Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB60R125CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.82 грн
10+219.07 грн
100+154.64 грн
500+131.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPInfineon technologies
на замовлення 971 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1Infineon TechnologiesIPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+178.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1Infineon TechnologiesIPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+178.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.20 грн
10+252.71 грн
100+181.99 грн
500+169.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R125CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+411.56 грн
10+275.45 грн
100+208.60 грн
500+156.30 грн
1000+141.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1Infineon TechnologiesIPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+272.87 грн
500+258.69 грн
1000+244.52 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1
Код товару: 172460
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1Infineon TechnologiesIPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1Infineon TechnologiesIPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+272.87 грн
500+258.69 грн
1000+244.52 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3-2
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.127ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+115.17 грн
500+86.75 грн
1000+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.98 грн
10+171.48 грн
100+104.24 грн
500+92.51 грн
1000+86.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.63 грн
10+167.52 грн
100+122.34 грн
500+96.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.04 грн
10+163.50 грн
100+115.17 грн
500+86.75 грн
1000+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6
Код товару: 101086
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6Infineon technologies
на замовлення 872 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 23.8A D2PAK-2 CoolMOS C6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+98.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 23.8A D2PAK-2 CoolMOS C6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+185.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.25 грн
10+180.24 грн
100+127.11 грн
500+108.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+171.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160P6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.96 грн
10+175.90 грн
100+127.77 грн
500+96.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160P6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_PRICE/PERFORM
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.78 грн
10+188.95 грн
25+146.35 грн
100+118.74 грн
250+116.67 грн
500+97.34 грн
1000+93.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160P6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160P6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+98.46 грн
2000+94.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160P6ATMA1Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R165CPinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R165CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+327.80 грн
10+213.56 грн
100+145.66 грн
500+129.09 грн
1000+114.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R165CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
на замовлення 5804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.62 грн
10+211.27 грн
100+149.98 грн
500+122.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R165CPATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R165CPATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+347.93 грн
10+227.05 грн
100+140.14 грн
500+122.19 грн
1000+114.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R165CPATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R165CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.165 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R165CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+438.95 грн
10+372.71 грн
25+355.89 грн
100+237.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R165CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+119.86 грн
2000+108.36 грн
3000+106.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R165CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R165CPATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R165CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.165 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.37 грн
10+187.66 грн
100+157.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R165CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+438.95 грн
39+372.71 грн
40+355.89 грн
100+237.20 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R170CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.24 грн
10+150.61 грн
100+122.42 грн
500+106.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.24 грн
10+169.17 грн
100+134.63 грн
500+106.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R170CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.144ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.42 грн
500+106.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO263-3-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+100.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.07 грн
10+157.19 грн
100+99.41 грн
250+98.72 грн
500+82.84 грн
1000+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1InfineonMOSFET N-CH 650V 13A TO263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.76 грн
500+98.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+349.65 грн
46+313.03 грн
51+281.14 грн
100+247.18 грн
200+227.81 грн
500+193.39 грн
1000+178.20 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.28 грн
10+76.45 грн
500+65.93 грн
1000+60.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.91 грн
10+140.14 грн
100+112.76 грн
500+98.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+158.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1
Код товару: 152307
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7
Код товару: 182766
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+256.33 грн
58+246.88 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+59.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+194.91 грн
87+164.19 грн
100+154.74 грн
200+148.08 грн
500+124.45 грн
1000+112.39 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.65 грн
500+73.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+106.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.86 грн
10+186.98 грн
25+184.62 грн
100+150.54 грн
250+131.18 грн
500+90.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 7813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.98 грн
10+150.84 грн
100+91.12 грн
500+75.25 грн
1000+69.72 грн
2000+65.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1InfineonMOSFET N-CH 600V 18A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+237.86 грн
76+186.98 грн
77+184.62 грн
100+150.54 грн
250+131.18 грн
500+90.55 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.84 грн
10+115.17 грн
100+79.30 грн
500+60.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.82 грн
10+138.53 грн
100+96.65 грн
500+73.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+106.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R190C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.39 грн
10+172.27 грн
100+114.60 грн
500+98.72 грн
1000+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R190C6Infineon technologies
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R190C6
Код товару: 100834
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R190C6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R190C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+267.39 грн
10+174.77 грн
100+126.45 грн
500+96.48 грн
1000+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R190C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R190C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R190C6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R190C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.34 грн
10+166.32 грн
25+159.23 грн
100+140.15 грн
250+125.04 грн
500+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R190C6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.61 грн
10+173.86 грн
100+108.38 грн
500+89.05 грн
1000+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R190C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.52 грн
10+156.45 грн
100+109.47 грн
500+90.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R190P6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R190P6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.30 грн
25+54.41 грн
50+51.60 грн
100+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R190P6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R190P6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R199CINFINENSMB
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R199CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.35 грн
10+198.47 грн
100+134.62 грн
500+113.22 грн
1000+104.24 грн
2000+98.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R199CPinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R199CPInfineon TechnologiesDescription: IPB60R199CP
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R199CPAInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 16A D2PAK-2 CoolMOS CPA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R199CPAATMA1Infineon TechnologiesMOSFET AUTOMOTIVE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R199CPAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R199CPAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R199CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 16A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R199CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 16A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]