Продукція > 2SD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1805T | SANYO | на замовлення 12730 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SD1805T-TL | SANYO | 07+ | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1806 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1807 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1808A | на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1809 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD181 | TOS/HIT | 98+ TO-3 | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1810 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1813 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1814 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1815 | onsemi | BIP NPN 3A 100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815-Q-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815-R-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D-Pak Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815-S-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815-T-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815S-E | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V | на замовлення 1454 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815S-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815S-E | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815S-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1815S-E - TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 100V, 3A-TO251 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 77900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815S-H | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815S-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1815S-H - 2SD1815S-H, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815S-H | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1815S-TL-E | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A TP-FA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1815S-TL-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815S-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815S-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1815S-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1815S-TL-E | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815S-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 298900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1815S-TL-E | SANYO | 08+ TO-252 | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815S-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 31150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1815S-TL-H | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815S-TL-H | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815T | на замовлення 58000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1815T-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1815T-E - 2SD1815T-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 15538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815T-E | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815T-E | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V | на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815T-E | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | на замовлення 15528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1815T-H | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815T-TL-E | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A TP-FA Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | на замовлення 41990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1815T-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815T-TL-E | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815T-TL-E | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V | на замовлення 1846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815T-TL-E | SANYO | SOT-252 | на замовлення 22400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815T-TL-H | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815T-TL-H | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815TR-AQ | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, DPAK, 100V, 3000mA, NPN, AEC-Q101 | на замовлення 1613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815TR-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 20W; DPAK; automotive industry Collector current: 3A Pulsed collector current: 6A Power dissipation: 20W Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 200...400 Frequency: 180MHz Application: automotive industry Polarisation: bipolar Case: DPAK Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1815TR-AQ | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 100V 3A TO252 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1816 | Sanyo | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816 | SANYO | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SD1816 | onsemi | BIP NPN 4A 100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816S-E | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V | на замовлення 164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816S-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816S-E | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 4A TP Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TP Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816S-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816S-H | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1816S-H | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 4A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | на замовлення 41000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1816S-H | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816S-H | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1816S-H | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 4A TP Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TP Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816S-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816S-TL-E | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1816S-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 569100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1816S-TL-E | Sanyo Electric | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1816S-TL-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER | на замовлення 858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816S-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1816S-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1816S-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 611600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816S-TL-E | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1816S-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 41800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1816S-TL-EX | onsemi | Description: 4A, 100V, NPN, TO-252 Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816S-TL-H | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | на замовлення 221422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1816S-TL-H | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 149800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1816S-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1816S-TL-H - TRANSISTOR, NPN, 100V, 4A, 20W, TO-252 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 222122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816S-TL-H | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1816S-TL-H | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816S-TL-H | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1816S-TL-H | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 55600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1816S-TL-H | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TP-FA Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816S-TL-H | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816S-TL-H | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1816S-TL-HQ | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK/TP-FA Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: DPAK/TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | на замовлення 102798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1816S-TL-HQ | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1816S-TL-HQ - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 102798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816T-E | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 4A TP Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TP Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816T-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1816T-E - 2SD1816T-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 17600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816T-E | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V | на замовлення 961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816T-H | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816T-H | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 4A TP Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TP Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816T-TL | на замовлення 3780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1816T-TL-E | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: TP-FA Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816T-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1816T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 20W SVHC: Lead (10-Jun-2022) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816T-TL-E | SANYO | 04+ TO-252 | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816T-TL-E | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816T-TL-E | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SD1816T-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1816T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 20W SVHC: Lead (10-Jun-2022) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816T-TL-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816T-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816T-TL-H | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816T-TL-H | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 1W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Power dissipation: 1W Collector current: 4A Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 200...400 Frequency: 180MHz Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1816T-TL-H | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: TP-FA Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

