Продукція > STP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 33 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP230P15MMersen USA Newburyport-MA L.L.C.Description: STP T1 150KA 230V 1P N-G ALM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP230P15MMersenIndustrial Surge Protectors STP T1 150kA 230V 1P N-G ALM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP2310BGASUN
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2320QFP
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP23N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP23N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP23N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.33 грн
50+200.84 грн
100+194.57 грн
500+162.81 грн
1000+158.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP23N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP23N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP23NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP23NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+286.71 грн
70+201.90 грн
100+190.56 грн
500+159.79 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP23NM50N
Код товару: 113413
1 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 550 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,19 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1330/45
Монтаж: THT
у наявності: 21 шт
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+165.00 грн
10+149.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP23NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP23NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 0.162 Ohm MDmesh II 17A Switch
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP23NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.70 грн
10+204.71 грн
100+193.22 грн
500+162.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP23NM60NSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP23NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP23NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 600V Power MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP23NM60N-HSTMicroelectronicsMOSFET Power MOSFETs, N-Channel (>400V to 650V), POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP23NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 20A FDMesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP23NM60NDSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP23NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 19.5A TO220AB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP23NM60ND-HSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP23NM60NES
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP240D05MersenIndustrial Surge Protectors STP T1 50kA 240V DELTA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP240D05MMersenIndustrial Surge Protectors STP T1 50kA 240V DELTA ALM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP240D07MersenIndustrial Surge Protectors STP T1 75kA 240V DELTA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP240D07MMersenIndustrial Surge Protectors STP T1 75kA 240V DELTA ALM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP240HN05MersenIndustrial Surge Protectors STP T1 50kA 120/240V HL N-G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP240HN05MMersenIndustrial Surge Protectors STP T1 50kA 120/240V HL ALM N-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP240HN07MersenIndustrial Surge Protectors STP T1 75kA 120/240V HL N-G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP240HN07MMersenIndustrial Surge Protectors STP T1 75kA 120/240V HL ALM N-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP240N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
на замовлення 8461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.06 грн
50+167.09 грн
100+152.17 грн
500+118.27 грн
1000+110.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP240N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100V 2.5mOhm 180A STripFET VII
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP240N10F7STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+262.72 грн
5+225.66 грн
10+213.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP240N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP240N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP240N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 2850 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2850µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP240S05MersenIndustrial Surge Protectors STP T1 50kA 240/120V SP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP240S05MMersenIndustrial Surge Protectors STP T1 50kA 240/120V SP ALM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP240S07MersenIndustrial Surge Protectors STP T1 75kA 240/120V SP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP240S07MMersenIndustrial Surge Protectors STP T1 75kA 240/120V SP ALM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP240SN05MersenIndustrial Surge Protectors STP05 50kA,240/120V SP, 3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP240SN05MMersenIndustrial Surge Protectors STP05 50kA,240/120V SP, 3P,FC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP240SN07MersenIndustrial Surge Protectors STP07 75kA,240/120V SP, 3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP240SN07MMersenIndustrial Surge Protectors STP07 75kA,240/120V SP, 3P,FC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP244295AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP244295BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP24DP05BTRSTMicroelectronicsDescription: IC LED DRIVER LINEAR 80MA 48TQFP
Part Status: Active
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Voltage - Supply (Min): 3V
Supplier Device Package: 48-TQFP-EP (7x7)
Topology: Shift Register
Internal Switch(s): Yes
Current - Output / Channel: 80mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Linear
Frequency: 25MHz
Number of Outputs: 24
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Output: 20V
Package / Case: 48-TQFP Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.28 грн
10+141.20 грн
25+129.33 грн
100+109.09 грн
250+103.24 грн
500+99.72 грн
1000+95.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24DP05BTRSTMicroelectronicsLED Driver 40000uA Supply Current 48-Pin TQFP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24DP05BTRSTMicroelectronicsСвітлодіодний драйвер, I = 80 мА, Uвих, В = 24, Uживл, В = 3,0...5,5, Тексп, °C = -40...+125, F = 25 МГц, з регістром зсуву,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-48 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2400 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2400+209.29 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24DP05BTRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP24DP05BTR - LED-Treiber, 24 Ausgänge, Konstantstrom, 3V-5.5Vin, 25MHz Schaltfrequenz, 20V/80mAout, HTQFP-48
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HTQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 24Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 80mA
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP24DP05BTRSTMicroelectronicsLED Driver 40000uA Supply Current 48-Pin TQFP EP T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2400+106.82 грн
Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24DP05BTRSTMicroelectronicsLED Display Drivers 24-bit shift regstr LED panel displays
на замовлення 4415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP24DP05BTRSTMicroelectronicsDescription: IC LED DRIVER LINEAR 80MA 48TQFP
Part Status: Active
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Voltage - Supply (Min): 3V
Supplier Device Package: 48-TQFP-EP (7x7)
Topology: Shift Register
Internal Switch(s): Yes
Current - Output / Channel: 80mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Linear
Frequency: 25MHz
Number of Outputs: 24
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Output: 20V
Package / Case: 48-TQFP Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2400+94.47 грн
Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24DP05BTRSTMicroelectronicsLED Driver 40000uA Supply Current 48-Pin TQFP EP T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2400+106.87 грн
Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 11A; Idm: 72A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 72A
Gate charge: 29nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+205.74 грн
94+151.05 грн
100+145.85 грн
500+127.24 грн
1000+108.71 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.51 грн
50+171.76 грн
100+158.15 грн
500+134.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.11 грн
50+140.94 грн
100+127.77 грн
500+98.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+173.47 грн
82+171.73 грн
100+158.12 грн
500+134.72 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+315.63 грн
93+151.73 грн
100+148.92 грн
500+138.18 грн
1000+104.53 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP24N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.168 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+235.04 грн
3+193.54 грн
10+150.72 грн
50+131.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.92 грн
50+110.98 грн
100+100.19 грн
500+76.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 52.5A
Gate charge: 23nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 16A TO220
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N65M2STMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10STMЗамена для IRF540 N-кан. MOSFET100V 26A 85W 0.055 Om TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+96.06 грн
199+70.66 грн
500+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP24NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 26 A, 0.055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 1654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.04 грн
50+83.65 грн
100+75.19 грн
500+56.62 грн
1000+52.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.96 грн
19+40.10 грн
100+37.07 грн
500+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10
Код товару: 196973
2 Додати до обраних Обраний товар
JSMICROТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 26 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 870/30
Монтаж: THT
у наявності: 80 шт
  • 49 шт - склад
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+21.00 грн
10+19.00 грн
100+17.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.09 грн
10+96.06 грн
100+70.66 грн
500+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+52.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 24 Amp
на замовлення 5206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+52.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10
Код товару: 1289
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 26 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 870/30
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+40.09 грн
380+37.06 грн
515+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+136.59 грн
10+44.31 грн
50+38.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10PB-FREE
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF12
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.01 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+110.78 грн
139+101.21 грн
145+97.30 грн
151+90.28 грн
500+81.65 грн
1000+76.01 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 68A
Gate charge: 44nC
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+258.98 грн
5+200.13 грн
10+173.78 грн
25+141.66 грн
50+122.71 грн
100+112.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP24NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+308.66 грн
50+152.22 грн
100+138.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 33 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]