Продукція > TSM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSM4800N15CX6 RFG Код товару: 206905
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| TSM4800N15CX6 RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 1.4A 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4800N15CX6 RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 150V, 1.4A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 12453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4806CS | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4806CS | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 20V, 28A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 961 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4806CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 28A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 961 pF @ 15 V | на замовлення 4820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4806CS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4806CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 28A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 961 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4806CS RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 28A; 2W; SOP8 Mounting: SMD Case: SOP8 Power dissipation: 2W Gate charge: 12.3nC Polarisation: unipolar Drain current: 28A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: tape On-state resistance: 20mΩ | на замовлення 149 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4806CS RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 20V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 6066 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4806CS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4806CS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM480P06CH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -60V, -20A, SINGLE P-CHANNEL POW Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251S (IPAK SL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM480P06CH X0G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -60V, -20A, Single P-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM480P06CH X0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 20A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 30 V | на замовлення 7540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM480P06CH X0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-251S Tube | на замовлення 2697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM480P06CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V 20Amp P channel Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM480P06CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CH 60V 20A ITO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM480P06CP | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -60V, -20A, SINGLE P-CHANNEL POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM480P06CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM480P06CP ROG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 65mOhm; 20A; 40W; -50°C ~ 150°C; TSM480P06CP ROG TSM480P06CP TTSM480p06cp кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM480P06CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -60V, -20A, Single P-Channel Power MOSFET | на замовлення 7374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM480P06CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 20A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 30 V | на замовлення 6265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM480P06CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM480P06CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 20A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 30 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM480P06CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM480P06CZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V 20Amp P channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4835CS RL | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 30V P Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4925DCS | Taiwan Semiconductor | MOSFETs Dual 30V P channel MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4925DCS | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.1A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4925DCS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.1A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4925DCS RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET -30V, -7.1A, Dual P-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4925DCS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.1A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP | на замовлення 4787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4936DCS | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.9A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4936DCS RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.9A; 2.1W; SOP8 Mounting: SMD Power dissipation: 2.1W Gate charge: 13nC Polarisation: unipolar Drain current: 5.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tape Case: SOP8 On-state resistance: 36mΩ | на замовлення 225 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4936DCS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.9A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4936DCS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 68 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4936DCS RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 30V, 5.9A, Dual N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4936DCS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4936DCS RLG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 53mOhm; 5,9A; 3W; -55°C ~ 150°C; TSM4936DCS RLG TSM4936DCS TTSM4936dcs кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4936DCS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.9A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active | на замовлення 26223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4936DCS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4936DCS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4946DCS | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 24V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4946DCS | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 4.5A, Dual, N-Channel Low Voltage MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4946DCS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4946DCS RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 4.5A, Dual N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4946DCS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 24V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active | на замовлення 5058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4946DCS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4946DCS RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.5A; 1.7W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.5A Power dissipation: 1.7W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 2486 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4946DCS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 24V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4953DCS | Taiwan Semiconductor | MOSFET Dual 30V P channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4953DCS | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4953DCS RL | Taiwan Semiconductor | MOSFET Dual 30V P Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4953DCS RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -30V, -4.9A, Dual P-Channel Power MOSFET | на замовлення 20406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4953DCS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active | на замовлення 22299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4953DCS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4953DCS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4953DCS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 2193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4D887M010AH6410D493 | KEMET | Tantalum Capacitors - Solid SMD 10V 880uF 2917 20% ESR=125mOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4D887M010AH6410D493 | KEMET | Description: CAP TANT 880UF 20% 10V SMD Tolerance: ±20% Features: High Reliability Packaging: Tray Package / Case: Stacked SMD, 4 J-Lead Size / Dimension: 0.315" L x 0.350" W (8.00mm x 8.90mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Molded Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Ratings: COTS ESR (Equivalent Series Resistance): 125mOhm Manufacturer Size Code: 4D Height - Seated (Max): 0.259" (6.58mm) Part Status: Active Capacitance: 880 µF Voltage - Rated: 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4N60ECH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4N60ECH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 86.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4N60ECP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 86.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4N60ECP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 86.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 25 V | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4N60ECP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4N70CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 3.5A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1875 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4N70CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V, 3.5A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4N70CH C5G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 700V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube | на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4N70CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V, 3.5A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4N70CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 3.5A ITO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4N70CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 3.5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4N70CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 700V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4N70CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V, 3.5A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4N80CI | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4N80CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 800V 4A ITO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 38.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4N80CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V 4A Single N-Cha nnel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4N80CZ C0 | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V 4A N Channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4N80CZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4N80CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 4A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 38.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4N90CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 900V 4A ITO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 38.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4N90CZ C0 | Taiwan Semiconductor | MOSFET 900V 4A N Channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4N90CZ C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4N90CZ C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4N90CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 900V 4A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 38.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 25 V | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4NB50CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V N channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4NB50CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V N channl Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251S (I-PAK SL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CH | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 4A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CH C5 | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V N channl Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V | на замовлення 14316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4NB60CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CH X0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V 4A Single N-Cha nnel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CH X0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CI | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CI C0 | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V N channl Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 3455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 4A ITO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V | на замовлення 843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM4NB60CI C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) ITO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CP RO | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V N channl Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |