Продукція > TSM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSM80N950CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V, 6A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM80N950CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252 | на замовлення 10422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM820CSFL | ABB | Circuit Breaker Accessories MSLC MB RNG 200A22K 8/16 S UG/OH FMG-OLD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM820CSFLP | ABB | Circuit Breaker Accessories MSLC MB RG 200A22K 816 S UGOH FMGOLD RTL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM850N06CX | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM850N06CX | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 30 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 3A (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM850N06CX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 10375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM850N06CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 30 V | на замовлення 14213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM850N06CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.3A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.5nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM850N06CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM850N06CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 30 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM850N06CX RPG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; TSM850N06CX RFG TSM850N06CX TTSM850n06cx кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM8568CS | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N/P-CH 30V 15A 8SOP Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V, 24mOhm @ 7A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646pF @ 15V, 1089pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 13A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 6W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8568CS (N) RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 30V, 15A, Comp. N- Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8568CS (P) RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -30V, 13A, Comp. P- Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8568CS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8568CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N/P-CH 30V 15A 8SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V, 24mOhm @ 7A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646pF @ 15V, 1089pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 13A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 6W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP | на замовлення 21149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM8568CS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8568CS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8568CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N/P-CH 30V 15A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 13A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646pF @ 15V, 1089pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V, 24mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM8568CS RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET -30V, 13A, Complementary P-Channel Power MOSFET;30V, 15A, Complementary N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8568CV RGG | Taiwan Semiconductor | MOSFET -30V, -4.5A, Complementary P-Channel Power MOSFET;30V, 5.7A N-Channel | на замовлення 10000 шт: термін постачання 161-170 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8588CS | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N/P-CH 60V 2.5A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta), 5.7W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 5A (Tc), 2A (Ta), 4A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527pF @ 30V, 436pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 2.5A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V, 9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8588CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N/P-CH 60V 2.5A 8SOP Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V, 9nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 2.5A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527pF @ 30V, 436pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 5A (Tc), 2A (Ta), 4A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.4W (Ta), 5.7W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM8588CS RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 5A, -60V, -4A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET | на замовлення 4654 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8588CS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 2.5A/2A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8588CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N/P-CH 60V 2.5A 8SOP Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V, 9nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 2.5A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527pF @ 30V, 436pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 5A (Tc), 2A (Ta), 4A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.4W (Ta), 5.7W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8588CV | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -60V, -4.5A, COMPLEMENTARY P-CHA Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8588CV | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -60V, -4.5A, COMPLEMENTARY P-CHA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8588CV RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -60V, -4.5A, COMPLEMENTARY P-CHA Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8588CV RGG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -60V, -4.5A, Complementary P-Channel Power MOSFET;60V, 5.7A N-Channel | на замовлення 9985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8588CV RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -60V, -4.5A, COMPLEMENTARY P-CHA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM85N10CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 81A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM85N10CZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 100V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM881AW-U | SANYO 1500/REEL | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| TSM881AW-V | SANYO | 09+ | на замовлення 392 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM897EW-C | SAYNO | на замовлення 36486 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| TSM8N50CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO251 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1875 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8N50CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V 8Amp N channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8N50CP | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V 8 Amp N channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8N50CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V 8 Amp N channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8N50CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8N50CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8N70CI | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 800V 7Amp N channel Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8N70CI C0 | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V 7A N Channel Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8N70CI C0 | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8N70CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8N70CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V 7Amp N channel Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8N80CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V 8A Single N-Cha nnel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8N80CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 800V 8A ITO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1921 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8N80CZ C0 | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V 8A N Channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8N80CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1921 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8N80CZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V, 8A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8S-3.1G-160-TR | E-Switch | Tactile Switches Tactile Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8S-3.1G-160-TR | E-Switch | Description: SWITCH TACTILE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM8S7EW | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM9-4.3-100-TR | E-Switch | Description: SWITCH TACTILE Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM9-4.3-100-TR | E-Switch | Tactile Switches Tactile Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM9-5.0-160-B | E-Switch | Description: SWITCH TACTILE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1001 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM9-5.0-160-B | E-Switch | Tactile Switches Tactile Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM9-5.0-260-TR | E-Switch | Tactile Switches Tactile Switch | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM9-5.0-260-TR | E-Switch | Description: SWITCH TACTILE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM9-5.0-520-TR | E-Switch | Tactile Switches TACT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM9-7.0-160-B | E-Switch | Description: SWITCH TACTILE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1001 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM9-7.0-160-B | E-Switch | Tactile Switches Tactile Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM9-7.3K2.8-160-TR | E-Switch | Description: TSM9-7.3K2.8-160-TR Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM900N06CH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251S (IPAK SL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM900N06CH X0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V | на замовлення 20228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM900N06CH X0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 25W; IPAK SL On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Power dissipation: 25W Gate charge: 9.3nC Polarisation: unipolar Drain current: 7A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: IPAK SL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM900N06CH X0G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM900N06CP | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM900N06CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM900N06CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 6519 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM900N06CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V | на замовлення 2292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM900N06CW | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223 Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM900N06CW RPG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 5A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM900N06CW RPG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 4.17W; SOT223 On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 4.17W Gate charge: 9.3nC Polarisation: unipolar Drain current: 7A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tape Case: SOT223 | на замовлення 231 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM900N06CW RPG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM900N06CW RPG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM900N06CW RPG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V | на замовлення 20780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM900N06CW RPG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM900N06CW RPG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 11A; 4,17W; -55°C ~ 150°C; TSM900N06CW RPG TSM900N06CW TTSM900n06cw кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 65 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM900N06CW RPG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM900N06CW RPG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM900N10CH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 100V, 15A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251S (IPAK SL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM900N10CH X0G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 100V, 15A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM900N10CH X0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; 50W; IPAK SL On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Power dissipation: 50W Gate charge: 9.3nC Polarisation: unipolar Drain current: 9.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: IPAK SL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM900N10CH X0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 15A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM900N10CP | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 100V, 15A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM900N10CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 100V, 15A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 8383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM900N10CP ROG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 50W; DPAK,TO252 On-state resistance: 72mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 50W Gate charge: 9.3nC Polarisation: unipolar Drain current: 15A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Case: DPAK; TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM900N10CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V | на замовлення 15342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM900N10CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM9117ESA+ | Silicon Labs | Description: IC COMPARATOR 1.6V P-P 8SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM9117ESA+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC COMPARATOR W/REF S8SOIC | на замовлення 4953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM9117ESA+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC COMP 1.6V PP W/REF 8SOIC | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM9117EXK+ | Silicon Labs | Description: IC COMPARATOR 1.6V P-P SC70-5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM9117EXK+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC COMPARATOR W/REF SC70-5 | на замовлення 5185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM9117EXK+T | Silicon Labs | Description: IC COMPARATOR 1.6V P-P SC70-5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM9117EXK+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC COMPARATOR W/REF SC70-5 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |