Продукція > SI3
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI3406FBC3-KIT | Skyworks Solutions | Si3406 Power Over Ethernet Controller Evaluation Kit | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3406FBC3-KIT | Skyworks Solutions, Inc. | Power Management IC Development Tools | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3407-13P | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3407-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 2.9A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3407-TP | Micro Commercial Components Corp. | Transistor P-MOSFET; 30V; 20V; 60mOhm; 4.1A; 1,3W; -55°C~150°C; SI3407-TP-HF TSI3407-TP-HF кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3407-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3407-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 2.9A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 20212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3407-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3407-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs P-Channel MOSFET | на замовлення 18867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3407-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3407-TP-HF | Micro Commercial Co | Description: Interface Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 2.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI34071-A01-GM | Skyworks Solutions | 17 W 803.3bt PoE PSE and PD Solutions | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 31 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI34071-A01-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Power Switch ICs - POE/LAN IEEE 802.3bt Type 3 and 4 PD interface with high-efficiency dc-dc converter | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI34071-A01-GM | Skyworks Solutions | 17 W 803.3bt PoE PSE and PD Solutions | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI34071-A01-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: 802.3BT PD WITH INTEGRATED DC DC Power - Max: 71 W Number of Channels: 1 Part Status: Active Auxiliary Sense: No Supplier Device Package: 32-QFN (5x5) Standards: 802.3at (PoE+), 802.3bt Internal Switch(s): No Type: Controller (PD), DC/DC Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 32-QFN Packaging: Tube | на замовлення 1058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI34071-A01-GMR | Skyworks Solutions, Inc. | Power Switch ICs - POE/LAN IEEE 802.3bt Type 3 and 4 PD interface with high-efficiency dc-dc converter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI34071-A01-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: 802.3BT PD WITH INTEGRATED DC DC Power - Max: 71 W Number of Channels: 1 Part Status: Active Auxiliary Sense: No Supplier Device Package: 32-QFN (5x5) Standards: 802.3at (PoE+), 802.3bt Internal Switch(s): No Type: Controller (PD), DC/DC Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 32-QFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 8299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI34071-A01-GMR | Skyworks Solutions | 17 W 803.3bt PoE PSE and PD Solutions | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI34071-A01-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: 802.3BT PD WITH INTEGRATED DC DC Power - Max: 71 W Number of Channels: 1 Part Status: Active Auxiliary Sense: No Supplier Device Package: 32-QFN (5x5) Standards: 802.3at (PoE+), 802.3bt Internal Switch(s): No Type: Controller (PD), DC/DC Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 32-QFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI34071-A01-GMR | Skyworks Solutions | 17 W 803.3bt PoE PSE and PD Solutions | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI34071-A01-GMR | Skyworks Solutions | 17 W 803.3bt PoE PSE and PD Solutions | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI34071-A01-GMR | Skyworks Solutions | 17 W 803.3bt PoE PSE and PD Solutions | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI34071AC12V8KIT | Skyworks Solutions | SI34071AC12V8KIT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI34071AC12V8KIT | Skyworks Solutions, Inc. | Power Management IC Development Tools | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI34071AC5V8KIT | Skyworks Solutions, Inc. | Power Management IC Development Tools | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI34071AC5V8KIT | Skyworks Solutions Inc. | Description: SI34071 FORWARD CONVERTER EVB Part Status: Active Supplied Contents: Board(s) Utilized IC / Part: Si34071 Type: Power Management Function: Power Over Ethernet (POE), PSE Packaging: Box | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI34071FW24V7KIT | Skyworks Solutions, Inc. | Power Management IC Development Tools Isolated 802.3bt 62W 24V PoE PD Eval Kit | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI34071WA5V8KIT | Silicon Laboratories | SI34071WA5V8 Power Over Ethernet Controller Evaluation Kit | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI34071WA5V8KIT1 | Skyworks Solutions, Inc. | Power Management IC Development Tools Class 8, 5V forward converter evaluation kit for Si34071 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3407DV | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SI3407DV-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3407DV-T1-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3407DV-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3407DV-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TSOP6 P-CH 20V 7.5A | на замовлення 81426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| Si3407DV-T1-E3 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| Si3407DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| Si3407DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3407DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| Si3407DV-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -8A Pulsed drain current: -25A Power dissipation: 4.2W Case: SC74; TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 32.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 2518 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3407DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| Si3407DV-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 | на замовлення 57482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| Si3407DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V | на замовлення 54051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3407DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3407DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3407DV-T1-GE3 . | VISHAY | Description: VISHAY - SI3407DV-T1-GE3 . - P CHANNEL MOSFET, -20V, -8A, TSOP-6 tariffCode: 85411000 MSL: MSL 1 - Unlimited productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 6Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 | на замовлення 1363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3407HE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs P-Channel MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3407HE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3407HE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3407HE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3410DV | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| Si3410DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.1W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 6-TSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| Si3410DV-T1-E3 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| Si3410DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| Si3410DV-T1-GE3 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SI3410DV-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI3410DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.1W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 15679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| Si3410DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V | на замовлення 12997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3410DV-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI3410DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 4.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.1W Bauform - Transistor: TSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 15679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| Si3410DV-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSOP-6 | на замовлення 17212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3410DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3415-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3415-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 10 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3415-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3415-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3415-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3415-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3415-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 10 V | на замовлення 20140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3415A-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3415A-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tj) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | на замовлення 6994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3415A-TP | MCC Corp. | P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3415A-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs -20V, -4.2A,P Channe l Mosfet | на замовлення 3389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3415B-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.6A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3415B-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET P-Ch 20Vds 12Vgs 1.3W -5.6A -23A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3415B-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.6A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3415BS-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MCC P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3415BS-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: Interface Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.6A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3415C-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3415C-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3415CHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3415CHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 20V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3415CHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W | на замовлення 5740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3415CHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 20V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3415CHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3415D-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: SMALL SINGAL MOSFETS,SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3415U-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3417DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3417DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3417DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3417DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3417DV-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI3417DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 2168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3417DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V | на замовлення 10222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3417DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3417DV-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6 | на замовлення 43145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3417DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3417DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 7.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3417DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3417DV-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI3417DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 2168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3420-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3420A-13P | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-Ch 20Vds 10Vgs FET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3420A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 243000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3420A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

