Продукція > si4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4447ADY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 10781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+28.97 грн
507+27.92 грн
1000+27.01 грн
2500+25.28 грн
5000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 489 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+72.60 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3Vishay SiliconixSI4447ADY-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC Мікросхеми електроживлення
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
на замовлення 13520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.57 грн
10+42.45 грн
50+31.24 грн
100+25.93 грн
500+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3SiliconixTrans MOSFET P-CH 40V 5.5A 8-Pin SOIC N SI4447ADY-T1-GE3 TSI4447ady
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 37588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.85 грн
5000+30.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.62 грн
7500+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-E3
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V 4.5A 2.0W 54mohm @ 10V
на замовлення 5340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.47 грн
10+49.02 грн
100+33.98 грн
500+26.64 грн
1000+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-E3Vishay BC ComponentsMOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V 4.5A 2.0W 54mohm @ 10V
на замовлення 3596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO Мікросхеми електроживлення
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.67 грн
5000+26.22 грн
10000+24.72 грн
25000+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.68 грн
10+48.56 грн
100+33.64 грн
500+26.38 грн
1000+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.15 грн
24+31.80 грн
28+27.42 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4448DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4448DY-T1-E3
Код товару: 49681
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4448DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4448DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4448DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4450SI
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4450DYVishay / SiliconixMOSFETs 60V 7.5A 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4450DYonsemi / FairchildMOSFETs SO8 PCH 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4450DY-E3SIX
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4450DY-T1SI00+
на замовлення 880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4450DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4450DYT1E3VISHAY
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4450Y-T1
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4451DYVISHAY09+
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4451DY-E3VISHAY
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4451DY-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 4823 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4451DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4451DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 14A 3.0W 8.25mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4451DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4451DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4453DY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4453DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4453DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4453DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4453DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4454SISOP-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-B1A-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -116dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 283MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 10mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-B1A-FMSilicon LabsRF Transceiver +13/-116 dBm sub-GHz transceiver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-B1A-FMSilicon Laboratories+13/-116 dBm Sub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-B1A-FMSilicon LabsSI4455-B1A-FM SI4455
кількість в упаковці: 91 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-B1A-FMRSilicon Laboratories+13/-116 dBm Sub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-B1A-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -116dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 283MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 10mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.92 грн
10+287.40 грн
25+271.80 грн
100+235.01 грн
250+222.99 грн
500+214.49 грн
1000+203.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-B1A-FMRSilicon Laboratories+13/-116 dBm Sub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-B1A-FMRSilicon LabsQFN 20/-40 TO 85 OC/SI4455 EZRADIO TRANSCEIVER SI4455XXX
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-B1A-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Modulation: FSK, GFSK, OOK
GPIO: 4
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
Current - Transmitting: 18mA ~ 30mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Receiving: 10mA
Power - Output: 13dBm (Max)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: TxRx Only
Frequency: 283MHz ~ 960MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -116dBm
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
Serial Interfaces: SPI
DigiKey Programmable: Not Verified
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+184.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-B1A-FMRSilicon LabsRF Transceiver +13/-116 dBm sub-GHz transceiver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-AMSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-AMRSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMSilicon LabsRF Transceiver +13/-116 dBm sub-GHz transceiver
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -115dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 284MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 10.9mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 19mA ~ 24mA
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.92 грн
10+287.40 грн
25+271.80 грн
100+235.01 грн
490+214.73 грн
980+206.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 10375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+303.08 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Part Status: Active
Serial Interfaces: SPI
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
DigiKey Programmable: Not Verified
Modulation: FSK, GFSK, OOK
GPIO: 4
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
Current - Transmitting: 19mA ~ 24mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Receiving: 10.9mA
Power - Output: 13dBm
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: TxRx Only
Frequency: 284MHz ~ 960MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -115dBm
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 93895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.92 грн
10+287.40 грн
25+271.80 грн
100+235.01 грн
250+222.99 грн
500+214.49 грн
1000+203.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMRSilicon LabsRF Transceiver +13/-116 dBm sub-GHz transceiver
на замовлення 38596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+297.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 13531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Modulation: FSK, GFSK, OOK
GPIO: 4
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
Current - Transmitting: 19mA ~ 24mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Receiving: 10.9mA
Power - Output: 13dBm
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: TxRx Only
Frequency: 284MHz ~ 960MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -115dBm
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Serial Interfaces: SPI
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+184.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 13531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+225.64 грн
64+224.01 грн
100+214.45 грн
250+197.12 грн
500+187.83 грн
1000+186.44 грн
3000+185.05 грн
6000+183.66 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 10375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-ZM1Silicon LabsDescription: IC RF TXRX MCU ISM QFN QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-ZM1Silicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +13/-116dBm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-ZM1RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX MCU ISM QFN QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-ZM1RSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +13/-116dBm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-E3
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -2.3A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 315mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.9W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4455DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.245 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -2.3A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 315mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4455DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.245 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4456DY
Код товару: 130933
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]