Продукція > STL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STL8N10LF3
Код товару: 180615
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N10LF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL8N10LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 70W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 6158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 1 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-PowerVQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFLAT™ (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 36A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 0.019 Ohm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 36A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 3131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.89 грн
10+46.59 грн
50+34.39 грн
100+28.57 грн
500+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N6F7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 144A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 60W
Case: PowerFLAT 3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 36A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 36A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+23.57 грн
9000+22.56 грн
15000+21.41 грн
21000+20.00 грн
30000+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N6LF3STMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 60 V, 22.5 mOhm typ., 7.8 A STripFET F3 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N6LF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N6LF6AGSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 32A; Idm: 128A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 55W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N6LF6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.13 грн
10+82.64 грн
100+55.60 грн
500+41.30 грн
1000+37.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+137.74 грн
152+93.56 грн
219+64.99 грн
500+49.92 грн
1000+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N6LF6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFET in
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N6LF6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.74 грн
10+93.56 грн
100+64.99 грн
500+49.92 грн
1000+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 V 0.76 Ohm 4.5 A Zener-protec
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.73 грн
10+164.98 грн
50+127.47 грн
100+108.29 грн
500+88.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N80K5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.5A; Idm: 18A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 42W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.5nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8NH3CL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL8NH3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 8A POWERFLAT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8NH3LLSTQFN8 06+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL8NH3LL_06
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL8P2UH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8P2UH7STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
на замовлення 3951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL8P4LLF6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL8P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8 A, 0.0175 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.9W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0175ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8P4LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.99 грн
12+65.38 грн
100+51.01 грн
500+42.15 грн
1000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8P4LLF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 40V POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.72 грн
10+70.37 грн
100+47.00 грн
500+34.67 грн
1000+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8P4LLF6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL8P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8 A, 0.0175 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.9W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL8P4LLF6STMicroelectronicsMOSFETs P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL8P4LLF6STMicroelectronicsCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8A; Idm: -32A; 2.9W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 2.9W
Case: PowerFLAT 3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL8P4LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8P4LLF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 40V POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8P4LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+88.99 грн
217+65.38 грн
278+51.01 грн
500+42.15 грн
1000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL9-250-24M-01EssentraCable Mounting & Accessories
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL9-350-24M-01EssentraCable Mounting & Accessories
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL9-450-24M-01EssentraCable Mounting & Accessories
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL9-600-24M-01EssentraCable Mounting & Accessories
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL90Fluke ElectronicsDescription: SHIELDED TEST LEAD SET - STL90
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL90N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 70A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL90N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL90N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 8000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL90N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 100V 0.009Ohm 16A STripFET VII
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL90N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL90N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 8000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL90N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 70A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.29 грн
10+113.53 грн
100+77.57 грн
500+58.36 грн
1000+53.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL90N3LLH6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30V 0.0028 24A STripFET VI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL90N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 90A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL90N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 90A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL90N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 90A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.92 грн
9000+44.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL90N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL90N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL90N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 90A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 10929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.85 грн
10+110.01 грн
50+83.49 грн
100+70.34 грн
500+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL90N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL90N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ 90 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 7081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL90N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL90N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL90N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4600 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL90N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL92N10F7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL92N10F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 8000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL92N10F7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 16 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL92N10F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 16A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5Ohm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.14 грн
10+129.76 грн
100+89.49 грн
500+67.81 грн
1000+62.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL92N10F7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL92N10F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 8000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL92N10F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 16A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5Ohm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+62.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL9822N04+
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL9N3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±22V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL9N3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±22V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL9N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 860mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.09 грн
10+100.74 грн
50+76.33 грн
100+64.25 грн
500+51.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL9N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 860mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL9N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
на замовлення 5133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL9N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL9N65M2STMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL9N80K5STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL9N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 7A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL9NK30Z
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL9P2UH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL9P2UH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL9P2UH7STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL9P2UH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL9P3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL9P3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 9A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615 pF @ 25 V
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.02 грн
9000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL9P3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL9P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.012 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL9P3LLH6STMicroelectronicsMOSFETs P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -9 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
на замовлення 58195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL9P3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.72 грн
6000+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL9P3LLH6STMMOSFET PCH 30V 9A POWERFLAT Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
2+390.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL9P3LLH6
Код товару: 208221
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Транзисторні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL9P3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL9P3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL9P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.012 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL9P3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.72 грн
6000+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL9P3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 9A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615 pF @ 25 V
на замовлення 95851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.39 грн
10+68.73 грн
50+51.48 грн
100+43.07 грн
500+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL9P3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL9P4LF6AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL9P4LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL9P4LF6AGSTMicroelectronicsMOSFET Power FLAT 8L 3.3x3.3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STLA01PURSTMicroelectronicsDescription: IC LED DRIVER LINEAR 50MA 6DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STLA01PURSTMicroelectronicsDescription: IC LED DRIVER LINEAR 50MA 6DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STLA01PURSTMicroelectronicsDescription: IC LED DRIVER LINEAR 50MA 6DFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.