Продукція > SCT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SCTW35N65G2VSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247 package
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+830.22 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTW35N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 240W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1221.48 грн
5+1068.80 грн
10+885.58 грн
50+737.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+426.23 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V
Код товару: 184678
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+830.22 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2VSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: HIP247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 73nC
Drain current: 45A
Power dissipation: 240W
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+723.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+879.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2VSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 45A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2VAGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+927.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2VAGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2VAGSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 45A HIP247
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2VAGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+927.44 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2VAGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 2
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2VAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTW35N65G2VAG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 240W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+634.05 грн
5+621.19 грн
10+608.33 грн
50+553.69 грн
100+500.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VSTMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1108.12 грн
30+659.97 грн
120+572.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+927.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+927.44 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 278W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTW40N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1641.77 грн
5+1436.85 грн
10+1190.14 грн
50+990.96 грн
100+844.48 грн
250+788.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 290W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTW40N120G2VAG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1321.94 грн
5+1263.27 грн
10+1204.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+939.79 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAGSTMAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1294.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAGSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1227.45 грн
30+733.02 грн
120+634.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1744.36 грн
10+1709.01 грн
50+1697.22 грн
600+1488.86 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+939.79 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW60N120G2STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 389W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1220.48 грн
10+837.69 грн
100+649.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW60N120G2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1401.15 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW60N120G2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 177A; 389W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 52mΩ
Kind of package: tube
Technology: SiC
Case: HIP247™
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 94nC
Power dissipation: 389W
Pulsed drain current: 177A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW60N120G2STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an HiP247 package
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW60N120G2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTW60N120G2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 389W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1358.10 грн
5+1301.04 грн
10+1243.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW60N120G2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1401.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW70N120G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW70N120G2VSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 91A
Technology: SiC
Case: HIP247™
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 547W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW70N120G2VSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW70N120G2VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTW70N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 547W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2407.61 грн
5+2287.07 грн
10+2129.56 грн
50+1831.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW70N120G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+2100.78 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW70N120G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+2109.27 грн
3000+2100.78 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW70N120G2VSTMicroelectronicsDescription: TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 547W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1852.03 грн
30+1348.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW90N65G2VSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 90A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW90N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+2012.15 грн
10+1999.89 грн
25+1960.29 грн
250+1882.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW90N65G2VSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW90N65G2VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTW90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 565W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2370.64 грн
5+2205.90 грн
10+2041.16 грн
50+1742.39 грн
100+1529.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW90N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2012.15 грн
10+1999.89 грн
25+1960.29 грн
250+1882.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA10N120STMicroelectronicsDescription: IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 20V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA (Typ)
Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA10N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+472.46 грн
32+442.41 грн
50+430.39 грн
100+408.06 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA10N120STMicroelectronicsMOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 550 mOhm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA10N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin HIP-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA20N120STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an HiP247 long leads
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+844.37 грн
10+777.42 грн
30+750.17 грн
120+703.65 грн
270+642.60 грн
510+604.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA20N120STMicroelectronicsDescription: IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 239mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+844.37 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA30N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1453.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA30N120STMicroelectronicsDescription: IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA30N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1453.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA30N120STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2VSTMicroelectronicsSiC MOSFETs 650 V 45 A 75 mOhm
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+885.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA35N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247LL
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 45
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: HiP247LL
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: Eins
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1572.66 грн
5+1479.44 грн
10+1385.42 грн
50+1261.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+885.57 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2VSTMicroelectronicsDescription: TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+895.79 грн
30+522.89 грн
120+448.56 грн
510+406.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2V-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA35N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 240W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+994.87 грн
5+848.61 грн
10+701.55 грн
50+599.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2V-4STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+962.44 грн
10+650.84 грн
100+495.33 грн
600+446.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+784.59 грн
10+748.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2V-4STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247-4 package
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2V-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 240W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+748.85 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2V-4STMicroelectronics
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2VAGSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 45A TO247
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2VAGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ TJ = 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N120G2VSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N120G2VSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N120G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N120G2V-4STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N120G2V-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 107A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 107A
Power dissipation: 277W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N120G2V-4STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247-4 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N120G2V-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA40N120G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 45 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247LL
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 45
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: HiP247LL
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TrenchFET Gen II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: -
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Rds(on)-Prüfspannung: 18
Betriebstemperatur, max.: 200
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N12G24AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N12G24AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA40N12G24AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1350.06 грн
5+1186.93 грн
10+1022.99 грн
50+929.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N12G24AGSTMicroelectronicsDescription: TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1215.06 грн
10+932.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA50N120STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 318W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 400 V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1914.02 грн
10+1487.19 грн
25+1398.24 грн
100+1220.49 грн
250+1176.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA50N120STMMOSFET N-CH 1200V 65A HIP247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA50N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA50N120STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA50N120-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+3426.45 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA60N120G2-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 177A; 389W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 52mΩ
Kind of package: tube
Technology: SiC
Case: HIP247-4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 94nC
Power dissipation: 389W
Pulsed drain current: 177A
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA60N120G2-4STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an HiP247-4 package
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA60N120G2-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA60N120G2-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 389W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2882.54 грн
5+2521.72 грн
10+2089.38 грн
50+1739.41 грн
100+1482.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA60N120G2-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA60N120G2-4STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 388W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1163.91 грн
10+890.90 грн
30+823.76 грн
120+716.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA70N120G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 4054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3544.36 грн
5+3428.38 грн
10+3311.46 грн
25+3121.37 грн
50+2826.17 грн
100+2710.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA70N120G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3070.08 грн
5+3038.97 грн
10+2823.04 грн
25+2516.73 грн
50+2236.02 грн
100+2039.90 грн
250+1971.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA70N120G2V-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA70N120G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 547W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2589.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]