Продукція > SI5
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI5479DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 17.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 6 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5480DU | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI5480DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5480DU-T1-E3 | на замовлення 21947 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI5480DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5481DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 17.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5481DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 17.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5482DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5482DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5484DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5484DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5484DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5484DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5485DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5485DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5486DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5486DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12A CHIPFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5486DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5486DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12A CHIPFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5499DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 4 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5499DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 4 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI54C-03200 | Утримувач NanoSim карти з відкидною металевою кришкою. HOLDER | на замовлення 1966 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| |||||||||||
| SI54C-03200 | ---- | Держатель NanoSim карты типа c откидной металлической крышкой Аксесуари для GSM модемів | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI550 | SILICON | на замовлення 147 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| SI5504BDC-T1-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI5504BDC-T1-E3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.053 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.12W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.12W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 1283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5504BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.12W, 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5504BDC-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.5A 8-Pin Chip FET T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5504BDC-T1-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI5504BDC-T1-E3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.053 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.12W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.12W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 1283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5504BDC-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs RECOMMENDED ALT SI55 | на замовлення 108243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5504BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.12W, 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5504BDC-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs RECOMMENDED ALT SI55 | на замовлення 433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5504BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.12W, 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5504BDC-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.5A 8-Pin Chip FET T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5504BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.12W, 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5504BDC-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.5A 8-Pin Chip FET T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5504DC | VISHAY | на замовлення 10400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| SI5504DC-T1 | VISHAY | 03+ 1206-8 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5504DC-T1-E3 | VISHAY | SMD | на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5504DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5504DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5504DC-T1-E3(P/B) | VISHAY | 06PB | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5504DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5504DC-TI | SI | 02+ SOT-323-6 | на замовлення 2677 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5505AVC-X | на замовлення 48 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI5508A-B13214-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:18 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5508A-B13915-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:18 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5508A-B14017-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tray Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:18 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5508A-B14017-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:18 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5508C-B13215-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:18 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5508C-B14941-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:18 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5508C-B15717-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: SI5508C-B15717-GMR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:18 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5509DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 4.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5509DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 4.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5509DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5510A-B13213-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tray Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Type: Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:18 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5510A-B13213-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Type: Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:18 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5510A-B13916-GM | Skyworks Solutions | SI5510A-B13916-GM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5511DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.6A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W, 2.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5511DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.6A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W, 2.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5511DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.6A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W, 2.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5511DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.6A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W, 2.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5512B-B14795-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tray Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:12 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5512B-B14795-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:12 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5512B-B15606-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC Packaging: Tray Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:12 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5512B-B15606-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:12 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5512B-B15655-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tray Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:12 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5512B-B15655-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Clock Synthesizer/Jitter Cleaner | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5512B-B15655-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:12 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5512B-B15655-GMR | Skyworks Solutions, Inc. | Clock Synthesizer/Jitter Cleaner | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5512C-B15420-GM | Skyworks Solutions | SI5512C-B15420-GM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5512D-B15669-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Clock Synthesizer/Jitter Cleaner | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5512D-B15669-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tray Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:12 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5512D-B15669-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:12 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5512D-B15669-GMR | Skyworks Solutions, Inc. | Clock Synthesizer/Jitter Cleaner | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5512D-B15675-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tray Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:12 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5512D-B15675-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Clock Synthesizer/Jitter Cleaner | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5512D-B15675-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:12 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5512D-B15675-GMR | Skyworks Solutions, Inc. | Clock Synthesizer/Jitter Cleaner | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5512D-B15676-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tray Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:12 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5512D-B15676-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Clock Synthesizer/Jitter Cleaner | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5512D-B15676-GMR | Skyworks Solutions, Inc. | Clock Synthesizer/Jitter Cleaner | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5512D-B15676-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:12 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5513CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ | на замовлення 2111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SI5513CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5513CDC-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET | на замовлення 3106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5513CDC-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET | на замовлення 30600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5513CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ | на замовлення 1545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SI5513CDC-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI5513CDC-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.045 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 45 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5513CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5513CDC-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI5513CDC-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.045 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 2693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5513DC | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI5513DC-T1 | VISHAY | на замовлення 39200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| SI5513DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5513DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5513DC-T1-E3 | VISHAY | 05+ | на замовлення 2769 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5513DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5513DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5513DVC-T1 | SI | N A | на замовлення 855 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5515CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SI5515CDC-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |