Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF3805PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.39 грн
500+185.81 грн
1000+176.40 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.55 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+365.89 грн
58+246.41 грн
100+167.90 грн
1000+152.86 грн
2000+140.13 грн
5000+129.34 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+197.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+418.28 грн
51+279.29 грн
100+202.22 грн
500+161.84 грн
1000+136.83 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.39 грн
500+185.81 грн
1000+176.40 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 130W
Gate charge: 0.19µC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 220A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+243.31 грн
50+123.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+197.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+441.24 грн
50+292.59 грн
100+258.72 грн
200+196.86 грн
500+153.72 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805SVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+103.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805SVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+103.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805SVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+103.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805SIR05+ BGA
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805S-7P
Код товару: 49413
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805S-7PPBFInfineon TechnologiesIRF3805S-7PPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 55V 240A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube - Arrow.com
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+376.60 грн
10+352.14 грн
100+306.70 грн
500+229.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805S-7PPBFInternational RectifierD2PAK-7 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805S-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 140A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805S-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 2.6mOhms 49nC
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805SPBFAmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805SPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH 3.3mOhm HEXFET 75A ID
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRL-7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 140A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRL-7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 240A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+217.56 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRL-7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 140A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRL-7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRF3805STRL-7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 240 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRL-7PPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 240A 2.6mOhm 130nC
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRL-7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRF3805STRL-7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 240 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+275.49 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+483.57 грн
50+336.81 грн
100+331.16 грн
200+228.61 грн
500+198.24 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+197.17 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+238.73 грн
500+226.97 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 210A; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+180.96 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBFIR09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+189.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3808; SP001563250; IRF3808-ML MOSLEADER TIRF3808 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+54.91 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808/PBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808LIRTO-262
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 106A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+175.22 грн
500+157.58 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+211.77 грн
5+155.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3808PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 140 A, 7000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBFInternational RectifierTO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.83 грн
50+121.72 грн
100+110.03 грн
500+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+175.22 грн
500+157.58 грн
1000+145.82 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+143.78 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.28 грн
10+153.75 грн
100+140.88 грн
500+111.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 108350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+175.22 грн
500+157.58 грн
1000+145.82 грн
10000+124.74 грн
100000+97.00 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF
Код товару: 33009
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 140 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,007 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
у наявності: 12 шт
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 3 шт
  • 3 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+74.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+278.28 грн
92+153.75 грн
101+140.88 грн
500+111.23 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808S
Код товару: 48224
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290090
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808SPBF
Код товару: 129658
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+111.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.85 грн
10+174.80 грн
100+122.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+127.23 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+111.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.48 грн
10+237.46 грн
100+172.33 грн
500+162.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+132.79 грн
1600+123.88 грн
2400+119.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+98.73 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF
Код товару: 148871
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF3808STRLPBF
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+159.94 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+273.95 грн
5+205.85 грн
10+181.58 грн
25+154.80 грн
50+137.23 грн
100+123.01 грн
125+118.82 грн
250+107.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+340.48 грн
60+237.46 грн
100+172.33 грн
500+162.62 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+148.51 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3CMS17N80Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3CMS17N80International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3CMS17N80SCXInfineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40B207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+62.61 грн
326+43.34 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40B207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 123635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40B207Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 57A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.36 грн
50+36.96 грн
100+36.37 грн
500+28.59 грн
1000+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40B207Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40B207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
711+49.66 грн
1000+45.80 грн
10000+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40B207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40B207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 123635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40B207InfineonMOSFET N-CH 40V 95A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40B207International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
711+49.66 грн
1000+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40B207INFINEONDescription: INFINEON - IRF40B207 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 3600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40DL237Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40DM229Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40DM229Infineon TechnologiesIRF40DM229 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 159A 6-Pin WDSON T/R - Arrow.com
на замовлення 3174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+165.82 грн
500+149.35 грн
1000+137.59 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40DM229Infineon TechnologiesDescription: IRF40 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V
на замовлення 3579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+118.46 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40DM229Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40DM229International Rectifier HiRel ProductsIRF40DM229
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+165.82 грн
500+149.35 грн
1000+137.59 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40DM229International RectifierDescription: MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V
на замовлення 4396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+118.46 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40DM229International Rectifier HiRel ProductsIRF40DM229
на замовлення 2629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+165.82 грн
500+149.35 грн
1000+137.59 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]