Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS016GMG-XR00Flexxon Pte LtdDescription: ROM SD 16GB MLC GOLD GRADE
Packaging: Box
Memory Size: 16GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2193.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS016GMG-XS00FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS016GMG-XS00 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 16 GB
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 16GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
SVHC: To Be Advised
Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: X-Mask Series
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS016GMG-XS00Flexxon Pte LtdDescription: X-MASK SD 16GB MLC GOLD GRADE
Packaging: Box
Memory Size: 16GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1988.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS016GPE-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 16GB PSLC
Packaging: Tray
Memory Size: 16GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3643.19 грн
10+3240.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS016GPG-N200Flexxon Pte LtdDescription: FXPREM II SD 16GB PSLC GOLD GRAD
Packaging: Tray
Memory Size: 16GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3530.58 грн
10+3153.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS016GSE-N200Flexxon Pte LtdDescription: FXPREM II SD 16GB SLC DIAMOND GR
Packaging: Tray
Memory Size: 16GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: SLC
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19121.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS016GSE-N200FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS016GSE-N200 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 16 GB, UHS-I U1
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 16GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
SVHC: To Be Advised
Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte
UHS-Standard: UHS-I U1
Produktpalette: FxPrem II Series
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0300SonsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 10518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0300SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8705 pF @ 15 V
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.08 грн
10+105.67 грн
100+72.32 грн
500+54.45 грн
1000+50.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0300Sonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 12020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0300SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8705 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0302SON Semiconductor / FairchildMOSFET PT8 30V/20V NCH ERTREN
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0302SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 29A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0302SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 29A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0306ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 26A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.17 грн
6000+36.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0306ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 26A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0306ASonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0306ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 26A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 15 V
на замовлення 11946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.07 грн
10+75.98 грн
100+53.23 грн
500+42.24 грн
1000+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0306ASonsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0306ASONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 59W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0306SFairchild SemiconductorDescription: 1-ELEMENT, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 1158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0306SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0306S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308ASonsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
784+45.22 грн
Мінімальне замовлення: 784 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0308AS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
784+45.22 грн
Мінімальне замовлення: 784 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
на замовлення 6764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.42 грн
10+56.31 грн
100+37.32 грн
500+27.36 грн
1000+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308ASONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 50W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308ASonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 8590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308AS-NConsemiMOSFETs PT8 N 30/20 SYNCFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308CSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4225 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+104.64 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308CSONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0308CS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 241 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0309ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
на замовлення 38973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.31 грн
10+54.15 грн
100+35.80 грн
500+26.21 грн
1000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0309ASonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0309ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.00 грн
6000+20.52 грн
9000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0309ASonsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06BonsemiMOSFETs NCh 80V 120A 5.3mOhm PowerTrench MOSFET
на замовлення 8479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+158.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06BONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06BFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100, Ciss, пФ @ Uds, В = 7560 @ 30, Qg, нКл = 75 @ 10 В, Rds = 3 мОм, Ugs(th) = 4,5, Р, Вт = 104, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+248.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06BONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS030N06B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+196.09 грн
500+186.64 грн
1000+176.01 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06BonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 30 V
на замовлення 3596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.05 грн
10+219.57 грн
50+171.56 грн
100+146.50 грн
500+128.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22.1A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+157.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06BonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+116.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06BONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS030N06B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.24 грн
6000+23.46 грн
9000+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310ASonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 9135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.90 грн
6000+32.63 грн
9000+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310ASonsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V
на замовлення 14997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+52.65 грн
100+36.50 грн
500+29.68 грн
1000+25.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
509+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 509 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0310S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 42 A, 0.004 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310SON Semiconductor / FairchildMOSFET PT8 30V/20V NCH ERTR EN
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312ASonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 15 V
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.24 грн
6000+15.31 грн
9000+14.65 грн
15000+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312ASonsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 4430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 18A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 15 V
на замовлення 331818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+41.96 грн
100+27.46 грн
500+19.89 грн
1000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0312S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1259+28.15 грн
10000+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 1259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312Sonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312SFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1229+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 1229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+42.11 грн
100+27.54 грн
500+19.95 грн
1000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312SonsemiMOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
на замовлення 6003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 90A; 46W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 46W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1259+28.15 грн
10000+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 1259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1259+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 1259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032G-CA0FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS032G-CA0 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 32 GB, UHS-I U1
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 32GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
SVHC: To Be Advised
Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte
UHS-Standard: UHS-I U1
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GBE-3201Flexxon Pte LtdDescription: FXADV II SD 32GB 3D TLC DIAMOND
Packaging: Tray
Memory Size: 32GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: TLC
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3456.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GBG-3201Flexxon Pte LtdDescription: FXADV II SD 32GB 3D TLC GOLD GRA
Packaging: Tray
Memory Size: 32GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: TLC
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2503.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GBG-XR00FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS032GBG-XR00 - Flash-Speicherkarte, SD-Karte, 32 GB
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 32GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
SVHC: To Be Advised
Flash-Speicherkarte: SD-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GBG-XS00FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS032GBG-XS00 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 32 GB
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 32GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
SVHC: To Be Advised
Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: X-Mask Series
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GCE-3201Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 32GB PSLC
Packaging: Tray
Memory Size: 32GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3680.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GCG-3201FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS032GCG-3201 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 32 GB, UHS-I U1
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Speicherkapazität: 32GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte
UHS-Standard: UHS-I U1
Produktpalette: FxAdv II Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GCG-3201Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 32GB PSLC
Packaging: Tray
Memory Size: 32GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3602.80 грн
10+3203.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GMC-XE00FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS032GMC-XE00 - Flash-Speicherkarte, MicroSD-Karte, 32 GB
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 32GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: -
Betriebstemperatur, min.: -
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
SVHC: To Be Advised
Flash-Speicherkarte: MicroSD-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: -
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GMC-XE00Flexxon Pte LtdDescription: WORM SD 32GB MLC COMMERCIAL GRAD
Packaging: Tray
Memory Size: 32GB
Memory Type: SD™
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3657.94 грн
10+3252.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GME-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 32GB MLC
Packaging: Tray
Memory Size: 32GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4043.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GME-XE00Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 32GB MLC
Packaging: Tray
Memory Size: 32GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6956.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GME-XR00Flexxon Pte LtdDescription: ROM SD 32GB MLC DIAMOND GRADE
Packaging: Tray
Memory Size: 32GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4361.57 грн
10+3876.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GME-XS00Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 32GB MLC
Packaging: Tray
Memory Size: 32GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3569.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GMG-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 32GB MLC
Packaging: Tray
Memory Size: 32GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2619.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GMG-XE00Flexxon Pte LtdDescription: WORM SD 32GB MLC GOLD GRADE
Packaging: Tray
Memory Size: 32GB
Memory Type: SD™
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8897.11 грн
10+7895.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GMG-XR00Flexxon Pte LtdDescription: ROM SD 32GB MLC GOLD GRADE
Packaging: Box
Memory Size: 32GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3647.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GMG-XS00Flexxon Pte LtdDescription: X-MASK SD 32GB MLC GOLD GRADE
Packaging: Box
Memory Size: 32GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3647.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.