Продукція > SI5
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI5518E-B15656-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: SI5518E-B15656-GM Packaging: Tray Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:18 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5518E-B15656-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: SI5518E-B15656-GMR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:18 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5518E-B15656-GMR | Skyworks Solutions, Inc. | Clock Synthesizer/Jitter Cleaner | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5518E-B15664-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Clock Synthesizer/Jitter Cleaner | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5518E-B15664-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5518E-B15664-GMR | Skyworks Solutions, Inc. | Clock Synthesizer/Jitter Cleaner | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5518E-B15664-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:18 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5518G-B15520-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Number of Circuits: 1 Divider/Multiplier: Yes/No PLL: Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) Differential - Input:Output: Yes/Yes Ratio - Input:Output: 6:18 Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Input: CMOS Type: Clock Jitter Attenuator Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5518G-B15520-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:18 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5518G-B15526-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tray Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:18 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5518G-B15526-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:18 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5518G-B15536-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Number of Circuits: 1 Divider/Multiplier: Yes/No PLL: Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) Differential - Input:Output: Yes/Yes Ratio - Input:Output: 6:18 Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Input: CMOS Type: Clock Jitter Attenuator Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5518G-B15536-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:18 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5518MVC | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI5519DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5519DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5519DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI552 | SILICON | на замовлення 164 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI5524 | на замовлення 460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI555 | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| Si5580 | Applied Motion | Motor Drives PKG 5.5A 80VDC IND | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI55XX-A-EVB | Skyworks Solutions, Inc. | Clock & Timer Development Tools | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5600D | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI5618-13P | Micro Commercial Co | Description: MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 830mW Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5618-13P | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5618-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI5618-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI5618-TP | MCC Corp. | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5618-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 830mW Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 7542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI5618-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI5618-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI5618-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 830mW Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI5618A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5618A-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MCC | на замовлення 5770 шт: термін постачання 148-157 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5618A-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -8A; 1.2W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.6A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: Trench Pulsed drain current: -8A Gate charge: 10.4nC | на замовлення 1677 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI5618A-TP | Micro Commercial Components Corp. | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 240mOhm; 1,6A; 1,2W; -55°C~150°C; SI5618A-TP TSI5618A-TP кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI562 | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI5670 | SI | SOP-8 | на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Si570 | Skyworks Solutions, Inc. | Programmable Oscillators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI570-PROG-EVB | Skyworks Solutions Inc. | Description: EVAL BOARD FOR SI570 Secondary Attributes: I2C Interface(s) Contents: Board(s), Cable(s) Part Status: Active Embedded: Yes, MCU, 8-Bit Primary Attributes: 10MHz ~ 1.417GHz Frequency Range Supplied Contents: Board(s), Cable(s) Utilized IC / Part: Si570 Type: Timing Function: Reconfigurable Oscillators Packaging: Box | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI570-PROG-EVB | Skyworks Solutions | Si570 SMD Crystal Oscillator Evaluation Board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI570-PROG-EVB | Skyworks Solutions, Inc. | Clock & Timer Development Tools | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI570-PROG-EVB | Skyworks Solutions | Si570 SMD Crystal Oscillator Evaluation Board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI570-PROG-EVB | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI570-PROG-EVB - Evaluationsboard Si570, programmierbare Oszillator-Softwaredienstprogramme, Taktoszillator Prozessorkern: Si570 Kit-Anwendungsbereich: Taktgeber & Timing Prozessorhersteller: Silicon Laboratories Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard Si570, programmierbare Oszillator-Softwaredienstprogramme, EVB-Treiber (USBXpress), USB-Kabel, Handbuch Unterart Anwendung: Taktoszillator Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| si570abb000419dg (Oscillator) Код товару: 76350
Додати до обраних
Обраний товар
| Кварцові резонатори, генератори, фільтри і т.п. > Резонатори і генератори | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI570KBB000100DG | Silicon Laboratories | Oscillator XO 156.25MHz ±31.5ppm CML 1.8V 8-Pin SMD Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI570NCA000830DG | Silicon Labs | Programmable Oscillators | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Si571 | Silicon Labs | Programmable Oscillators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5744CNU | на замовлення 880 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI57C-08200 | Утримувач для двох Sim карт, старі назви ATOM010050030138, SI13C-08201, SI31C-08200 - покращена пружність контактів та притиск картки. HOLDER | на замовлення 8010 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| |||||||||||||||
| SI57C-08200 | ---- | Утримувач для двох Sim карт Аксесуари для GSM модемів | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI57X-EVB | Silicon Labs | Оціночна плата для генераторів частоти Si53x, Si55x, Si57x, Діапазон частот = 100 кГц до 1.4ГГц, Робочий струм = 230 мА, Робоча напруга = 1.8 В, 2.5 В, 3.3 В, 5 В,... Програмні та апаратні налагоджувальні засоби Корпус: EvBoard Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI581 | SOP-8 | на замовлення 65 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI5812 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI581DJ | . | 09+ . | на замовлення 760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI582DJ | VISHAY | 03+ DIP8 | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI582DY | на замовлення 199 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI5845-150K | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI5853 | VISHAY | на замовлення 150000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI5853CDC | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI5853CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 3.1W (Tc) FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 2.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5853CDC-T1-E3 | VISHAY | 1206-8 | на замовлення 5675 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5853DC | VISHAY | 09+ | на замовлення 4518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5853DC-T1 | VISHAY | 0405+ | на замовлення 18241 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5853DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5853DC-T1-E3 | VISHAY | SOT23-8 | на замовлення 22950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5853DC-TI | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| Si5853DDC-1 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI5853DDC-T1-E3 | VISHAY | SOT-163 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5853DDC-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 4.0A 3.1W 105mohm @ 4.5V | на замовлення 3598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5853DDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5853DDS-T1-E3 | на замовлення 4904 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI5855CDC-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 3.7A 2.8W 144mohm @ 4.5V | на замовлення 4976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5855CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.8W (Tc) FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 2.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5855DC | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI5855DC-T1 | VISHAY | TO23-8 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5855DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5855DC-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5856DC-T1 | VISHAY | 1206-8 | на замовлення 10541 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5856DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5857DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5857DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5857DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5857DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5858DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5858DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5858DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5858DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5902BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.12W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5902BDC-T1-E3 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI5902BDC-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5902BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.12W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ | на замовлення 1257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI5902BDC-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI5902BDC-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET | на замовлення 5921 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5902BDC-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R | на замовлення 2028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI5902BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.12W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5902BDC-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET | на замовлення 21605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5902BDC-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5902BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI5902BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.12W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ | на замовлення 3482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI5902BDC-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R | на замовлення 2028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI5902DC | SI | 02+ SOT-323-6 | на замовлення 18999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

