Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB320N20N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 218000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+159.23 грн
108000+145.50 грн
162000+135.38 грн
216000+123.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 6167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.34 грн
10+172.62 грн
50+133.46 грн
100+113.40 грн
500+93.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+126.55 грн
2000+125.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 412000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+149.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+245.15 грн
59+241.38 грн
100+192.35 грн
500+183.66 грн
1000+157.43 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB320N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 12147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+127.95 грн
2000+126.68 грн
3000+125.41 грн
5000+119.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.15 грн
3000+82.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+126.55 грн
2000+125.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 200V 34A, D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320P10LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320P10LMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB320P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0254 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320P10LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.12 грн
10+213.23 грн
100+151.88 грн
500+135.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320P10LMATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -63A; 300W; D2PAK,TO263
Polarisation: unipolar
Transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -63A
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320P10LMATMA1Infineon TechnologiesIPB320P10LMATMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320P10LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320P10LMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB320P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0254 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0254ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB330P10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0268 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0268ohm
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+227.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+136.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+293.48 грн
50+285.23 грн
200+284.05 грн
500+272.77 грн
1000+223.10 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB330P10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0268 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0268ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0268ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+286.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+256.19 грн
10+219.79 грн
25+217.62 грн
100+182.03 грн
250+164.75 грн
500+149.92 грн
1000+147.74 грн
3000+146.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.10 грн
10+238.29 грн
50+186.63 грн
100+159.53 грн
500+141.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+255.76 грн
500+245.15 грн
1000+231.01 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+256.19 грн
65+217.62 грн
100+182.03 грн
250+164.75 грн
500+149.92 грн
1000+147.74 грн
3000+146.85 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+161.33 грн
90+157.18 грн
98+145.58 грн
100+139.02 грн
250+127.38 грн
500+121.07 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+158.60 грн
10+156.33 грн
25+143.70 грн
100+137.20 грн
250+125.78 грн
500+119.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 26A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+194.83 грн
12000+178.90 грн
18000+167.33 грн
24000+153.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 26A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.47 грн
10+156.16 грн
100+108.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB34Eaton ElectricalCircuit Breaker Accessories JD / KD Interphase Barriers/ 4P BRKs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB34CN10NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35CN10NGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L-26Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1Infineon
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.52 грн
10+123.18 грн
100+84.89 грн
500+66.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0203 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.17 грн
10+139.64 грн
50+106.85 грн
100+90.36 грн
500+72.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N12S3L26ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 100+
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N12S3L26ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+51.77 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N12S3L26ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB4Eaton Electrical LD INTERPHASE BARRIER EXTERNAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB407N30NATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB407N30NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 300V 44A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+693.68 грн
10+458.46 грн
100+340.17 грн
500+293.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB407N30NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB407N30NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB407N30NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB407N30NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 300V 44A D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB407N30NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB407N30NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB407N30NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N04S4L-08Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 45A D2PAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N04S4L-08Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+31.90 грн
Мінімальне замовлення: 693 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N06S3-16Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 45A TO263-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N06S3-16INF09+
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N06S3L-13Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 45A TO263-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 26A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N06S4-09Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N06S409ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N06S409ATMA2Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N06S409ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N06S409ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N06S4L-08Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N06S4L08ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N06S4L08ATMA3INFINEONDescription: INFINEON - IPB45N06S4L08ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS-T2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N06S4L08ATMA3Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.55 грн
10+96.99 грн
100+65.83 грн
500+49.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N06S4L08ATMA3INFINEONDescription: INFINEON - IPB45N06S4L08ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS-T2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N06S4L08ATMA3Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+50.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N06S4L08ATMA3Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45P03P4L-11Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -45A D2PAK-2 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45P03P4L11ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 45A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45P03P4L11ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45P03P4L11ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 45A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB47N10S-33Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB47N10S-33INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB47N10S-33Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 47A D2PAK-2 SIPMOS
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB47N10S33INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB47N10S33ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB47N10S33ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB47N10S33ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+72.27 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB47N10SL-26Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 47A D2PAK-2 SIPMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB47N10SL-26Infineon TechnologiesDescription: IPB47N10 - 75V-100V N-CHANNEL AU
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB47N10SL26ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
iPB48003A150V-001-RTDK-LambdaIsolated DC/DC Converters 45W 15V 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
iPB48004A120V-001-RTDK-LambdaIsolated DC/DC Converters 48W 12V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
iPB48010A033V-001-RTDK-LambdaIsolated DC/DC Converters 33W 3.3V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]