Продукція > IPL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPL60R185CFD7INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 85W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 85W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.346Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 14A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185CFD7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.22 грн
500+167.36 грн
1000+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185CFD7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R185CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.185 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+160.01 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 14A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.58 грн
10+165.30 грн
50+127.63 грн
100+108.36 грн
500+88.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.22 грн
500+167.36 грн
1000+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185CFD7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R185CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.185 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185CFD7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.74 грн
10+190.08 грн
100+145.28 грн
500+118.41 грн
1000+106.71 грн
3000+101.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185P7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185P7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 19A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185P7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 19A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 19A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185P7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; 81W; VSON4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Power dissipation: 81W
Case: VSON4
On-state resistance: 0.149Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185P7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 19A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.74 грн
10+140.77 грн
50+107.98 грн
100+91.41 грн
500+74.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R199CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R199CPAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16.4A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
на замовлення 9783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.69 грн
10+193.68 грн
50+150.44 грн
100+128.11 грн
500+108.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R199CPAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R199CPAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16.4 A, 0.18 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R199CPAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 16.4A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R199CPAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16.4A; 139W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16.4A
Power dissipation: 139W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R199CPAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16.4A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R1K5C6SInfineon TechnologiesInfineon LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R1K5C6SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 26.6W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesIPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com
на замовлення 82784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
581+60.96 грн
1000+56.23 грн
10000+50.12 грн
Мінімальне замовлення: 581 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesIPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com
на замовлення 13543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
581+60.96 грн
1000+56.23 грн
10000+50.12 грн
Мінімальне замовлення: 581 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesIPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
581+60.96 грн
1000+56.23 грн
Мінімальне замовлення: 581 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 3A ThinPAK 5x6
на замовлення 13757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesIPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com
на замовлення 4254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
581+60.96 грн
1000+56.23 грн
Мінімальне замовлення: 581 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER PRICE/PERFORM
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+105.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER PRICE/PERFORM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+105.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.11 грн
10+214.42 грн
100+153.43 грн
500+121.19 грн
1000+110.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19.2A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R210P6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19.2 A, 0.21 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.96 грн
10+159.26 грн
50+122.71 грн
100+104.13 грн
500+84.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 11040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+177.97 грн
500+160.29 грн
1000+147.33 грн
10000+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R225CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 13434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.79 грн
500+159.11 грн
1000+147.33 грн
10000+126.15 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R225CFD7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R225CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.189 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R225CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A VSON-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R225CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.79 грн
500+159.11 грн
1000+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R225CFD7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R225CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.79 грн
500+159.11 грн
1000+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R225CFD7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R225CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.189 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.189ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R255P6AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 15.9A 4VSON
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 530µA
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R255P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 15.9A 5-Pin Thin-PAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
10000+113.54 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R255P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 15.9A 5-Pin Thin-PAK T/R
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R255P6AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER PRICE/PERFORM
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R255P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 15.9A 5-Pin Thin-PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R255P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 15.9A 5-Pin Thin-PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R255P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 15.9A 5-Pin Thin-PAK T/R
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R285P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 15952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+140.26 грн
500+126.11 грн
1000+116.41 грн
10000+100.09 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R285P7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R285P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.218 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 59W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R285P7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 59W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 59W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Version: ESD
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R285P7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.41 грн
10+132.62 грн
50+101.47 грн
100+85.81 грн
500+69.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R285P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R285P7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R285P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.218 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 59W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R285P7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R285P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 5350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.64 грн
10+162.57 грн
100+116.86 грн
500+95.32 грн
1000+82.92 грн
3000+75.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R285P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 5350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.26 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R285P7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R299CPInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 11.1A ThinPAK-4 CoolMOS CP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R299CPAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11.1A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 4873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+163.83 грн
500+154.40 грн
1000+146.15 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R299CPAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11.1A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+163.83 грн
500+154.40 грн
1000+146.15 грн
10000+132.97 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R299CPAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Bulk
на замовлення 91329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+125.42 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R299CPAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11.1A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+163.83 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R299CPAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11.1A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+163.83 грн
500+154.40 грн
1000+146.15 грн
10000+132.97 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R299CPAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11.1A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 36886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+163.83 грн
500+154.40 грн
1000+146.15 грн
10000+132.97 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R299CPAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.1A; 96W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 96W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R299CPAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R299CPAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11.1A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+163.83 грн
500+154.40 грн
1000+146.15 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R2K1C6SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 2.3A ThinPAK 5x6
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R2K1C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.64 грн
1000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R2K1C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.64 грн
1000+37.48 грн
10000+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R2K1C6SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.3A; 21.6W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 21.6W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R2K1C6SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 21.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 176342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R2K1C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 4098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R2K1C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 141342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.64 грн
1000+37.48 грн
10000+33.42 грн
100000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R2K1C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 4098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R2K1C6SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 21.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R2K1C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.64 грн
1000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
354+99.99 грн
500+90.00 грн
1000+83.00 грн
Мінімальне замовлення: 354 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 147812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
354+99.99 грн
500+90.00 грн
1000+83.00 грн
10000+71.36 грн
100000+55.35 грн
Мінімальне замовлення: 354 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 11.3A ThinPAK 5x6
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 21617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
354+99.99 грн
500+90.00 грн
1000+83.00 грн
10000+71.36 грн
Мінімальне замовлення: 354 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 43084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
354+99.99 грн
500+90.00 грн
1000+83.00 грн
10000+71.36 грн
Мінімальне замовлення: 354 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R365P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]