Продукція > STB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STB80NE03L-06T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NE06
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NE06-10STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NE06-10ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NE06-10T4STM07+ TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NE06-10T4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF03LSTTO-263
на замовлення 6901 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF03L-04STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 80 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF03L-04STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF03L-04-1
Код товару: 131605
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF03L-04-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -60°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF03L-04-1STMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 30V-0.0035ohms 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF03L-04T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -60°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF03L-04T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB80NF03L-04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+351.96 грн
10+240.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF03L-04T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 531-540 дні (днів)
2+255.31 грн
10+225.47 грн
100+160.85 грн
500+136.69 грн
1000+115.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF03L-04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+389.34 грн
56+257.04 грн
100+215.46 грн
500+196.83 грн
1000+163.69 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF03L-04T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -60°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.75 грн
10+204.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF03L-04T4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF03L-04TT4STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF06T4ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF06T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 60 Volt 80 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF1ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF10ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.51 грн
10+160.72 грн
100+112.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+125.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+125.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF10T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 80 Amp
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.87 грн
10+160.37 грн
100+97.34 грн
500+85.60 грн
1000+79.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF10T4STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+99.28 грн
2000+99.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+99.22 грн
2000+98.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF10T4STTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C; STB80NF10T4 STB80NF10 TSTB80NF10
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+77.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+132.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF12ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55ST05+ SOT153
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-06ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-06STMicroelectronicsMOSFETs N-Channel 55V - 0.005Ohm - 80A StripFET(TM) II POW, POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-06-1STMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 55V-0.005ohms 80A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-06-1
Код товару: 167211
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-06-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-06-1SamtecSamtec
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-06-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-06-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-06-T4ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+134.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+84.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+134.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+135.74 грн
2000+124.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-06T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 55 Volt 80 Amp
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.12 грн
10+165.13 грн
100+100.10 грн
500+82.15 грн
1000+75.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+135.65 грн
2000+124.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.97 грн
10+155.48 грн
100+108.34 грн
500+82.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-08ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-08-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-08-1STMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-08-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-08AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-08AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-08AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB80NF55-08AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+151.41 грн
500+112.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-08AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-08AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 55 V, 6.5 mOhm typ 80 A STripFET Power MOSFET
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.71 грн
100+215.14 грн
250+172.59 грн
500+156.02 грн
1000+91.82 грн
2000+86.98 грн
5000+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-08AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-08AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB80NF55-08AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.93 грн
10+157.86 грн
100+128.06 грн
500+100.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-08T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55-08T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55L
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55L-06ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55L-06T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 55V-0.005ohms 80A
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.56 грн
250+170.69 грн
500+138.76 грн
1000+113.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55L-06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.42 грн
10+235.97 грн
25+233.60 грн
100+223.07 грн
250+204.44 грн
500+194.32 грн
1000+133.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55L-06T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB80NF55L-06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+272.22 грн
10+235.98 грн
100+179.60 грн
500+157.05 грн
1000+111.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55L-06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55L-06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+238.42 грн
61+233.60 грн
100+223.07 грн
250+204.44 грн
500+194.32 грн
1000+133.57 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55L-06T4
Код товару: 174530
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55L-06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55L-08ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55L-08-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55L-08-1
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55L-08-1STMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 55V-0.0065ohms 80A
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.68 грн
10+196.09 грн
100+140.14 грн
500+119.43 грн
1000+100.10 грн
2000+94.58 грн
10000+93.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF55L-08T4STMN-CHANNEL 55V - 0.0065. - 80A - TO-220/D2PAK/I2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF75LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF75L-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NF75LT4STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80PF55ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80PF55-1STMicroelectronicsMOSFETs P-channel 55 V, 0.016 Ohm, 80 A STripFE II Power M, POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80PF55LT4G
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80PF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80PF55T4ST05+ SSOP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80PF55T4STMicroelectronicsMOSFETs P-Ch 55 Volt 80 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80PF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80PF55T4STMP-CH,PWR-MOS-FET,80A,55V,0,018OHM,TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB85NF3LLST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB85NF3LL-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB85NF3LLT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB85NF3LLT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB85NF3LLT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 85 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB85NF55ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB85NF55LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB85NF55LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB85NF55LT4
Код товару: 131412
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]