Продукція > TSM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TSM8N50CPTaiwan SemiconductorMOSFET 500V 8 Amp N channel Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N50CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N50CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N50CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFET 500V 8 Amp N channel Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N70CITaiwan SemiconductorMOSFETs 800V 7Amp N channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N70CI C0Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N70CI C0Taiwan SemiconductorMOSFET 800V 7A N Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N70CI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N70CI C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 800V 7Amp N channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N80CI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 800V 8A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1921 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N80CI C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 800V 8A Single N-Cha nnel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N80CZ C0Taiwan SemiconductorMOSFET 800V 8A N Channel Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N80CZ C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 800V, 8A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N80CZ C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1921 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N80CZ C0GTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 41nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8S-3.1G-160-TRE-SwitchDescription: SWITCH TACTILE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8S-3.1G-160-TRE-SwitchTactile Switches Tactile Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8S7EW
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9-4.3-100-TRE-SwitchTactile Switches Tactile Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9-4.3-100-TRE-SwitchDescription: SWITCH TACTILE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9-5.0-160-BE-SwitchDescription: SWITCH TACTILE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1001 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9-5.0-160-BE-SwitchTactile Switches Tactile Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9-5.0-260-TRE-SwitchTactile Switches Tactile Switch
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9-5.0-260-TRE-SwitchDescription: SWITCH TACTILE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9-5.0-520-TRE-SwitchTactile Switches TACT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9-7.0-160-BE-SwitchDescription: SWITCH TACTILE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1001 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9-7.0-160-BE-SwitchTactile Switches Tactile Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9-7.3K2.8-160-TRE-SwitchDescription: TSM9-7.3K2.8-160-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S (IPAK SL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CH X0GTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 25W; IPAK SL
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 25W
Gate charge: 9.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: IPAK SL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CH X0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
на замовлення 31128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+72.08 грн
50+53.94 грн
100+45.10 грн
500+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CH X0GTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CPTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 6489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+41.44 грн
50+30.51 грн
100+25.32 грн
500+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CWTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.85 грн
7500+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 11A; 4,17W; -55°C ~ 150°C; TSM900N06CW RPG TSM900N06CW TTSM900n06cw
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.06 грн
10000+11.03 грн
25000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 5A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 16267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 4.17W; SOT223
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 4.17W
Gate charge: 9.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tape
Case: SOT223
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.74 грн
17+25.58 грн
100+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V
на замовлення 17473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
11+29.74 грн
50+21.69 грн
100+17.92 грн
500+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.13 грн
10000+11.10 грн
25000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N10CHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 15A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S (IPAK SL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N10CH X0GTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 15A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N10CH X0GTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; 50W; IPAK SL
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 50W
Gate charge: 9.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: IPAK SL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N10CH X0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 15A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N10CPTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 15A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N10CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.87 грн
7500+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N10CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 15A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 8073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N10CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.17 грн
50+37.94 грн
100+31.58 грн
500+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N10CP ROGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 50W; DPAK,TO252
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Gate charge: 9.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9117ESA+Silicon LabsDescription: IC COMPARATOR 1.6V P-P 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9117ESA+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMPARATOR W/REF S8SOIC
на замовлення 4953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9117ESA+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMP 1.6V PP W/REF 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9117EXK+Silicon LabsDescription: IC COMPARATOR 1.6V P-P SC70-5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9117EXK+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMPARATOR W/REF SC70-5
на замовлення 5185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9117EXK+TSilicon LabsDescription: IC COMPARATOR 1.6V P-P SC70-5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9117EXK+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMPARATOR W/REF SC70-5
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9117EXK+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMPARATOR W/REF SC70-5
на замовлення 5245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9118EXK+Silicon LabsDescription: IC COMPARATOR 1.6V O-D SC70-5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9118EXK+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMP 1.6V SNGL W/REF SC70-5
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9118EXK+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMP 1.6V SNGL W/REF SC70-5
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9118EXK+TSilicon LabsSC70-5/I°/1.6V, NANOPOWER, COMPARATOR IC WITH REFERENCE, OPEN-DRAIN (2ND SO TSM9118SC70
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9119EXK+Silicon LabsDescription: IC COMPARATOR 1.6V P-P SC70-5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9119EXK+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMPARATOR SINGLE SC70-5
на замовлення 5956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9119EXK+TSilicon LabsDescription: IC COMPARATOR 1.6V P-P SC70-5
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9119EXK+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMPARATOR SINGLE SC70-5
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9119EXK+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMPARATOR SINGLE SC70-5
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9120ESA+Silicon LabsAnalog Comparators 1.6V, Nanopower Comparator w/o Ref
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9120ESA+Silicon LabsDescription: IC COMPARATOR 1.6V O-D 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9120ESA+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMPARATOR 1 GEN PUR 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Open-Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.6V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Propagation Delay (Max): 45µs
Current - Quiescent (Max): 800nA
Voltage - Input Offset (Max): 5mV
Current - Input Bias (Max): 0.001µA
Current - Output (Typ): 50mA
CMRR, PSRR (Typ): 66.02dB CMRR, 80dB PSRR
Hysteresis: 4mV
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
10+41.59 грн
25+40.76 грн
250+37.50 грн
500+36.75 грн
1000+36.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9120ESA+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMPARATOR 1 GEN PUR 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Open-Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.6V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Propagation Delay (Max): 45µs
Current - Quiescent (Max): 800nA
Voltage - Input Offset (Max): 5mV
Current - Input Bias (Max): 0.001µA
Current - Output (Typ): 50mA
CMRR, PSRR (Typ): 66.02dB CMRR, 80dB PSRR
Hysteresis: 4mV
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9120EXK+Silicon LabsDescription: IC COMPARATOR 1.6V O-D SC70-5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9120EXK+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMPARATOR 1 GEN PUR SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP (5 Lead), SC-88A, SOT-353
Output Type: Open-Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.6V ~ 5.5V
Supplier Device Package: SC-70-5
Propagation Delay (Max): 45µs
Current - Quiescent (Max): 800nA
Voltage - Input Offset (Max): 5mV
Current - Input Bias (Max): 0.001µA
Current - Output (Typ): 50mA
CMRR, PSRR (Typ): 66.02dB CMRR, 80dB PSRR
Hysteresis: 4mV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM9120EXK+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMPARATOR 1 GEN PUR SC70-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP (5 Lead), SC-88A, SOT-353
Output Type: Open-Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.6V ~ 5.5V
Supplier Device Package: SC-70-5
Propagation Delay (Max): 45µs
Current - Quiescent (Max): 800nA
Voltage - Input Offset (Max): 5mV
Current - Input Bias (Max): 0.001µA
Current - Output (Typ): 50mA
CMRR, PSRR (Typ): 66.02dB CMRR, 80dB PSRR
Hysteresis: 4mV
на замовлення 5835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
10+41.59 грн
25+40.76 грн
250+37.50 грн
500+36.75 грн
1000+36.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM917ESA+Silicon LabsDescription: IC COMPARATOR 1.8V P-P 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM917ESA+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMP 1.8V W/REF 8SOIC
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM917ESA+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMP 1.8V W/REF 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM917EUK+Silicon LabsDescription: IC COMPARATOR 1.8V P-P SOT23-5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM917EUK+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMPARATOR W/REF SOT23-5
на замовлення 5804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM917EUK+TSilicon LabsDescription: IC COMPARATOR 1.8V P-P SOT23-5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM917EUK+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMPARATOR W/REF SOT23-5
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM917EUK+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMPARATOR W/REF SOT23-5
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM921CSA+Touchstone SemiconductorDescription: IC COMPARATOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM921CSA+Silicon LabsDescription: IC COMPARATOR SGL REF 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM921CSA+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMPARATOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM921CSA+TSilicon LabsDescription: IC COMPARATOR SGL REF 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM921CUA+Silicon LabsDescription: IC COMPARATOR SGL 8MSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM921CUA+Touchstone SemiconductorDescription: IC COMPARATOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM921CUA+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMPARATOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: CMOS, Push-Pull, TTL
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Type: with Voltage Reference
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 2.5V ~ 11V, ±1.25V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-MSOP
Propagation Delay (Max): 12µs
Current - Quiescent (Max): 3.2µA
Voltage - Input Offset (Max): 10mV @ 2.5V
Current - Output (Typ): 40mA
CMRR, PSRR (Typ): 80dB CMRR, 80dB PSRR
Hysteresis: 50mV
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.08 грн
25+31.43 грн
250+28.90 грн
500+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM921ESA+Touchstone SemiconductorDescription: IC COMPARATOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM921ESA+Silicon LabsDescription: IC COMPARATOR SGL PP 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM921ESA+TSilicon LabsDescription: IC COMPARATOR SGL PP 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM921ESA+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMPARATOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM922CSA+Silicon LabsDescription: IC COMPARATOR DUALP-P 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM922CSA+Touchstone SemiconductorDescription: IC COMPARATOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1649 шт
В кошику  од. на суму  грн.