 грн
9000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC855NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.93 грн
27+28.67 грн
100+20.78 грн
500+15.51 грн
1000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC855NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+46.20 грн
408+34.73 грн
518+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC855NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1300+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC855NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.68 грн
23+33.93 грн
25+33.59 грн
50+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC855NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
496+28.57 грн
711+19.90 грн
778+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 496 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC855NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC855NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC855N - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0207OHM, 6.1A, SUPERSOT-6
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.6
Bauform - Transistor: SuperSOT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0207
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC855NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC855NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+28.67 грн
681+20.78 грн
880+16.09 грн
1000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC855NFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
на замовлення 5201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
861+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 861 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC855NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.58 грн
100+35.01 грн
500+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC855NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.21 грн
9000+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC855Nonsemi / FairchildMOSFETs 30V Single NCh Logic Level PowerTrench
на замовлення 12776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC855N-NLFairchild
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8601onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 6620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.68 грн
10+81.06 грн
100+53.27 грн
500+40.78 грн
1000+38.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+129.68 грн
149+95.34 грн
203+69.95 грн
500+59.25 грн
1000+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.73 грн
10+96.11 грн
100+70.53 грн
500+59.73 грн
1000+52.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+91.96 грн
500+82.77 грн
1000+76.33 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8601onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.58 грн
6000+33.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8601onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 12033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+91.96 грн
500+82.77 грн
1000+76.33 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+140.49 грн
139+101.83 грн
200+92.69 грн
500+67.10 грн
1000+58.09 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.52 грн
10+117.37 грн
50+100.66 грн
100+80.29 грн
500+56.73 грн
3000+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602onsemiMOSFETs NCH DUAL COOL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 16109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+176.32 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 690mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC8602 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.285 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.285ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.285ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.04 грн
10+117.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 690mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
10+96.39 грн
50+72.99 грн
100+61.40 грн
500+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602onsemi / FairchildMOSFETs NCH DUAL COOL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 9092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC8602 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.285 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.285ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.285ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+47.80 грн
1000+44.08 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.