Продукція > DMP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMP32D9UFO-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0604 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Supplier Device Package: X2-DFN0604-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP32D9UFO-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0604 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Supplier Device Package: X2-DFN0604-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 369950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP32D9UFO-7B | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0604-3 T&R 10K | на замовлення 9950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP32D9UFZ-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 200MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0606-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.5 pF @ 15 V | на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP32D9UFZ-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch 30V 0.35VnC Enh Mode FET -0.2A | на замовлення 5176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP32D9UFZ-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 200MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0606-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.5 pF @ 15 V | на замовлення 214517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP32M6SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 100A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8594 pF @ 15 V | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP32M6SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 100A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8594 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP32M6SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | на замовлення 1658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP34M4SPS | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP34M4SPS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -350A; 3W Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI5060-8 Mounting: SMD Pulsed drain current: -350A Drain current: -17A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 127nC On-state resistance: 6mΩ Power dissipation: 3W Gate-source voltage: ±25V Kind of package: 13 inch reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP34M4SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 9442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP34M4SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP34M4SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0029 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP34M4SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V | на замовлення 1097545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP34M4SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 21A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP34M4SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1097500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP34M4SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP34M4SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 87 A, 2900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4006SPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60 V PowerDI5060-8 T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4006SPSWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60 V PowerDI5060-8 T&R | на замовлення 430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4006SPSWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6855 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4006SPSWQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -92A; Idm: -460A; 3.4W Case: PowerDI5060-8 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -460A Drain current: -92A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 162nC On-state resistance: 7.9mΩ Power dissipation: 3.4W Gate-source voltage: ±20V Application: automotive industry Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4006SPSWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6855 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4009SPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 119W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4009SPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4009SPSWQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -79A; PowerDI5060-8 Case: PowerDI5060-8 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -79A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 112nC Application: automotive industry Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4009SPSWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4009SSS-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 31V40V SO-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4009SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4009SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4009SSSQ-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 31V40V SO-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4009SSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4010SK3-13 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4010SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4010SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4010SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 27416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4010SK3Q | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4010SK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP4010SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.7W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm | на замовлення 615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4010SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 15A/50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 16374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4010SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4010SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4010SK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP4010SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.7W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm | на замовлення 615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4010SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 15A/50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4010SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: | на замовлення 4113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4010SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4010SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4010SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4010SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4011SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4011SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2747 pF @ 20 V | на замовлення 49980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4011SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4011SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2747 pF @ 20 V | на замовлення 47500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4011SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2747 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4011SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4011SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2747 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4011SK3Q-13 | Diodes Zetex | 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4011SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V PWRDI5060 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4011SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4011SPS-13 | Diodes Zetex | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4011SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V PWRDI5060 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 76A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2747 pF @ 20 V | на замовлення 2454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4011SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V PWRDI5060 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2747 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 76A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4011SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4012SPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4012SPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3643 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4012SPSWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4012SPSWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3643 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4013LFG | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4013LFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4013LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4013LFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4013LFG-7 | Diodes | MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4013LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4013LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP4013LFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.3 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4013LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4013LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 58000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4013LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V | на замовлення 13950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4013LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP4013LFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.3 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4013LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch 40V Enh Mode 60Vds 20Vgs 2569pF | на замовлення 17360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4013LFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: 80A; 1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -8.3A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 1W Case: PowerDI®3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 1607 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4013LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4013LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V | на замовлення 13950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4013LFG-7 транзистор Код товару: 220967
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| DMP4013LFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 444000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4013LFGQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 1071000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4013LFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 1887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4013LFGQ-13 | Diodes | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V Транзистори | на замовлення 103 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4013LFGQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4013LFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 444954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4013LFGQ-13-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4013LFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 2445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4013LFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 1541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4013LFGQ-7 | Diodes | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V Транзистори | на замовлення 305 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4013LFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4013LFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 404000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4013LFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP4013LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.3 A, 0.0094 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4013LFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4013LFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4013LFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP4013LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.3 A, 0.0094 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4013LFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 1541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4013LFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 404046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4013LFGQ-7-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |

