Продукція > SCT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCTH2010-2R7 | Signal Transformer | Description: FIXED IND 2.7UH 720MA 245 MOHM Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 245mOhm Max Current - Saturation (Isat): 720mA Inductance Frequency - Test: 100 kHz Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 2.7 µH Current Rating (Amps): 720 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH2010-3R3 | Signal Transformer | Description: FIXED IND 3.3UH 680MA 265 MOHM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH2010-4R7 | Signal Transformer | Description: FIXED IND 4.7UH 590MA 350 MOHM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH2010-6R8 | Signal Transformer | Description: FIXED IND 6.8UH 480MA 515 MOHM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH2010-R56 | Signal Transformer | Description: FIXED IND 560NH 1.52A 70 MOHM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH226K35 | NTE Electronics, Inc | Description: CAP TANT 22UF 10% 35V 2917 | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH35N65G2V-7 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 208W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH35N65G2V-7 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 208W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 45A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 208W Case: H2PAK7 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 67mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH35N65G2V-7 | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ 45 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH35N65G2V-7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH35N65G2V-7 | STMicroelectronics | Description: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: H2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V | на замовлення 1254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCTH35N65G2V-7 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 208W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH35N65G2V-7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCTH35N65G2V-7 | STMicroelectronics | Description: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: H2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCTH35N65G2V-7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCTH35N65G2V-7AG | STMicroelectronics | Description: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): +22V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Grade: Automotive Supplier Device Package: H2PAK-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH35N65G2V-7AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 208W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 208W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm | на замовлення 927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH35N65G2V-7AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH35N65G2V-7AG | STMicroelectronics | Description: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: H2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCTH35N65G2V-7AG | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25 | на замовлення 172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH35N65G2V-7AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 208W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm | на замовлення 927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH40N120G2V-7 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCTH40N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 238W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH40N120G2V-7 | STMicroelectronics | Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +22V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Part Status: Active Supplier Device Package: H2PAK-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH40N120G2V-7 | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an H2PAK-7 package | на замовлення 715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH40N120G2V-7 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCTH40N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 238W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 238W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH40N120G2V-7 | STMicroelectronics | Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +22V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Part Status: Active Supplier Device Package: H2PAK-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH40N120G2V7AG | STMicroelectronics | Description: SICFET N-CH 1200V 33A H2PAK-7 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +22V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Part Status: Active Supplier Device Package: H2PAK-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH40N120G2V7AG | STMicroelectronics | MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH40N120G2V7AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH40N120G2V7AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R | на замовлення 201000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCTH40N120G2V7AG | STMicroelectronics | Description: SICFET N-CH 1200V 33A H2PAK-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: H2PAK-7 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH40N120G2V7AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH40N120G2V7AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R | на замовлення 201000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCTH476K20 | NTE Electronics, Inc | Description: CAP TANT 47UF 10% 20V 2917 Tolerance: ±10% Features: General Purpose Packaging: Bag Package / Case: 2917 (7343 Metric) Size / Dimension: 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Molded Operating Temperature: -55°C ~ 85°C Manufacturer Size Code: H Height - Seated (Max): 0.169" (4.30mm) Capacitance: 47 µF Voltage - Rated: 20 V | на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCTH50N120-7 | STMicroelectronics | Description: SICFET N-CH 1200V 65A H2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Supplier Device Package: H2PAK-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 40A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +22V, -10V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH50N120-7 | STMicroelectronics | MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ TJ = 150 C) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH60N120G2-7 | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH60N120G2-7 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCTH60N120G2-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 390W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH60N120G2-7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH60N120G2-7 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCTH60N120G2-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 390W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 390W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH60N120G2-7 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 177A; 390W Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 60A On-state resistance: 52mΩ Power dissipation: 390W Gate charge: 94nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...22V Kind of package: reel; tape Case: H2PAK7 Mounting: SMD Pulsed drain current: 177A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH60N120G2-7 | STMicroelectronics | Description: SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: H2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH625 | DMC Tools | Hand Tools SAFE-T-CABLE TOOL, HYD. .062", 5" NOSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH686K20 | NTE Electronics, Inc | Description: CAP TANT 68UF 10% 20V 2917 | на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH70N120G2V-7 | STMicroelectronics | Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +22V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Supplier Device Package: H2PAK-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA Power Dissipation (Max): 469W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH70N120G2V-7 | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 90 A, 21 mOhm (typ. TJ = 25 C) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH70N120G2V-7 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCTH70N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 469W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 469W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH70N120G2V-7 | STMicroelectronics | Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +22V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Supplier Device Package: H2PAK-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA Power Dissipation (Max): 469W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH70N120G2V-7 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCTH70N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 469W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH90N65G2V-7 | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 116 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 °C) in an | на замовлення 13945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH90N65G2V-7 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCTH90N65G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 116 A, 650 V, 0.018 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 484W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH90N65G2V-7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH90N65G2V-7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH90N65G2V-7 | STMicroelectronics | Description: SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: H2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH90N65G2V-7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R | на замовлення 4098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCTH90N65G2V-7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH90N65G2V-7 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCTH90N65G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 116 A, 650 V, 0.018 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 484W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTH90N65G2V-7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R | на замовлення 4098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCTH90N65G2V-7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCTH90N65G2V-7 | STMicroelectronics | Description: SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: H2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V | на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCTH90N65G2V-7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTHC250N120G3AG | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTHJ2505M2R7YA000 | KEMET | Supercapacitors / Ultracapacitors 2.7V 25F Max Temp 85 C 30% Radial | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTHJ2505M2R7YC000 | KEMET | Supercapacitors / Ultracapacitors 2.7V 25F Max Temp 85 C 30% Radial | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTHN62-5 | DMC Tools | Cable Mounting & Accessories NOSE ASSEMBLY - 5 INCH, .062 HYD. SCT | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTHP3005M2R7YA000 | KEMET | Supercapacitors / Ultracapacitors 2.7V 30F Max Temp 85 C 30% Radial | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1320 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTHP3005M2R7YC000 | KEMET | Supercapacitors / Ultracapacitors 2.7V 30F Max Temp 85 C 30% Radial | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1320 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTKP20 | Schneider Electric | Description: CSED TUNNEL KIT FOR OH ON 20SPAC Accessory Type: Mounting Kit For Use With/Related Products: Circuit Breakers Packaging: Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTL35N65G2V | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac | на замовлення 2309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTL35N65G2V | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCTL35N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.045 ohm, PowerFLAT HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: PowerFLAT HV Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTL35N65G2V | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 40A; Idm: 160A; 417W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 417W Case: PowerFLAT 8x8 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 67mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTL35N65G2V | STMicroelectronics | Description: TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V | на замовлення 5630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCTL35N65G2V | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCTL35N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.045 ohm, PowerFLAT HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 417W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: PowerFLAT HV Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTL35N65G2V | STMicroelectronics | Description: TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCTL55 | Carlo Gavazzi Inc. | Description: IO LINK SMART CONFIGURATOR | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTL55 | CARLO GAVAZZI | Description: CARLO GAVAZZI - SCTL55 - Smart-Konfigurator, IO-Link-Device, 5.5", Polycarbonat Produktpalette: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTL55 | Carlo Gavazzi | Sensor Fixings & Accessories SCTL55 SMART IO-LINK CONFIGURATOR | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTL90N65G2V | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCTL90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 935W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm | на замовлення 1506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTL90N65G2V | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCTL90N65G2V | STMicroelectronics | Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 18V Power Dissipation (Max): 935W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V | на замовлення 2606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCTL90N65G2V | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac | на замовлення 1301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTL90N65G2V | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCTL90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Verlustleistung Pd: 935W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 935W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm | на замовлення 1506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTL90N65G2V | STMicroelectronics | Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 18V Power Dissipation (Max): 935W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTL90N65G2V | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCTL90N65G2V | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 40A; Idm: 160A; 935W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 935W Case: PowerFLAT 8x8 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 157nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTN20-3 | DMC Tools | Cable Mounting & Accessories 3" NOSE ASSEMBLY FOR .022 S/CABLE TOOL | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTN20-5 | DMC Tools | Cable Mounting & Accessories 5" NOSE ASSEMBLY FOR .022 S/CABLE TOOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTN20-7 | DMC Tools | Cable Mounting & Accessories 7" NOSE ASSEMBLY FOR .022 S/CABLE TOOL | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTN32-1 | DMC Tools | Cable Mounting & Accessories NOSE ASSEMBLY 1" LONG FOR .032 CABLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTN32-14 | DMC Tools | Cable Mounting & Accessories 14" NOSE ASSEMBLY FOR .032 CABLE TOOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTN32-3 | DMC Tools | Cable Mounting & Accessories 3" NOSE ASSEMBLY for .032 S/CABLE TOOL | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTN32-3L | DMC Tools | Cable Mounting & Accessories 3" LOW PROFILE NOSE for .032 TOOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTN32-5 | DMC Tools | Cable Mounting & Accessories 5" NOSE ASSEMBLY for .032 S/CABLE TOOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTN32-5L | DMC Tools | Cable Mounting & Accessories 5" LOW PROFILE NOSE for .032 TOOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTN32-6 | DMC Tools | Cable Mounting & Accessories 6" NOSE ASSEMBLY for .032 S/CABLE TOOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTN32-7 | DMC Tools | Cable Mounting & Accessories 7" NOSE ASSEMBLY | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTN32-7L | DMC Tools | Cable Mounting & Accessories 7" LOW PROFILE NOSE for .032 TOOL | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTN32-9 | DMC Tools | Cable Mounting & Accessories 9" NOSE ASSEMBLY for .032 S/CABLE TOOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTN32-9L | DMC Tools | Cable Mounting & Accessories 9" LOW PROFILE NOSE for .032 TOOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCTN40-3 | DMC Tools | Cable Mounting & Accessories 3" NOSE ASSEMBLY FOR .040 S/CABLE TOOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |