Продукція > IPL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPL65R195C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+140.57 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+267.78 грн
73+194.46 грн
100+148.10 грн
500+119.15 грн
3000+102.36 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.59 грн
500+91.24 грн
1000+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.53 грн
10+165.05 грн
100+116.99 грн
500+89.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 75W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 75W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.81 грн
10+169.10 грн
100+105.62 грн
500+86.98 грн
3000+80.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+140.57 грн
500+133.48 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.37 грн
10+173.16 грн
100+127.25 грн
500+95.73 грн
1000+86.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K0C6SATMA1Infineon TechnologiesIPL65R1K0C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 650V 4.2A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com
на замовлення 37628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+88.27 грн
500+79.46 грн
1000+73.28 грн
10000+62.99 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K0C6SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 4.2A ThinPAK 5x6
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.44 грн
10+138.14 грн
100+93.89 грн
500+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K0C6SATMA1Infineon TechnologiesIPL65R1K0C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 650V 4.2A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com
на замовлення 18286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+88.27 грн
500+79.46 грн
1000+73.28 грн
10000+62.99 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K0C6SATMA1Infineon TechnologiesIPL65R1K0C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 650V 4.2A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+88.27 грн
500+79.46 грн
1000+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K0C6SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 4.2A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K0C6SATMA1Infineon TechnologiesIPL65R1K0C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 650V 4.2A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com
на замовлення 8224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+88.27 грн
500+79.46 грн
1000+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 38647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+77.06 грн
511+69.35 грн
1000+63.96 грн
10000+54.98 грн
Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 9328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+77.06 грн
511+69.35 грн
1000+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 26.6W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+77.06 грн
511+69.35 грн
1000+63.96 грн
10000+54.98 грн
Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 23877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+77.06 грн
511+69.35 грн
1000+63.96 грн
10000+54.98 грн
Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 3A ThinPAK 5x6
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.84 грн
10+77.56 грн
100+52.47 грн
500+44.46 грн
1000+36.24 грн
2500+34.10 грн
5000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 71852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
368+55.00 грн
Мінімальне замовлення: 368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SE8211ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP
на замовлення 7514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.58 грн
1000+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SE8211ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPL65R1K5 - 650V AND 700V COOLMO
на замовлення 7514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
704+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 704 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SE8211ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.58 грн
1000+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R200CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R200CFD7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R200CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.162 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 81W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.04 грн
10+157.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R200CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 14A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R200CFD7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.89 грн
10+162.75 грн
100+98.72 грн
500+82.15 грн
1000+78.01 грн
3000+72.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R200CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.68 грн
10+135.96 грн
100+94.42 грн
500+75.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R200CFD7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R200CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.162 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 81W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.162ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R200CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 14A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+171.28 грн
500+154.74 грн
1000+141.75 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R210CFDAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R210CFDAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 4VSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R210CFDAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.6A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16.6A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R210CFDAUMA2Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R210CFDAUMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
на замовлення 6349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.12 грн
10+134.96 грн
100+84.91 грн
500+72.49 грн
1000+69.72 грн
3000+65.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.56 грн
500+138.21 грн
1000+127.58 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
на замовлення 10354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.15 грн
10+125.64 грн
100+86.87 грн
500+68.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.56 грн
500+138.21 грн
1000+127.58 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+155.59 грн
96000+142.18 грн
144000+132.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+251.08 грн
84+170.25 грн
119+120.11 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 67W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 67W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 13697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.56 грн
500+138.21 грн
1000+127.58 грн
10000+109.58 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.56 грн
500+138.21 грн
1000+127.58 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.56 грн
500+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 7246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+264.24 грн
81+176.20 грн
116+123.04 грн
500+103.11 грн
3000+94.85 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.12 грн
10+136.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.56 грн
500+138.21 грн
1000+127.58 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R310E6AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 104W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 104W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R310E6AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 4VSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R310E6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.1A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.65 грн
500+144.11 грн
1000+133.48 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R340CFDAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 4VSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R340CFDAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.9A; 104.2W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.9A
Power dissipation: 104.2W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R340CFDAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 10.9A VSON-5
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.14 грн
10+230.23 грн
100+164.30 грн
500+140.14 грн
1000+122.88 грн
3000+122.19 грн
6000+121.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R340CFDAUMA2Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R340CFDAUMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.9A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R340CFDAUMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.9A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R420E6AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; 83W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 83W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R420E6AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 4VSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R460CFDAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 4VSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R460CFDAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 8.3A VSON-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R460CFDAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.3A; 83.3W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 83.3W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R650C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+111.80 грн
500+100.63 грн
1000+92.80 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R650C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+111.80 грн
500+100.63 грн
1000+92.80 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R650C6SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R650C6SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 6.7A ThinPAK 5x6
на замовлення 15192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.03 грн
10+101.62 грн
100+70.41 грн
250+64.82 грн
500+59.16 грн
1000+50.74 грн
2500+48.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R650C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+111.80 грн
500+100.63 грн
1000+92.80 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R650C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 21726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+111.80 грн
500+100.63 грн
1000+92.80 грн
10000+79.78 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R650C6SE8211ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPL65R650 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R660E6Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER PRICE/PERFORM
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R660E6AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 63W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 63W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R660E6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.85 грн
500+110.56 грн
1000+101.97 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R660E6AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 4VSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R725CFDAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 4VSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL70R2K1CESATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET COOLMOS 700V 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL70R2K1CESATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL76Hammond ManufacturingDescription: PLINTH 700 X 600MM X 4"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL78Hammond ManufacturingDescription: PLINTH 700 X 800MM X 4"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL86Hammond ManufacturingDescription: PLINTH 800 X 600MM X 4"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L1R0KDVishayHigh Current Planar Choke Shielded 1uH 10% 22A Solder Lug
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1528.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L1R0KDVishay SferniceDescription: FIXED IND 1UH 22A CHAS MNT
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2815.30 грн
10+2617.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L1R0KDVishay / SfernicePower Inductors - Leaded 1uH 10% High Current
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4737.35 грн
10+3842.44 грн
20+3116.20 грн
60+2891.84 грн
100+2832.47 грн
260+2831.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L1R0KDVISHAYDescription: VISHAY - IPLA32L1R0KD - Induktivität, geschirmt, 1µH, 22A, 7W, ± 10%, Produktreihe IPLA 32
tariffCode: 85045000
Sättigungsstrom (Isat): 110A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Induktivitätstoleranz: ± 10%
Induktivität: 1µH
euEccn: NLR
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 22A
DC-Widerstand, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Produktpalette: IPLA 32 Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4664.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L1R0KDVishayHigh Current Planar Choke Shielded 1uH 10% 22A Solder Lug
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L2R0KDVishay / SferniceFixed Inductors 2uH 10% High Current
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2696.47 грн
10+2338.01 грн
20+1852.88 грн
60+1757.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L2R0KDVishayHigh Current Planar Choke Shielded 2uH 10% 20A Solder Lug
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L2R0KDVishayHigh Current Planar Choke Shielded 2uH 10% 20A Solder Lug
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1333.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L2R0KDVishay SferniceDescription: FIXED IND 2UH 20A CHAS MNT
Current Rating (Amps): 20 A
Inductance: 2 µH
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.874" (22.20mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 100A
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Type: Planar
Shielding: Shielded
Mounting Type: Chassis Mount
Size / Dimension: 1.189" L x 0.965" W (30.20mm x 24.50mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3108.09 грн
10+2842.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L3R0KDVishayHigh Current Planar Choke Shielded 3uH 10% 14A Solder Lug
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1317.33 грн
5+1296.54 грн
10+1280.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L3R0KDVISHAYDescription: VISHAY - IPLA32L3R0KD - Induktivität, geschirmt, 3µH, 14A, 2.8W, ± 10%, Produktreihe IPLA 32
Sättigungsstrom (Isat): 70
Induktivitätstoleranz: ± 10%
Induktivität: 3
RMS-Strom Irms: 14
DC-Widerstand, max.: -
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Produktpalette: IPLA 32
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2785.07 грн
2+2729.49 грн
3+2673.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L3R0KDVishayHigh Current Planar Choke Shielded 3uH 10% 14A Solder Lug
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L3R0KDVishay SferniceDescription: FIXED IND 3UH 14A CHAS MNT
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 14 A
Inductance: 3 µH
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.874" (22.20mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 70A
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Type: Planar
Shielding: Shielded
Mounting Type: Chassis Mount
Size / Dimension: 1.189" L x 0.965" W (30.20mm x 24.50mm)
Package / Case: Nonstandard
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3108.09 грн
10+2842.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24  [ Наступна Сторінка >> ]