Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 33 36 38  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP32D9UFO-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0604
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: X2-DFN0604-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.21 грн
20000+1.97 грн
30000+1.96 грн
50000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D9UFO-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0604
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: X2-DFN0604-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 369950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
31+10.04 грн
100+6.24 грн
500+4.29 грн
1000+3.78 грн
2000+3.35 грн
5000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D9UFO-7BDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0604-3 T&R 10K
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+21.13 грн
23+14.26 грн
100+7.87 грн
1000+3.55 грн
2500+3.07 грн
10000+2.30 грн
20000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D9UFZ-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.5 pF @ 15 V
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.54 грн
20000+5.92 грн
30000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D9UFZ-7BDiodes IncorporatedMOSFETs P-Ch 30V 0.35VnC Enh Mode FET -0.2A
на замовлення 5176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.26 грн
16+20.51 грн
100+9.41 грн
500+8.22 грн
1000+6.76 грн
5000+6.62 грн
10000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D9UFZ-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 200MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.5 pF @ 15 V
на замовлення 214517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
17+18.57 грн
100+9.71 грн
500+8.01 грн
1000+6.91 грн
2000+6.76 грн
5000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32M6SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8594 pF @ 15 V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.47 грн
10+118.35 грн
100+81.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32M6SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8594 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32M6SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.95 грн
10+119.38 грн
100+71.07 грн
500+62.29 грн
1000+58.52 грн
2500+55.39 грн
5000+53.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP34M4SPSDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP34M4SPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -350A; 3W
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -350A
Drain current: -17A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 127nC
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP34M4SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 9442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.55 грн
10+78.44 грн
100+45.98 грн
500+36.44 грн
1000+33.37 грн
2500+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP34M4SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP34M4SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0029 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.11 грн
11+75.19 грн
100+56.41 грн
500+41.36 грн
1000+34.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP34M4SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
на замовлення 1097545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
10+69.97 грн
100+47.26 грн
500+34.98 грн
1000+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP34M4SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 21A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP34M4SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1097500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP34M4SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP34M4SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 87 A, 2900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.98 грн
500+41.82 грн
1000+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4006SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60 V PowerDI5060-8 T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4006SPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60 V PowerDI5060-8 T&R
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.90 грн
10+133.81 грн
100+79.43 грн
500+64.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4006SPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6855 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.76 грн
10+115.33 грн
100+79.27 грн
500+60.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4006SPSWQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -92A; Idm: -460A; 3.4W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -460A
Drain current: -92A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 162nC
On-state resistance: 7.9mΩ
Power dissipation: 3.4W
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4006SPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6855 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4009SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4009SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4009SPSWQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -79A; PowerDI5060-8
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -79A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 112nC
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4009SPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4009SSS-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 31V40V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4009SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4009SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4009SSSQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 31V40V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4009SSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.46 грн
5000+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.49 грн
10+60.23 грн
100+42.09 грн
500+31.86 грн
1000+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3QDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP4010SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.91 грн
500+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 15A/50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+60.38 грн
100+40.17 грн
500+29.56 грн
1000+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+46.01 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP4010SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.31 грн
12+71.29 грн
100+49.91 грн
500+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 15A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.87 грн
5000+23.10 грн
7500+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 4113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.17 грн
10+70.27 грн
100+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+46.01 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2747 pF @ 20 V
на замовлення 49980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.52 грн
10+85.74 грн
100+57.77 грн
500+42.97 грн
1000+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2747 pF @ 20 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.22 грн
5000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2747 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+56.31 грн
100+39.75 грн
500+29.23 грн
1000+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.80 грн
10+76.04 грн
100+46.05 грн
500+37.41 грн
1000+34.56 грн
2500+33.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2747 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SK3Q-13Diodes Zetex40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V PWRDI5060
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SPS-13Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V PWRDI5060
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 76A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2747 pF @ 20 V
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.60 грн
10+101.67 грн
100+69.41 грн
500+52.18 грн
1000+51.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V PWRDI5060
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2747 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 76A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4012SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4012SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3643 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4012SPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4012SPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3643 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFGDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-13Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-7DiodesMOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP4013LFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.3 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V
на замовлення 13950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.63 грн
10+57.89 грн
100+38.34 грн
500+28.07 грн
1000+25.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP4013LFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.3 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch 40V Enh Mode 60Vds 20Vgs 2569pF
на замовлення 17360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.74 грн
10+76.52 грн
100+44.24 грн
500+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: 80A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.74 грн
6+70.11 грн
10+61.47 грн
50+45.71 грн
100+40.93 грн
500+33.13 грн
1000+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V
на замовлення 13950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.18 грн
4000+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-7 транзистор
Код товару: 220967
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 444000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.39 грн
6000+17.26 грн
9000+16.54 грн
15000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1071000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.77 грн
10+50.56 грн
100+30.03 грн
500+23.55 грн
1000+21.32 грн
3000+18.53 грн
6000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFGQ-13DiodesMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V Транзистори
на замовлення 103 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+75.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 444954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.17 грн
10+47.85 грн
100+31.45 грн
500+22.90 грн
1000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFGQ-13-52Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.30 грн
10+49.36 грн
25+42.85 грн
100+29.33 грн
250+28.57 грн
500+23.55 грн
1000+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
375+13.47 грн
500+11.88 грн
1000+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFGQ-7DiodesMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V Транзистори
на замовлення 305 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
4+84.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.29 грн
4000+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 404000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.37 грн
4000+18.05 грн
6000+17.26 грн
10000+15.36 грн
14000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP4013LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.3 A, 0.0094 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.35 грн
16+53.49 грн
100+37.07 грн
500+27.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.26 грн
4000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP4013LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.3 A, 0.0094 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.07 грн
500+27.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
938+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 938 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 404046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.17 грн
10+47.85 грн
100+31.45 грн
500+22.90 грн
1000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFGQ-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 33 36 38  Наступна Сторінка >> ]