Продукція > FDM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS004N08C | onsemi | MOSFETs 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS004N08C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 126A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 40 V | на замовлення 2561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS007N08LC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS007N08LC | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 53A; Idm: 345A; 92.6W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 53A Pulsed drain current: 345A Power dissipation: 92.6W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS007N08LC | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0067 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 92.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 92.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm | на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS007N08LC | ON Semiconductor | на замовлення 2890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDMS007N08LC | onsemi | MOSFETs PTNG 80/20V IN 5X6 | на замовлення 3905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS007N08LC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 14A/84A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 92.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V | на замовлення 2916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS007N08LC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS007N08LC | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0067 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 92.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm | на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS007N08LC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 14A/84A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 92.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS008G-CA0 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 8GB UHS CLASS 1 Packaging: Tray Memory Size: 8GB Speed: UHS Class 1 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Part Status: Active | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS008G-CA0 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS008G-CA0 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 8 GB, UHS-I U1 tariffCode: 85235110 rohsCompliant: YES Video-Geschwindigkeitsklasse: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkapazität: 8GB isCanonical: Y usEccn: 5A992.c Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Betriebstemperatur, min.: -25°C Standard-Geschwindigkeitsklasse: - euEccn: NLR Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte UHS-Standard: UHS-I U1 Produktpalette: - productTraceability: No Anwendungsleistungsklasse: - Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS008GBC-3100 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 8GB UHS CLASS 1 TLC Packaging: Tray Memory Size: 8GB Speed: UHS Class 1 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: TLC Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS008GMC-1000 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 8GB UHS CLASS 1 MLC Packaging: Tray Memory Size: 8GB Speed: UHS Class 1 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS008GMC-XE00 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS008GMC-XE00 - Flash-Speicherkarte, MicroSD-Karte, 8 GB, Klasse 10 tariffCode: 85235110 rohsCompliant: YES Video-Geschwindigkeitsklasse: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkapazität: 8GB isCanonical: Y usEccn: 5A992.c Versorgungsspannung, nom.: - Betriebstemperatur, min.: - Standard-Geschwindigkeitsklasse: Klasse 10 euEccn: NLR Flash-Speicherkarte: MicroSD-Karte UHS-Standard: - Produktpalette: - productTraceability: No Anwendungsleistungsklasse: - Betriebstemperatur, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS008GMC-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: WORM SD 8GB MLC COMMERCIAL GRADE Part Status: Active Memory Type: SD™ Memory Size: 8GB Packaging: Tray | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS008GME-1004 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 8GB UHS CLASS 1 MLC Packaging: Tray Memory Size: 8GB Speed: UHS Class 1 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS008GME-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEMORY CARD SD 8GB MLC Packaging: Tray Memory Size: 8GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS008GME-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEMORY CARD SD 8GB MLC Part Status: Active Technology: MLC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 8GB Packaging: Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS008GME-XR00 | Flexxon Pte Ltd | Description: ROM SD 8GB MLC DIAMOND GRADE Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 8GB Packaging: Tray Part Status: Active | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS008GME-XS00 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEMORY CARD SD 4GB MLC Packaging: Tray Part Status: Active Technology: MLC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 4GB | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS008GMG-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEMORY CARD SD 8GB MLC Packaging: Tray Memory Size: 8GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS008GMG-N200 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS008GMG-N200 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, Klasse 10, 8 GB, -25 °C, 85 °C, FxPrem II Series tariffCode: 85235110 Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte, Klasse 10 productTraceability: No rohsCompliant: YES Speicherkapazität: 8GB Versorgungsspannung, nom.: - euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Betriebstemperatur, min.: -25°C Betriebstemperatur, max.: 85°C usEccn: EAR99 Produktpalette: FxPrem II Series SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS008GMG-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: WORM SD 8GB MLC GOLD GRADE Part Status: Active Technology: MLC Memory Type: SD™ Memory Size: 8GB Packaging: Tray | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS008GMG-XR00 | Flexxon Pte Ltd | Description: ROM SD 8GB MLC GOLD GRADE Part Status: Active Technology: MLC Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 8GB Packaging: Box | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS008GMG-XR00 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS008GMG-XR00 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 8 GB tariffCode: 85235110 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Video-Geschwindigkeitsklasse: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkapazität: 8GB isCanonical: Y Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Betriebstemperatur, min.: -25°C Standard-Geschwindigkeitsklasse: - SVHC: To Be Advised Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte UHS-Standard: - Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 5A992.c Anwendungsleistungsklasse: - Betriebstemperatur, max.: 85°C | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS008GMG-XS00 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS008GMG-XS00 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 8 GB tariffCode: 85235110 rohsCompliant: YES Video-Geschwindigkeitsklasse: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkapazität: 8GB isCanonical: Y usEccn: 5A992.c Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Betriebstemperatur, min.: -25°C Standard-Geschwindigkeitsklasse: - euEccn: NLR Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte UHS-Standard: - Produktpalette: X-Mask Series productTraceability: No Anwendungsleistungsklasse: - Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS008GMG-XS00 | Flexxon Pte Ltd | Description: X-MASK SD 8GB MLC GOLD GRADE Part Status: Active Technology: MLC Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 8GB Packaging: Box | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS008GPE-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: FXPREM II SD 8GB PSLC DIAMOND GR Packaging: Tray Memory Size: 8GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: pSLC Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS008GPG-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEMORY CARD SD 8GB PSLC Packaging: Tray Memory Size: 8GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: pSLC Part Status: Active | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS008GSE-1001 | Flexxon Pte Ltd | Description: FXPRO I SD 8GB SLC DIAMOND GRADE Packaging: Tray Memory Size: 8GB Speed: UHS Class 1 Memory Type: FLASH Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: SLC Part Status: Active | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS008GSE-1004 | Flexxon Pte Ltd | Description: FXPRO I (HIGHIOPS) SD 8GB SLC DI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS008GSE-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: FXPREM II SD 8GB SLC DIAMOND GRA Packaging: Tray Memory Size: 8GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: SLC Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS015N04B | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 31.3A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8725 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS015N04B | ON Semiconductor | FDMS015N04B ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 31.3A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com | на замовлення 11670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS015N04B | ON Semiconductor | FDMS015N04B ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 31.3A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS015N04B | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 31.3A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8725 pF @ 20 V | на замовлення 2956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS015N04B | ONN | на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDMS015N04B | onsemi | MOSFETs NCh40V100A,1.5m ohms PowerTrench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS016G-CA0 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 16GB UHS CLASS 1 Part Status: Active Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Speed: UHS Class 1 Memory Size: 16GB Packaging: Tray | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS016G-CA0 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS016G-CA0 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 16 GB, UHS-I U1 tariffCode: 85235110 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Video-Geschwindigkeitsklasse: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkapazität: 16GB isCanonical: Y Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Betriebstemperatur, min.: -25°C Standard-Geschwindigkeitsklasse: - SVHC: To Be Advised Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte UHS-Standard: UHS-I U1 Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 5A992.c Anwendungsleistungsklasse: - Betriebstemperatur, max.: 85°C | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS016GBC-3100 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 16GB UHS CLASS 1 TLC Part Status: Active Technology: TLC Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Speed: UHS Class 1 Memory Size: 16GB Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS016GCE-3201 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 16GB PSLC Memory Type: SD™ Memory Size: 16GB Packaging: Tray Part Status: Active Technology: pSLC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS016GCG-3201 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 16GB PSLC Packaging: Tray Memory Size: 16GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: pSLC Part Status: Active | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS016GMC-XE00 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS016GMC-XE00 - Flash-Speicherkarte, MicroSD-Karte, 16 GB tariffCode: 85235110 Flash-Speicherkarte: MicroSD-Karte productTraceability: No rohsCompliant: YES Speicherkapazität: 16GB Versorgungsspannung, nom.: - euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, min.: - Betriebstemperatur, max.: - usEccn: 5A992.c Produktpalette: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS016GMC-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: WORM SD 16GB MLC COMMERCIAL GRAD Part Status: Active Memory Type: SD™ Memory Size: 16GB Packaging: Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS016GME-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: FXPREM II SD 16GB MLC DIAMOND GR Packaging: Tray Memory Size: 16GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS016GME-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: WORM SD 16GB MLC DIAMOND GRADE Packaging: Tray Memory Size: 16GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS016GME-XR00 | Flexxon Pte Ltd | Description: ROM SD 16GB MLC DIAMOND GRADE Packaging: Tray Memory Size: 16GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS016GME-XS00 | Flexxon Pte Ltd | Description: X-MASK SD 16GB MLC DIAMOND GRADE Packaging: Tray Memory Size: 16GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS016GMG-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: FXPREM II SD 16GB MLC GOLD GRADE Part Status: Active Technology: MLC Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 16GB Packaging: Tray | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS016GMG-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: WORM SD 16GB MLC GOLD GRADE Part Status: Active Technology: MLC Memory Type: SD™ Memory Size: 16GB Packaging: Tray | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS016GMG-XR00 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS016GMG-XR00 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 16 GB tariffCode: 85235110 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Video-Geschwindigkeitsklasse: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkapazität: 16GB isCanonical: Y Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Betriebstemperatur, min.: -25°C Standard-Geschwindigkeitsklasse: - SVHC: To Be Advised Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte UHS-Standard: - Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 5A992.c Anwendungsleistungsklasse: - Betriebstemperatur, max.: 85°C | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS016GMG-XR00 | Flexxon Pte Ltd | Description: ROM SD 16GB MLC GOLD GRADE Part Status: Active Technology: MLC Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 16GB Packaging: Box | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS016GMG-XS00 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS016GMG-XS00 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 16 GB tariffCode: 85235110 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Video-Geschwindigkeitsklasse: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkapazität: 16GB isCanonical: Y Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Betriebstemperatur, min.: -25°C Standard-Geschwindigkeitsklasse: - SVHC: To Be Advised Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte UHS-Standard: - Produktpalette: X-Mask Series productTraceability: No usEccn: 5A992.c Anwendungsleistungsklasse: - Betriebstemperatur, max.: 85°C | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS016GMG-XS00 | Flexxon Pte Ltd | Description: X-MASK SD 16GB MLC GOLD GRADE Packaging: Box Memory Size: 16GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS016GPE-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 16GB PSLC Packaging: Tray Memory Size: 16GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: pSLC Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS016GPG-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: FXPREM II SD 16GB PSLC GOLD GRAD Part Status: Active Technology: pSLC Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 16GB Packaging: Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS016GSE-N200 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS016GSE-N200 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 16 GB, UHS-I U1 tariffCode: 85235110 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Video-Geschwindigkeitsklasse: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkapazität: 16GB isCanonical: Y Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Betriebstemperatur, min.: -40°C Standard-Geschwindigkeitsklasse: - SVHC: To Be Advised Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte UHS-Standard: UHS-I U1 Produktpalette: FxPrem II Series productTraceability: No usEccn: 5A992.c Anwendungsleistungsklasse: - Betriebstemperatur, max.: 85°C | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS016GSE-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: FXPREM II SD 16GB SLC DIAMOND GR Part Status: Active Technology: SLC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 16GB Packaging: Tray | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS0300S | onsemi | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET | на замовлення 12020 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS0300S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 31A/49A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8705 pF @ 15 V | на замовлення 2905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS0300S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 31A/49A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8705 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS0300S | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET | на замовлення 12020 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS0302S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 29A/49A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 49A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS0302S | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET PT8 30V/20V NCH ERTREN | на замовлення 2764 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS0302S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 29A/49A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 49A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS0306AS | onsemi | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET | на замовлення 253 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS0306AS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 26A/49A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 15 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS0306AS | FAIRCHILD | QFN | на замовлення 629 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS0306AS | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 49A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 59W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 57nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS0306AS | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET | на замовлення 1901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS0306AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 26A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS0306AS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 26A/49A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 15 V | на замовлення 11946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS0306S | Fairchild Semiconductor | Description: 1-ELEMENT, N-CHANNEL Packaging: Bulk | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS0306S | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS0306S - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS0308AS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS0308AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS0308AS | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS0308AS - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS0308AS | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 50W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 49A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 50W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS0308AS | onsemi | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET | на замовлення 4390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS0308AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS0308AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS0308AS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V | на замовлення 6764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS0308AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS0308AS | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET | на замовлення 8590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS0308AS | FAIRCHILD | QFN | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS0308AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS0308CS | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4225 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS0308CS | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS0308CS - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 14783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS0309AS | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET | на замовлення 4025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS0309AS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V | на замовлення 38973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS0309AS | onsemi | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET | на замовлення 4025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS0309AS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS030N06B | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 22.1A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS030N06B | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 22.1A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS030N06B | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS030N06B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm | на замовлення 2586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS030N06B | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 22.1A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS030N06B | Fairchild/ON Semiconductor | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100, Ciss, пФ @ Uds, В = 7560 @ 30, Qg, нКл = 75 @ 10 В, Rds = 3 мОм, Ugs(th) = 4,5, Р, Вт = 104, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|

