Продукція > IPL

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R

на замовлення 5037 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

167+	85.17 грн

Мінімальне замовлення: 167 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL60R365P7AUMA1

Description: INFINEON - IPL60R365P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.31 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm

на замовлення 2227 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL60R365P7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R

на замовлення 5037 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	102.59 грн
10+	93.88 грн
100+	85.17 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL60R365P7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R

на замовлення 8390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

273+	129.65 грн
500+	116.68 грн
1000+	107.61 грн

Мінімальне замовлення: 273 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL60R365P7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

273+	129.65 грн
500+	116.68 грн
1000+	107.61 грн

Мінімальне замовлення: 273 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL60R365P7AUMA1

Description: INFINEON - IPL60R365P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.31 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm

на замовлення 2227 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPL60R365P7AUMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 10A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V

на замовлення 299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.12 грн
10+	117.07 грн
100+	80.50 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL60R365P7AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 46W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 46W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Version: ESD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPL60R365P7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL60R365P7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL60R365P7AUMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

на замовлення 4532 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPL60R365P7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R

на замовлення 93468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

273+	129.65 грн
500+	116.68 грн
1000+	107.61 грн
10000+	92.51 грн

Мінімальне замовлення: 273 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL60R385CP

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 176 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL60R385CP

MOSFETs N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP

на замовлення 1484 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPL60R385CPAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 4-Pin VSON T/R

на замовлення 3510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

253+	140.26 грн
500+	126.11 грн
1000+	116.41 грн

Мінімальне замовлення: 253 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL60R385CPAUMA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPL60R385CPAUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 83W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.385Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPL60R385CPAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 4-Pin VSON T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL60R385CPAUMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V

на замовлення 58754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	102.12 грн

Мінімальне замовлення: 202 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL60R385CPAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 4-Pin VSON T/R

на замовлення 28244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

253+	140.26 грн
500+	126.11 грн
1000+	116.41 грн
10000+	100.09 грн

Мінімальне замовлення: 253 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL60R385CPAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 4-Pin VSON T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

253+	140.26 грн
500+	126.11 грн
1000+	116.41 грн
10000+	100.09 грн

Мінімальне замовлення: 253 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL60R385CPAUMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL60R385CPAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 4-Pin VSON T/R

на замовлення 2122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

253+	140.26 грн
500+	126.11 грн
1000+	116.41 грн

Мінімальне замовлення: 253 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL60R385CPAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 4-Pin VSON T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL60R650P6SATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 6.7A 8THINPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL60R650P6SATMA1

IPL60R650P6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL60R650P6SATMA1

IPL60R650P6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com

на замовлення 2520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

452+	78.35 грн
502+	70.51 грн
1000+	65.02 грн

Мінімальне замовлення: 452 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL60R650P6SATMA1

IPL60R650P6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL60R650P6SATMA1

MOSFETs N-Ch 600V 6.7A ThinPAK 5x6

на замовлення 4230 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPL60R650P6SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.7A; 56.8W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 56.8W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPL65

Hammond Manufacturing

Electrical Enclosure Accessories IME PLINTH 600X500

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPL65R065CFD7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin VSON EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R065CFD7AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R065CFD7AUMA1

Description: HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R065CFD7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin VSON EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R065CFD7AUMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R070C7

MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R070C7AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 169W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Power dissipation: 169W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPL65R070C7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R

на замовлення 1390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	416.57 грн
10+	389.98 грн
25+	380.08 грн
100+	356.96 грн
250+	321.68 грн
500+	300.33 грн
1000+	291.92 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R070C7AUMA1

MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R070C7AUMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	262.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R070C7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R070C7AUMA1

Description: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 169W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm

на замовлення 810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPL65R070C7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R

на замовлення 1390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	416.57 грн
37+	389.98 грн
38+	380.08 грн
100+	356.96 грн
250+	321.68 грн
500+	300.33 грн
1000+	291.92 грн

Мінімальне замовлення: 34 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R070C7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R070C7AUMA1

Description: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 169W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm

на замовлення 810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R070C7AUMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 100 V

на замовлення 9907 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	637.24 грн
10+	419.21 грн
100+	309.17 грн
500+	289.89 грн

В кошику од. на суму грн.

IPL65R095CFD7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 29A 4-Pin VSON EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R095CFD7AUMA1

Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R095CFD7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 29A 4-Pin VSON EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R095CFD7AUMA1

Description: INFINEON - IPL65R095CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.068 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Verlustleistung Pd: 171W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 171W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm

на замовлення 8721 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R095CFD7AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R095CFD7AUMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 1514 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPL65R095CFD7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 29A 4-Pin VSON EP T/R

на замовлення 2820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

135+	262.83 грн
500+	249.87 грн
1000+	235.72 грн

Мінімальне замовлення: 135 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R095CFD7AUMA1

Description: INFINEON - IPL65R095CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.068 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 171W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm

на замовлення 8721 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPL65R095CFD7AUMA1

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	458.53 грн
10+	295.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IPL65R099C7

MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R099C7AUMA1

Description: INFINEON - IPL65R099C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.088 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 128W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm

на замовлення 2556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPL65R099C7AUMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R099C7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 4-Pin VSON EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R099C7AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPL65R099C7AUMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

на замовлення 1590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	479.69 грн
10+	310.74 грн
100+	225.11 грн
500+	198.75 грн

В кошику од. на суму грн.

IPL65R099C7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 4-Pin VSON EP T/R

на замовлення 2320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

127+	280.51 грн
500+	266.37 грн
1000+	251.05 грн

Мінімальне замовлення: 127 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R099C7AUMA1

Description: INFINEON - IPL65R099C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.088 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 128W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm

на замовлення 2556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R099C7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 4-Pin VSON EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R099C7AUMA1

MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPL65R115CFD7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin VSON EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R115CFD7AUMA1

Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V

на замовлення 2536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	377.01 грн
10+	241.98 грн
100+	173.43 грн
500+	158.61 грн

В кошику од. на суму грн.

IPL65R115CFD7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin VSON EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R115CFD7AUMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 2855 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPL65R115CFD7AUMA1

Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R115CFD7AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R130C7

MOSFETs 650V CoolMOS C7 Power Trans; 130mOhm

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R130C7

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 4-Pin VSON EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	532.63 грн
28+	509.74 грн
50+	490.33 грн
100+	456.77 грн
250+	410.10 грн
500+	382.99 грн
1000+	373.62 грн
2500+	365.38 грн

Мінімальне замовлення: 27 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R130C7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 4-Pin VSON EP T/R

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	326.34 грн

Мінімальне замовлення: 44 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R130C7AUMA1

Description: INFINEON - IPL65R130C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.115 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPL65R130C7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 4-Pin VSON EP T/R

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	326.34 грн
10+	264.01 грн
25+	209.89 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R130C7AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 102W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Power dissipation: 102W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R130C7AUMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2514 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	398.18 грн
10+	255.65 грн
100+	183.03 грн
500+	154.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IPL65R130C7AUMA1

MOSFETs N-Ch 650V 15A VSON-4

на замовлення 3011 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPL65R130C7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 4-Pin VSON EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R130C7AUMA1

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 73 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R130C7AUMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R130C7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 4-Pin VSON EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R130CFD7AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R130CFD7AUMA1

Description: INFINEON - IPL65R130CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.13 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.101ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm

на замовлення 3301 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R130CFD7AUMA1

Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R130CFD7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 4-Pin VSON EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R130CFD7AUMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R130CFD7AUMA1

Description: INFINEON - IPL65R130CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.13 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm

на замовлення 3301 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R130CFD7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 4-Pin VSON EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

176+	201.54 грн
500+	190.94 грн
1000+	180.33 грн

Мінімальне замовлення: 176 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R130CFD7AUMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPL65R130CFD7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 4-Pin VSON EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R160CFD7AUMA1

Description: INFINEON - IPL65R160CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.132 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Verlustleistung Pd: 98W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 98W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.132ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm

на замовлення 2810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R160CFD7AUMA1

Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R160CFD7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin VSON EP T/R

на замовлення 4475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

216+	163.83 грн
500+	154.40 грн
1000+	146.15 грн

Мінімальне замовлення: 216 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R160CFD7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin VSON EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R160CFD7AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPL65R160CFD7AUMA1

Description: INFINEON - IPL65R160CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.132 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 98W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm

на замовлення 2810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPL65R160CFD7AUMA1