Продукція > DMP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP32D4SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 0.5A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 5347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+14.62 грн
84+9.08 грн
118+6.44 грн
133+5.50 грн
250+4.79 грн
500+3.77 грн
1000+3.56 грн
3000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D4SFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 400MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D4SFB-7BDIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.4A; 0.5W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -400mA
Power dissipation: 0.5W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D4SFB-7B Транзистор
Код товару: 221984
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D4SW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 0.25A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1795+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 1795 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D4SW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 0.25A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 615000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D4SW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -200mA; Idm: -1A; 300mW
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 1.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT323
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D4SW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 250MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51.16 pF @ 15 V
на замовлення 416036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
16+19.74 грн
25+16.36 грн
50+13.35 грн
100+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D4SW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 0.25A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D4SW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-CH MOSFET
на замовлення 18289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D4SW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 0.25A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2312+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 2312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D4SW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 250MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51.16 pF @ 15 V
на замовлення 411000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.23 грн
9000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D5LFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 300MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.9 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D5LFA-7BDiodes IncorporatedMOSFET 30V P-Ch Enh Mode Vdss -30V 1.5Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D5SFB-7BDIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -400mA; Idm: -1A; 1.2W
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: X1-DFN1006-3
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D5SFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 400MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
14+22.36 грн
25+18.58 грн
50+15.20 грн
100+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D5SFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 400MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D5SFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30
на замовлення 12670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D8UFZ-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606-3 T and R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D8UFZ-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 15 V
на замовлення 471315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.09 грн
30+10.02 грн
37+8.23 грн
50+6.70 грн
100+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D8UFZ-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 15 V
на замовлення 470000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.66 грн
30000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D9UDA-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 7208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D9UDA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 0.22A 6DFN
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.55 грн
30000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D9UDAQ-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 0.22A 6DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 360mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.42 грн
26+11.59 грн
32+9.51 грн
50+7.75 грн
100+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D9UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D9UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V X2-DFN0806-3 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D9UFO-7BDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0604-3 T&R 10K
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D9UFO-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0604
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0604-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 15 V
на замовлення 13435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.64 грн
28+10.77 грн
34+8.88 грн
50+7.23 грн
100+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D9UFO-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0604
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0604-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D9UFZ-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.5 pF @ 15 V
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.58 грн
30000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D9UFZ-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 200MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.5 pF @ 15 V
на замовлення 140833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.38 грн
13+23.71 грн
25+19.71 грн
50+16.16 грн
100+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D9UFZ-7BDIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100mA; Idm: -0.7A; 390mW
Pulsed drain current: -0.7A
Power dissipation: 0.39W
Gate charge: 0.35nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: X2-DFN0606-3
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D9UFZ-7BDiodes IncorporatedMOSFETs P-Ch 30V 0.35VnC Enh Mode FET -0.2A
на замовлення 5176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32M6SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8594 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32M6SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32M6SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8594 pF @ 15 V
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.25 грн
10+126.99 грн
25+108.38 грн
50+90.90 грн
100+81.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP34M4SPSDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP34M4SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
на замовлення 1097545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.74 грн
10+69.33 грн
100+46.82 грн
500+34.66 грн
1000+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP34M4SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP34M4SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0029 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP34M4SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 21A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP34M4SPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -350A; 3W
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -350A
Drain current: -17A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 127nC
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP34M4SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
на замовлення 1097500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP34M4SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 7301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP34M4SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP34M4SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 87 A, 2900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4006SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60 V PowerDI5060-8 T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4006SPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6855 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.06 грн
10+114.27 грн
100+78.54 грн
500+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4006SPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6855 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4009SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4009SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4009SPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4009SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4009SSS-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 31V40V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4009SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4009SSSQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 31V40V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4009SSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.19 грн
5000+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.64 грн
10+59.68 грн
100+41.70 грн
500+31.56 грн
1000+29.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3QDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP4010SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 15A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 4113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP4010SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 15A/50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.94 грн
10+69.78 грн
25+58.90 грн
50+48.92 грн
100+43.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2747 pF @ 20 V
на замовлення 49980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.24 грн
10+84.96 грн
100+57.24 грн
500+42.58 грн
1000+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2747 pF @ 20 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.86 грн
5000+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2747 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+55.79 грн
100+39.38 грн
500+28.96 грн
1000+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2747 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SK3Q-13Diodes Zetex40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SPS-13Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V PWRDI5060
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2747 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2747 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.09 грн
10+100.74 грн
100+68.77 грн
500+51.70 грн
1000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4011SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: IC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4012SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3643 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4012SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4012SPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3643 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4012SPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFGDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-13Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP4013LFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.3 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-7DiodesMOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V
на замовлення 13950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.96 грн
4000+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP4013LFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.3 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.