Продукція > si3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI34071-A01-GMRSkyworks Solutions, Inc.Power Switch ICs - POE/LAN 802.3bt 71W PoE PD interface with dc-dc
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI34071-A01-GMRSkyworks Solutions17 W 803.3bt PoE PSE and PD Solutions
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+812.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI34071AC12V8KITSkyworks SolutionsSi34071 Isolated 12 V/6 A Output EVB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI34071AC12V8KITSkyworks Solutions Inc.Description: EVAL BOARD FOR SI34071
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI34071AC12V8KITSkyworks Solutions, Inc.Power Management IC Development Tools Isolated 802.3bt 71W 12V PoE PD Eval Kit
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI34071AC12V8KITSkyworks SolutionsSi34071 Isolated 12 V/6 A Output EVB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12137.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI34071AC5V8KITSkyworks Solutions Inc.Description: EVAL BOARD FOR SI34071
Packaging: Box
Function: Power Over Ethernet (POE), PSE
Type: Power Management
Utilized IC / Part: Si34071
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI34071AC5V8KITSkyworks Solutions, Inc.Power Management IC Development Tools Isolated 802.3bt 71W 5V PoE PD Eval Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI34071FW24V7KITSkyworks Solutions Inc.Description: SI34071FW24V7KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI34071FW24V7KITSkyworks Solutions, Inc.Power Management IC Development Tools Isolated 802.3bt 24V PoE PD Eval Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI34071WA5V8KITSilicon LaboratoriesSI34071WA5V8 Power Over Ethernet Controller Evaluation Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI34071WA5V8KIT1Skyworks Solutions Inc.Description: EVAL BOARD FOR SI34071
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI34071WA5V8KIT1Skyworks Solutions, Inc.Power Management IC Development Tools Class 8, 5V forward converter evaluation kit for Si34071
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3407DV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.02 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
на замовлення 5974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.36 грн
10+32.46 грн
50+23.72 грн
100+19.62 грн
500+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 P-CH 20V 7.5A
на замовлення 78405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3407DV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.02 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
на замовлення 53039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.36 грн
10+32.46 грн
50+23.72 грн
100+19.62 грн
500+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 4.2W
Case: SC74; TSOP6
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -25A
Gate charge: 63nC
Drain current: -8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 32.7mΩ
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.80 грн
18+24.01 грн
25+22.02 грн
50+20.52 грн
100+19.20 грн
500+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
476+29.80 грн
523+27.13 грн
Мінімальне замовлення: 476 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6
на замовлення 13645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.77 грн
9000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-GE3 .VISHAYDescription: VISHAY - SI3407DV-T1-GE3 . - P CHANNEL MOSFET, -20V, -8A, TSOP-6
tariffCode: 85411000
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407HE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
18+17.28 грн
100+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407HE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407HE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407HE3-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3410BDV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 5881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3410DV
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3410DV-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3410DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3410DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.54 грн
10+53.25 грн
50+39.52 грн
100+32.91 грн
500+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3410DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 17212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3410DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3410DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3410DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0195 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 4.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 4.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
на замовлення 7478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3410DV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 30A; 4.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 4.1W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3410DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3410DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0195 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 4.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
на замовлення 7478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3410DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 10 V
на замовлення 20140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.61 грн
13+23.63 грн
100+15.05 грн
500+10.64 грн
1000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.44 грн
6000+9.35 грн
9000+8.16 грн
15000+7.79 грн
21000+7.10 грн
24000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.95 грн
6000+7.85 грн
9000+7.46 грн
15000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.44 грн
6000+9.35 грн
9000+8.16 грн
15000+7.79 грн
21000+7.10 грн
24000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs -20V, -4.2A,P Channe l Mosfet
на замовлення 3389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415A-TPMCC Corp.P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 6994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
13+24.53 грн
100+15.64 грн
500+11.06 грн
1000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415B-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415B-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET P-Ch 20Vds 12Vgs 1.3W -5.6A -23A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415B-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415BS-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415BS-TPMicro Commercial Components (MCC)MCC P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415C-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415C-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415CHE3-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI3415CHE3-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415CHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415CHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 20V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.13 грн
34+22.26 грн
35+22.05 грн
50+21.05 грн
100+10.88 грн
250+10.34 грн
500+9.00 грн
1000+6.79 грн
3000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415CHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415CHE3-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI3415CHE3-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415CHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 20V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2492+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 2492 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415CHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
14+21.39 грн
100+13.34 грн
500+9.63 грн
1000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415D-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: SMALL SINGAL MOSFETS,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3415U-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.12 грн
9000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.7W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3417DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 5268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 11229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.15 грн
11+28.72 грн
50+20.96 грн
100+17.29 грн
500+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 43145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3417DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 5268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-13PMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch 20Vds 10Vgs FET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-13PMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI3420A-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.76 грн
9000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 618000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.51 грн
6000+9.41 грн
9000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.