Продукція > 2SK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK208-R(TE85L,F) | Toshiba | Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK208-R(TE85L,F) | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.75mA; 0.1W; SC59; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 0.75mA Power dissipation: 0.1W Case: SC59 Gate-source voltage: -50V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK208-R(TE85L,F) | Toshiba | Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 1089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK208-R(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SK208-R(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V | на замовлення 4927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK208-R(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300 µA @ 10 V | на замовлення 15539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK208-R(TE85L,F) | Toshiba | Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 1578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK208-R(TE85L,F) | Toshiba | Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK208-R(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SK208-R(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA Durchbruchspannung Vbr: 50V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-236MOD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V | на замовлення 4927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK208-R(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300 µA @ 10 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK208-R(TE85L,F) | Toshiba | Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK208-R(TE85L,F) | Toshiba | JFETs Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA | на замовлення 34512 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK208-V | на замовлення 1920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK208-Y | TOSHIBA | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK208-Y(TE85L,F) | Toshiba | Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 376 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK208-Y(TE85L,F) | Toshiba | Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 1503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK208-Y(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SK208-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-346, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: - isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK208-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V | на замовлення 5513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK208-Y(TE85L,F) | Toshiba | JFETs Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA | на замовлення 10616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK208-Y(TE85L,F) | Toshiba | Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK208-Y(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SK208-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-346, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V | на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK208-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK208-Y(TE85R,F) | Toshiba | Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK208-Y(TE85R,F) | Toshiba | Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK208-Y(TE85RF) | Toshiba | JFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK208001R | FUJI | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK2080O | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK2081O | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK2082 | FUJ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK2082-01 | FUJI | 05+06+ | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK2082-01 Код товару: 132339
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK208201 | FUJI | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK2082O | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK2083 | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK2083-DL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SK2083-DL-E - 2SK2083 - ULTRAHIGH-SPEED SWITCHING tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK2083-DL-E | onsemi | Description: ULTRAHIGH-SPEED SWITCHING Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK2083-DL-E | ON Semiconductor | High field Effect Transistor IC | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK2084L | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK2084L-E | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK2084S | HITACHI | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK2084STL | на замовлення 5900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK2085 | HITACHI | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK2088 | TOSHIBA | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK2089 | SHINDENGEN | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK208Y | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK209 | TOSHIBA | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK209 | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK209 (2SK209-GR) SOT23 транзистор Код товару: 73068
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK209-BL | TOSHIBA | SMD | на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK209-BL(TE85L,F) | Toshiba | Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-BL(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SK209-BL(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V | на замовлення 1756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-BL(TE85L,F) | Toshiba | JFET N-CH 50V 14MA SC59 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK209-BL(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 14 mA Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Power - Max: 150 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V | на замовлення 40728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-BL(TE85L,F) | Toshiba | JFETs N-Ch 10mA -50V FET 150 mW Audio LNA | на замовлення 9918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-BL(TE85L,F) | Toshiba | Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 2067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-BL(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SK209-BL(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA Durchbruchspannung Vbr: 50V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-236 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V | на замовлення 1756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-BL(TE85L,F) | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 14mA; 0.15W; SC59; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 14mA Power dissipation: 0.15W Case: SC59 Gate-source voltage: -50V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA | на замовлення 1602 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-BL(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 14 mA Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Power - Max: 150 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-BL(TE85R) | Toshiba | JFETs S-MINI FET(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK209-GR | Toshiba | JFETs S-MINI FET(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-07), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK209-GR | TOSHIBA | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK209-GR(TE85L) | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 2088 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba | JFET N-CH 50V 14MA SC59 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 14 mA Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Power - Max: 150 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba | Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba | JFETs N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS | на замовлення 49565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-GR(TE85L,F) | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 6.5mA; 0.15W; SC59; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 6.5mA Power dissipation: 0.15W Case: SC59 Gate-source voltage: -50V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA | на замовлення 2188 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba | Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-GR(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V | на замовлення 5132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 14 mA Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Power - Max: 150 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V | на замовлення 16812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba | Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba | Transistor N-Channel JFET; 50V; 14mA; 150mW; -55°C ~ 125°C; 2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-GR T2SK209 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 430 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba | Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 43112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba | Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 1326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-GR(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA Durchbruchspannung Vbr: 50V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-236 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V | на замовлення 5132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba | Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-GR\XR | TOSHIBA | SOT-23 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK209-O | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK209-Y | TOSHIBA | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK209-Y(TE85L,F) Код товару: 168494
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK209-Y(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SK209-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA Durchbruchspannung Vbr: 50V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-236 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 68 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK209-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 14 mA Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Power - Max: 150 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-Y(TE85L,F) | Toshiba | Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 5910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-Y(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SK209-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 14 mA Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Power - Max: 150 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V | на замовлення 10550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-Y(TE85L,F) | Toshiba | JFETs N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS | на замовлення 5369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-Y(TE85L,F) | Toshiba | Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 2197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK209-Y/GR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK2090 | NEC | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK2090(0)-T1-A | Renesas | N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK2090(0)-T1-A | Renesas Electronics Corporation | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK2090-T | NEC | SOT323-G22 | на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK2090-T SOT323-G22 | NEC | на замовлення 2390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK2090-T1 | NEC | 01+ SOT-323 | на замовлення 11400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK2090-T1-A | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 3 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-3, SSP, Miniature Mini Mold Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK2090-T2-A | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA SC70-3 SSP Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Supplier Device Package: SC-70-3, SSP, Miniature Mini Mold Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 3 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK2090-T2-A | Renesas | Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK2091 | SANYO | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK2094 | ROHM | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK2094 TL | ROHM | SOT252/2.5 | на замовлення 1412 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK2094TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 2A CPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

