Продукція > STL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STL8N6F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 36A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | на замовлення 3179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL8N6F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 36A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL8N6LF6AG | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL8N6LF6AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL8N6LF6AG | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 32A; Idm: 128A; 55W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 32A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 55W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL8N6LF6AG | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL8N6LF6AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL8N6LF6AG | STMicroelectronics | MOSFETs Automotive-grade N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFET in | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL8N80K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V | на замовлення 1786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL8N80K5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 800 V 0.76 Ohm 4.5 A Zener-protec | на замовлення 2117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL8N80K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL8N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 8-Pin Power Flat EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL8N80K5 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.5A; Idm: 18A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 42W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL8NH3CL | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL8NH3LL | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 8A PWRFLAT3.3SQ | на замовлення 27092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL8NH3LL | ST | QFN8 06+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL8NH3LL | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 8A PWRFLAT3.3SQ | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL8NH3LL | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 8A PWRFLAT3.3SQ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL8NH3LL_06 | на замовлення 468 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL8P2UH7 | STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | на замовлення 3951 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL8P2UH7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390 pF @ 16 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL8P4LLF6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL8P4LLF6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 40V POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V | на замовлення 3019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL8P4LLF6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL8P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8 A, 0.0175 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.9W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.9W Bauform - Transistor: PowerFLAT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0175ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL8P4LLF6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 2789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL8P4LLF6 | STMicroelectronics | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8A; Idm: -32A; 2.9W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -8A Pulsed drain current: -32A Power dissipation: 2.9W Case: PowerFLAT 3.3x3.3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL8P4LLF6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL8P4LLF6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL8P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8 A, 0.0175 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.9W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL8P4LLF6 | STMicroelectronics | MOSFETs P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 | на замовлення 2644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL8P4LLF6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 40V POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL8P4LLF6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL9-250-24M-01 | Essentra | Cable Mounting & Accessories | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL9-350-24M-01 | Essentra | Cable Mounting & Accessories | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL9-450-24M-01 | Essentra | Cable Mounting & Accessories | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL9-600-24M-01 | Essentra | Cable Mounting & Accessories | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL90 | Fluke Electronics | Description: SHIELDED TEST LEAD SET - STL90 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL90N10F7 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL90N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 8000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL90N10F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 70A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V | на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL90N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 0.009Ohm 16A STripFET VII | на замовлення 1458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL90N10F7 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL90N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 8000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL90N10F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 70A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL90N3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 90A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL90N3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 30V 0.0028 24A STripFET VI | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL90N3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 90A POWERFLAT Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL90N6F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin Power Flat EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL90N6F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin Power Flat EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL90N6F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 90A POWERFLAT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 25876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL90N6F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin Power Flat EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL90N6F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL90N6F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL90N6F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 90A POWERFLAT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL90N6F7 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ 90 A STripFET F7 Power MOSFET | на замовлення 7081 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL90N6F7 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL90N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4600 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 9608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL92N10F7AG | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5Ohm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL92N10F7AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL92N10F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 8000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL92N10F7AG | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5Ohm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL92N10F7AG | STMicroelectronics | MOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 16 A STripFET F7 Power MOSFET | на замовлення 1006 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL92N10F7AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL92N10F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 8000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL9822N | 04+ | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STL9N3LLH5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±22V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL9N3LLH5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±22V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL9N60M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL9N60M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 860mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL9N60M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 860mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL9N65M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL9N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL9N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL9N80K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 7A POWERFLAT Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL9NK30Z | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL9P2UH7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT | на замовлення 5940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL9P2UH7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL9P2UH7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT | на замовлення 5940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL9P2UH7 | STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL9P3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 30V 9A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615 pF @ 25 V | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL9P3LLH6 | STM | MOSFET PCH 30V 9A POWERFLAT Транзистори | на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL9P3LLH6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL9P3LLH6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL9P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.012 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm | на замовлення 5974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL9P3LLH6 Код товару: 208221
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Транзисторні збірки | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STL9P3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFETs P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -9 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 | на замовлення 58976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL9P3LLH6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL9P3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 30V 9A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615 pF @ 25 V | на замовлення 27982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL9P3LLH6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL9P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.012 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm | на замовлення 5974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL9P4LF6AG | STMicroelectronics | MOSFET Power FLAT 8L 3.3x3.3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL9P4LF6AG | STMicroelectronics | Description: DISCRETE Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL9P4LF6AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STLA01PUR | STMicroelectronics | Description: IC LED DRIVER LINEAR 50MA 6DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STLA01PUR | STMicroelectronics | Description: IC LED DRIVER LINEAR 50MA 6DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STLA01PUR | STMicroelectronics | Description: IC LED DRIVER LINEAR 50MA 6DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STLA02PUR | STMicroelectronics | Description: IC LED DRVR RGLTR PWM 20MA 6DFN Voltage - Supply (Max): 18V Voltage - Supply (Min): 2.5V Supplier Device Package: 6-DFN (2x2) Topology: Step-Up (Boost) Internal Switch(s): Yes Current - Output / Channel: 20mA Applications: Backlight Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Type: DC DC Regulator Frequency: 2MHz Number of Outputs: 1 Mounting Type: Surface Mount Voltage - Output: 27V Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Dimming: PWM | на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STLA02PUR | ST | Step-Up Switching Regulator for driving white LEDs, output current 20mA supply voltage 2.5?18V, max output voltage 27V, temperature range -40?85°C STLA02PUR UISTLA02pur кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STLA02PUR | STMicroelectronics | Description: IC LED DRVR RGLTR PWM 20MA 6DFN Voltage - Supply (Max): 18V Voltage - Supply (Min): 2.5V Dimming: PWM Supplier Device Package: 6-DFN (2x2) Topology: Step-Up (Boost) Current - Output / Channel: 20mA Applications: Backlight Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Type: DC DC Regulator Frequency: 2MHz Number of Outputs: 1 Mounting Type: Surface Mount Voltage - Output: 27V Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Internal Switch(s): Yes | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STLA02PUR | STMicroelectronics | LED Lighting Driver ICs White LED driver for display backlight | на замовлення 3696 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STLA02PUR | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STLA23MK62HLPCO | Dialight | Description: LED ACCY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STLBC01QTR | STMicroelectronics | Description: IC LOW ENERGY CTLR 24VFQFPN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STLBC01QTR | STMicroelectronics | Description: IC LOW ENERGY CTLR 24VFQFPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STLBC01QTR | STMicroelectronics | Description: IC LOW ENERGY CTLR 24VFQFPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STLC1 | ST | 09+ HSOP20 | на замовлення 1001 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STLC1502D | STM | 2003 | на замовлення 1640 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STLC1664V435AAQ | на замовлення 22 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

