Продукція > CSD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD75207W15Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 3.9A 9-Pin DSBGA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75207W15Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 3.9A 9-Pin DSBGA T/R
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75207W15Texas InstrumentsMOSFETs Dual P-CH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 6684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.54 грн
10+42.16 грн
100+23.95 грн
500+18.43 грн
1000+16.71 грн
3000+14.43 грн
6000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75207W15Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 1A, 1.8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+44.80 грн
100+29.29 грн
500+21.22 грн
1000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75207W15Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 3.9A 9-Pin DSBGA T/R
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+24.29 грн
33+23.31 грн
100+20.19 грн
250+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75208W1015TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD75208W1015 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.056 ohm, DSBGA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 750
Bauform - Transistor: DSBGA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Betriebstemperatur, max.: 85
Schwellenspannung Vgs: 800
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75208W1015Texas InstrumentsMOSFETs 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD75208W1015T
на замовлення 8094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.82 грн
13+24.69 грн
100+14.70 грн
500+11.18 грн
1000+10.42 грн
3000+10.01 грн
6000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75208W1015Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.61 грн
6000+10.74 грн
9000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75208W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-Pin DSBGA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75208W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-Pin DSBGA T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
631+22.48 грн
698+20.33 грн
705+20.13 грн
769+17.80 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 631 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75208W1015TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD75208W1015 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.056 ohm, DSBGA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 750
Bauform - Transistor: DSBGA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Betriebstemperatur, max.: 85
Schwellenspannung Vgs: 800
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75208W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-Pin DSBGA T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+24.09 грн
34+22.48 грн
100+19.60 грн
250+17.97 грн
500+15.82 грн
1000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75208W1015Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
на замовлення 10732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
18+17.05 грн
100+13.75 грн
500+11.79 грн
1000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75208W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-Pin DSBGA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75208W1015TTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
на замовлення 4432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
10+62.67 грн
100+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75208W1015TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-Pin DSBGA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75208W1015TTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+38.79 грн
500+33.76 грн
750+32.21 грн
1250+28.02 грн
1750+27.28 грн
2500+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75208W1015TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-Pin DSBGA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75208W1015TTexas InstrumentsMOSFETs 20V PCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD7520 A 595-CSD75208W1015
на замовлення 8784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.64 грн
10+78.52 грн
100+39.63 грн
500+34.03 грн
1000+30.72 грн
2500+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75211W1723Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-DSBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75301W1015TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD75301W1015 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.2 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 800mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
Bauform - Transistor: DSBGA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.40 грн
22+37.69 грн
100+32.30 грн
500+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75301W1015Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 800mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75301W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.2A 6-Pin DSBGA T/R
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1164+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 1164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75301W1015Texas InstrumentsMOSFETs P-Ch-Dual Common Source Pwr MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75301W1015Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Obsolete
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD83325LTexas InstrumentsMOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET dua A 595-CSD83325LT
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.34 грн
16+20.80 грн
100+14.57 грн
500+13.88 грн
3000+13.81 грн
6000+12.15 грн
9000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD83325LTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PicoStar
Part Status: Active
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
15+20.79 грн
25+18.58 грн
100+15.12 грн
250+14.02 грн
500+13.35 грн
1000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD83325LTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PicoStar
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD83325LTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 8A 6-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD83325LTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PicoStar
Part Status: Active
на замовлення 361750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
808+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 808 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD83325LTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 8A 6-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD83325LTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 8A 6-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD83325LTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PicoStar
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 2.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+42.05 грн
500+38.84 грн
750+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD83325LTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 8A 6-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD83325LTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD83325LT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0099 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.3
Bauform - Transistor: PICOSTAR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0099
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 950
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD83325LTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 8A 6-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD83325LTTexas InstrumentsMOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD83325L
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.19 грн
10+49.14 грн
100+35.35 грн
500+33.14 грн
1000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD83325LTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 8A 6-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD83325LTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD83325LT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0099 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.3
Bauform - Transistor: PICOSTAR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0099
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 950
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD83325LTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PicoStar
Part Status: Active
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.44 грн
10+54.22 грн
25+49.00 грн
100+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD83325LTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 8A 6-Pin PicoStar T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+56.10 грн
500+51.79 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 469pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.03 грн
10+31.11 грн
100+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2Texas InstrumentsMOSFETs CSD85301Q2 Dual N- C hannel Power MOSFET A 595-CSD85301Q2T
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.51 грн
10+34.85 грн
100+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 469pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2Texas InstrumentsMOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2G4Texas InstrumentsMOSFETs 20-V N channel NexF ET power MOSFET dua
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 469pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.50 грн
10+74.94 грн
100+42.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2TTexas InstrumentsMOSFETs Dual N-Channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD85301Q2
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+76.45 грн
100+38.59 грн
500+33.14 грн
1000+29.89 грн
2500+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 469pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+44.18 грн
500+37.09 грн
750+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 26A; 2.3W; WSON6
Mounting: SMD
Case: WSON6
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 99mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 26A
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET x2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD85301Q2T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTexas Instruments20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.80 грн
20+39.47 грн
25+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTexas Instruments20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 4PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 4-Picostar (1.31x1.31)
Part Status: Active
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.81 грн
10+31.41 грн
100+20.33 грн
500+14.57 грн
1000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTexas Instruments20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 4PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 4-Picostar (1.31x1.31)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTexas InstrumentsMOSFETs 20V Dual N ch MOSFET A 595-CSD85302LT A A 595-CSD85302LT
на замовлення 5331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.60 грн
10+36.36 грн
100+20.57 грн
500+15.81 грн
1000+14.15 грн
3000+12.08 грн
6000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 4PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 4-Picostar (1.31x1.31)
Part Status: Active
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+41.68 грн
500+36.40 грн
750+34.50 грн
1250+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTTexas Instruments20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTTEXAS INSTRUMENTSCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.7W; PICOSTAR4; ESD
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common drain
Case: PICOSTAR4
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET x2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTTexas InstrumentsMOSFETs 20V Dual N ch MOSFET A 595-CSD85302L A 5 A 595-CSD85302L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTTexas Instruments20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 4PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 4-Picostar (1.31x1.31)
Part Status: Active
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.15 грн
10+73.74 грн
100+49.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTTexas Instruments20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.97 грн
34+22.42 грн
35+22.10 грн
100+19.74 грн
250+18.06 грн
500+16.98 грн
1000+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85312Q3ETexas InstrumentsMOSFETs Dual 20V N-CH Pwr MO SFETs
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.25 грн
10+80.18 грн
100+46.46 грн
500+36.66 грн
1000+33.55 грн
2500+30.03 грн
5000+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85312Q3ETexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.44 грн
5000+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85312Q3ETexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 6458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
456+43.56 грн
Мінімальне замовлення: 456 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85312Q3ETexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 7468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.15 грн
10+74.26 грн
100+49.73 грн
500+36.82 грн
1000+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86311W1723Texas InstrumentsPower Block 12-Pin Wafer T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86311W1723Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 2A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-DSBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86311W1723Texas InstrumentsPower Block 12-Pin Wafer T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86311W1723Texas InstrumentsPower Block 12-Pin Wafer T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+52.61 грн
273+52.08 грн
311+45.66 грн
313+43.77 грн
500+36.52 грн
1000+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86311W1723TI BGA 1127+
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86311W1723Texas InstrumentsPower Block 12-Pin Wafer T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.07 грн
15+52.61 грн
25+52.08 грн
100+44.03 грн
250+40.53 грн
500+35.06 грн
1000+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86311W1723Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 2A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-DSBGA
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.88 грн
10+54.52 грн
100+37.92 грн
500+28.59 грн
1000+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86311W1723Texas InstrumentsMOSFETs Dual N-Channel Nex F ET Pwr MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.90 грн
10+64.54 грн
100+37.35 грн
500+29.27 грн
1000+26.65 грн
3000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330EVM-717Texas InstrumentsDescription: EVAL MODULE FOR CSD86330Q3D
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: CSD86330, TPS53219
Board Type: Fully Populated
Regulator Topology: Buck
Frequency - Switching: 500kHz
Current - Output: 5A
Voltage - Input: 9V ~ 13.2V
Voltage - Output: 1.2V
Packaging: Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4217.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330EVM-717Texas InstrumentsPower Management IC Development Tools CSD86330EVM-717
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330Q3DTI
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330Q3DTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86330Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 20 A, 20 A, 4.6 ohm
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330Q3DTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin SON EP T/R
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.88 грн
10+124.25 грн
25+123.00 грн
100+106.79 грн
250+97.88 грн
500+84.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330Q3DTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin SON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+84.65 грн
5000+81.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330Q3DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 14A, 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.36 грн
10+129.46 грн
100+89.34 грн
500+67.73 грн
1000+64.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330Q3DTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86330Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 20 A, 20 A, 4.6 ohm
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330Q3DTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330Q3DTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin SON EP T/R
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.88 грн
115+124.25 грн
116+123.00 грн
128+106.79 грн
250+97.88 грн
500+84.73 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330Q3DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 14A, 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 6W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.02 грн
5000+57.00 грн
7500+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330Q3DTexas InstrumentsMOSFETs Sync Buck NexFET Pwr Block MOSFET
на замовлення 11627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.24 грн
10+120.67 грн
100+76.63 грн
500+64.13 грн
1000+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330Q3DTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86336Q3DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.68 грн
10+88.70 грн
100+59.94 грн
500+44.72 грн
1000+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86336Q3DTexas InstrumentsMOSFETs 25-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD86336Q3DT
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+91.30 грн
100+57.85 грн
500+45.98 грн
1000+42.39 грн
2500+37.49 грн
5000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86336Q3DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]