Продукція > DMC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 30 33 35  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMC1028UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 12V/20V 6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.36W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 787pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1028UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 12V/20V 6A/3.4A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1028UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 12V/20V 6A/3.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1028UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1028UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 12V 6.1A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 787pF @ 6V, 576pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.2A, 4.5V, 80mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 8V, 11.5nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1028UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 12V 6.1A TSOT26
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 8V, 11.5nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.2A, 4.5V, 80mOhm @ 3.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 787pF @ 6V, 576pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Power - Max: 800mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
13+24.83 грн
100+17.27 грн
500+12.65 грн
1000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1028UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 12V/20V 6.1A/3.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1028UVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC1028UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1028UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 12V 6.1A TSOT26
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 8V, 11.5nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.2A, 4.5V, 80mOhm @ 3.8A, 4.5V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 787pF @ 6V, 576pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Power - Max: 800mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.17 грн
6000+9.30 грн
9000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1028UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 12V/20V 6.1A/3.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1028UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 14508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1028UVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC1028UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1029UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V Comp Pair Enh 8Vgs 914pF 10.5nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1029UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A, 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1029UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V Comp Pair Enh 8Vgs 914pF 10.5nC
на замовлення 11973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1029UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A, 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.83 грн
6000+17.67 грн
9000+16.94 грн
15000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1029UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A, 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 119990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+48.68 грн
100+32.08 грн
500+23.39 грн
1000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1030UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.36W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1030UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1030UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1.36W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.34 грн
6000+9.10 грн
9000+8.67 грн
15000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1030UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC1030UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1030UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 6959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1030UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1.36W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 29584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
11+27.47 грн
100+17.61 грн
500+12.55 грн
1000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1030UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC1030UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1030UFDBQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.36W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1030UFDBQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1030UFDBQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC1030UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1030UFDBQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.36W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+36.98 грн
100+24.05 грн
500+17.32 грн
1000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1030UFDBQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 27219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1030UFDBQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1.36W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.91 грн
6000+13.20 грн
9000+12.61 грн
15000+11.21 грн
21000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1030UFDBQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC1030UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1030UFDBQ-7DiodesMOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC10H172SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1119DMC ToolsTool Kits & Cases AF8/AFM8 TOOL KIT W/ ALL MIL POS/TURRETS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1149DMC ToolsTool Kits & Cases MAINTENANCE KIT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1155DMC ToolsTool Kits & Cases Daniels Manufacturing
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1186DMC ToolsTool Kits & Cases Kit AF8 With G125and M22520/1-02-/1-17
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1220DMC ToolsTool Kits & Cases Wiring System Maintenance Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1229UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A, 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1229UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.18 грн
42+18.13 грн
43+17.95 грн
100+14.68 грн
250+13.45 грн
500+12.30 грн
1000+10.34 грн
3000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1229UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
788+17.95 грн
929+15.23 грн
939+15.07 грн
986+13.84 грн
1173+10.77 грн
3000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 788 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1229UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1229UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss
на замовлення 7995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1229UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A, 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+37.97 грн
100+24.59 грн
500+17.68 грн
1000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1229UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1229UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC1229UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1229UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1229UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A, 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1229UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1229UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1229UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC1229UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1229UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1229UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A, 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.16 грн
11+30.12 грн
100+19.41 грн
500+13.88 грн
1000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1229UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC123DMC ToolsTool Kits & Cases Mil 83507/8-01 Tool Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC12BDMC ToolsTool Kits & Cases M83521/6-01 TOOL KIT
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1342STripp LiteDescription: MOBILE TV STAND - HEIGHT ADJUSTA
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1342STripp LiteMounting Fixings DMC1342S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1358DMC ToolsTool Kits & Cases Jam Nut Socket Kit Composite
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1386DMC ToolsTool Kits & Cases M22520/2-01 THRU M22520/2-18 W/G125
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC14001BD
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1436DMC ToolsExtraction, Removal & Insertion Tools INSTALLING/REMOVAL TOOL KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC15/10-G1-35P35Phoenix ContactArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC15/5-G1-35P20THRPhoenix ContactUnspecified Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC15/6-G1F-35-LRP35Phoenix Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1554DMC ToolsOther Tools Jam Nut Socket Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1590-4000-0TE ConnectivityTE Connectivity
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1633DMC ToolsTool Kits & Cases AFM8/3 POSITIONERS/2 PLASTIC I/R KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC169DMC ToolsOther Tools Daniels Manufacturing
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC169ADMC Tools HX4 W/27 DIES & MICROMETER - M83521/7-01
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1924DMC ToolsPliers & Tweezers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC199DMC Tools MH860 Tool Kit with 5 Postioners & Gage
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2 50720P-CAN (9032 0121 44) Inmotech
Код товару: 92172
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.69 грн
6000+11.19 грн
9000+10.67 грн
15000+9.47 грн
21000+9.14 грн
30000+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 828 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 828 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004DWK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2004DWK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.55 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004DWK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 250mW 20V
на замовлення 29806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004DWK-7
Код товару: 213793
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 204556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+32.23 грн
100+20.79 грн
500+14.87 грн
1000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004DWK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2004DWK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.55 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1397+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 1397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004LPK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1612-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.32 грн
6000+9.79 грн
9000+9.32 грн
15000+8.34 грн
21000+7.97 грн
30000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004LPK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004LPK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004LPK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2004LPK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.55 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X1-DFN1612
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004LPK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1612-6
Part Status: Active
на замовлення 121093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
11+28.61 грн
100+18.37 грн
500+13.09 грн
1000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004LPK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004LPK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2004LPK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.55 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X1-DFN1612
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004LPK-7Diodes IncorporatedMOSFETs Complementary
на замовлення 5214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004VKDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004VK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2004VK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 670 mA, 670 mA, 0.55 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 670mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 670mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004VK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 400mW 20V
на замовлення 10029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.67A SOT563
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 670mA, 530mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 450mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004VK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2004VK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 670 mA, 670 mA, 0.55 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 670mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 670mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.67A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 670mA, 530mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 30 33 35  [ Наступна Сторінка >> ]