Продукція > BSS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 33  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSS63 T/RNXP SemiconductorsBipolar Transistors - BJT TRANS HV TAPE-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63 T/Ronsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63(BMP)
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63(BMS)
на замовлення 12050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63,215NexperiaTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5367+6.59 грн
10000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 5367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63,215NexperiaTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3279+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63,215NXP USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 100MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63,215NexperiaTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4919+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 4919 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63,215NexperiaTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1047+13.51 грн
1682+8.41 грн
2298+6.16 грн
2718+5.02 грн
4425+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 1047 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63,215NexperiaBipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 11400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.50 грн
32+9.40 грн
100+5.84 грн
500+4.01 грн
1000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.07 грн
41+19.85 грн
100+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63,215NexperiaTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63,215NEXPERIACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 85MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 100V
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63,215NexperiaTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1142+12.63 грн
2000+7.86 грн
6000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 1142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63,215 BM.NXPTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BSS63.215; BSS63,215 TBSS63 NXP
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63-AT
на замовлення 753 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63-QRNexperiaBipolar Transistors - BJT PNP high-voltage transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63-QRNEXPERIACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 100V
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63-QRNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63-QRNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63-QRNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63/AT
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63/BMPPHILIPS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Bss630HBEFuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 630mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 179020.0,63; 0034.1514 Fuse: fast-acting; 630mA Bss630
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AHZGT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS63AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.96 грн
500+7.02 грн
1500+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.02 грн
22+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AHZGT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Pch -100V -100mA High-Voltage Amplifier Transistor
на замовлення 6956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS63AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+25.96 грн
51+15.83 грн
100+9.96 грн
500+7.02 грн
1500+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AHZGT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2565+5.52 грн
2646+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 2565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 200mW; SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30
Collector-emitter voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Pch -100V -100mA High-Voltage Amplifier Transistor
на замовлення 7350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 200mW; SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30
Collector-emitter voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1873+7.55 грн
1936+7.31 грн
2500+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 1873 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+17.53 грн
1304+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 807 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1132+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 1132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63E6327
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1onsemiDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6666 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4732+2.99 грн
9000+2.86 грн
27000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 4732 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 95MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Current gain: 30
Collector-emitter voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.71 грн
63+6.63 грн
90+4.64 грн
106+3.95 грн
500+2.64 грн
1000+2.28 грн
3000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9037+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 9037 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1GOn SemiconductorSOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16854+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 16854 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1GON-SemiconductorTransistor PNP; 30; 350mW; 100V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS63LT1G; BSS63; BSS63LT1G TBSS63
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.56 грн
6000+2.41 грн
9000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.40 грн
41+7.31 грн
100+4.50 грн
500+3.07 грн
1000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5682+2.49 грн
9000+2.24 грн
27000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 5682 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.13 грн
130+6.19 грн
500+4.11 грн
1500+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G
Код товару: 173698
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+6.93 грн
184+4.11 грн
294+2.57 грн
500+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5515+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 5515 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1GON SemiconductorТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,3, Uceo, В = 100, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 5, hFE = 30 @ 25 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 2.5 мA, 25 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 110V PNP
на замовлення 13933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16854+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 16854 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+16.80 грн
80+10.13 грн
130+6.19 грн
500+4.11 грн
1500+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63RE6327INFINEON04+
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63T116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63T116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64ONS/FAISOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+21.11 грн
49+15.44 грн
107+6.81 грн
250+6.25 грн
500+5.94 грн
1000+4.09 грн
3000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64onsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64onsemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64 T/Ronsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64,215NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2424+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 2424 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS64,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.62 грн
30+27.24 грн
100+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64,215NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64,215NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.01 грн
6000+3.60 грн
9000+3.10 грн
15000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64,215NexperiaBipolar Transistors - BJT BSS64/SOT23/TO-236AB
на замовлення 5223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64,215NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5953+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 5953 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64,215NEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 60...100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS64,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64,215NXPNPN 80V 0.1A 250mW 100MHz BSS64,215 BSS64 NXP TBSS64 NXP
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64,215NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64,215NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2278+4.14 грн
3000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 2278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64/ATPHILIPSSOT23
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64AHZGT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-23, 100V 100mA, High-Voltage Amplifier Transistor
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS64AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64AHZGT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS64AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64AT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
715+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64AT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-23, 100V 100mA, High-Voltage Amplifier Transistor
на замовлення 8009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 33  [ Наступна Сторінка >> ]