Продукція > IPL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPL60R360P6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 11.3A ThinPAK 5x6 | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R360P6SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R | на замовлення 3792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R360P6SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89.3W Bauform - Transistor: SMD Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R360P6SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 89.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V | на замовлення 5930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R365P7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 10A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R365P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R365P7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R365P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.31 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R365P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R365P7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R365P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.31 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R365P7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 10A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V | на замовлення 1272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R365P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 4532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R385CP | Infineon Technologies | Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-VSON-4-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 176 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R385CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP | на замовлення 2084 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R385CPAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R385CPAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 9A 4-Pin VSON T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R385CPAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R385CPAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R385CPAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 9A 4-Pin VSON T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R385CPAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON Packaging: Bulk Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V | на замовлення 52754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R385CPAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-VSON-4 Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.385Ω Drain current: 9A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 83W Drain-source voltage: 600V Technology: CoolMOS™ CP Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-VSON-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R385CPAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 9A 4-Pin VSON T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R650P6SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6.7A 8THINPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R650P6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 6.7A ThinPAK 5x6 | на замовлення 4840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R650P6SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6.7A 8THINPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65 | Hammond Manufacturing | Electrical Enclosure Accessories IME PLINTH 600X500 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R065CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R065CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R070C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R070C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R070C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 1390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R070C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 1390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R070C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 169W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 28A Power dissipation: 169W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R070C7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 169W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R070C7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 169W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 100 V | на замовлення 3137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R070C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 1717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R070C7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 169W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R070C7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-VSON-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA Power Dissipation (Max): 169W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R070C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R095CFD7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL65R095CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.068 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 171W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm | на замовлення 8721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R095CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-VSON-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 12.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R095CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 29A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R095CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 29A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 1441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R095CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 1514 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R095CFD7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL65R095CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.068 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2A - 4 Wochen Verlustleistung Pd: 171W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 171W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm | на замовлення 8721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R095CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-VSON-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 12.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R095CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 29A 4-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R099C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R099C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 21A Power dissipation: 128W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R099C7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL65R099C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.088 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 128W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm | на замовлення 2556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R099C7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5.9A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V | на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R099C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R099C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R099C7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL65R099C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.088 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 128W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm | на замовлення 2556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R099C7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5.9A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R099C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21A 4-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R115CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V | на замовлення 2838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R115CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R115CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R115CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R130C7 | Infineon Technologies | MOSFETs 650V CoolMOS C7 Power Trans; 130mOhm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R130C7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R130C7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL65R130C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.115 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 102W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 73 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R130C7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-VSON-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA Power Dissipation (Max): 102W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R130C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 4-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R130C7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL65R130C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.115 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 102W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R130C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 102W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 15A Power dissipation: 102W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R130C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 15A VSON-4 | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R130C7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 102W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R130C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R130C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R130CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R130CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R130CFD7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL65R130CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.13 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2A - 4 Wochen Verlustleistung Pd: 127W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 127W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.101ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm | на замовлення 3301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R130CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-VSON-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 8.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R130CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 1442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R130CFD7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL65R130CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.13 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 127W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm | на замовлення 3301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R130CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21A 4-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R130CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-VSON-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 8.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R160CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-VSON-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R160CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 4475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R160CFD7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL65R160CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.132 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2A - 4 Wochen Verlustleistung Pd: 98W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 98W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.132ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm | на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R160CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-VSON-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V | на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R160CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 2017 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R160CFD7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL65R160CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.132 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 98W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm | на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R160CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R165CFD | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_LEGACY | на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R165CFDAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R165CFDAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21.3A 4-Pin VSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 13894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R165CFDAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 4VSON | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R165CFDAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21.3A 4-Pin VSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 13124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R165CFDAUMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21.3A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 5748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R165CFDAUMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R165CFDAUMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21.3A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 679840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL65R165CFDAUMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21.3A 4-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R165CFDAUMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R190E6AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R190E6AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R190E6AUMA1938 | Infineon Technologies | Description: IPL65R190 - 650V AND 700V COOLMO Packaging: Bulk Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA Supplier Device Package: PG-VSON-4-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R195C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL65R195C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|