Продукція > G2R
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G2R1000MT17J | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263 | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1000MT17J | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1000MT17J | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R1000MT17J | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7 Case: TO263-7 Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 1Ω Drain current: 4A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 54W Drain-source voltage: 1.7kV Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: G2R™; SiC | на замовлення 171 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1000MT17J | GeneSiC Semiconductor | Description: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V | на замовлення 11455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1000MT17J-TR | GeneSiC Semiconductor | Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R1000MT17J-TR | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R1000MT17J-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R1000MT17J-TR | GeneSiC Semiconductor | Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V | на замовлення 589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1000MT17J-TR | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V | на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 | на замовлення 3103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1000MT33J | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R1000MT33J | GENESIC | Description: GENESIC - G2R1000MT33J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 3.3 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: G2R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor | MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET | на замовлення 2581 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1000MT33J | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7 Kind of channel: enhancement Technology: G2R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: TO263-7 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 21nC On-state resistance: 1Ω Drain current: 4A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 74W Drain-source voltage: 3.3kV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor | Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V | на замовлення 2205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 | на замовлення 1020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1000MT33J-TR | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: 3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1000MT33J-TR | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1000MT33J-TR | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: 3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R1000MT33J-TR | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1110AC | Omron Electronics | Omron | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R112DC | Omron | Power Relay 12VDC 10A SPDT(29x13x25.5)mm THT | на замовлення 3180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R112DC | Omron | Power Relay 12VDC 10A SPDT(29x13x25.5)mm THT | на замовлення 4646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R112DC | Omron | Power Relay 12VDC 10A SPDT(29x13x25.5)mm THT | на замовлення 3180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R120MT33J | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7 Kind of channel: enhancement Technology: G2R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: TO263-7 Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.12Ω Drain-source voltage: 3.3kV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R120MT33J | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R120MT33J | GeneSiC Semiconductor | MOSFET 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET | на замовлення 450 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R120MT33J | GENESIC | Description: GENESIC - G2R120MT33J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 3.3 kV, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 402W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: G2R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R120MT33J | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R120MT33J | GeneSiC Semiconductor | Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R120MT33J-TR | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R120MT33J-TR | GeneSiC Semiconductor | Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V Power Dissipation (Max): 366W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R120MT33J-TR | GeneSiC Semiconductor | Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V Power Dissipation (Max): 366W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R124DC | Omron | Power Relay 24VDC 10A SPDT(29x13x25.5)mm THT | на замовлення 11148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R124DC | Omron | Power Relay 24VDC 10A SPDT(29x13x25.5)mm THT | на замовлення 11153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R13SNDDC24 | Omron | G2R13SNDDC24 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R14110AC | Omron Electronics | Industrial Relays | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R1412DC | OMRON | 12V; 10A; 530mW; SPDT; 29 x 13 x 25,5mm; fully sealed PCB G2R-14-12DC power relay P G2R-14-12DC кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 52 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1412DC | Omron | Power Relay 12VDC 8A SPDT(29mm 13mm 25.5mm) THT | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1412DC | Omron | Power Relay 12VDC 8A SPDT(29mm 13mm 25.5mm) THT | на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1412DC | Omron | Power Relay 12VDC 8A SPDT(29mm 13mm 25.5mm) THT | на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1424DC | Omron | Power Relay 24VDC 8A SPDT(29mm 13mm 25.5mm) THT | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1424DC | Omron | Power Relay 24VDC 8A SPDT(29mm 13mm 25.5mm) THT | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R1424DC Код товару: 119938
Додати до обраних
Обраний товар
| Реле | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| G2R1448DC | Omron Electronics | Omron | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R148DC | Omron | Power Relay 8A SPDT(29mm 13mm 25.5mm) THT | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R148DC | Omron | Power Relay 8A SPDT(29mm 13mm 25.5mm) THT | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R14AC120 | Omron | Power Relay 120VAC 10A SPDT(29mm 13mm 25.5mm) THT | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R14AC120 | Omron | Power Relay 120VAC 10A SPDT(29mm 13mm 25.5mm) THT | на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R14AC120 | Omron | Power Relay 120VAC 10A SPDT(29mm 13mm 25.5mm) THT | на замовлення 5615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R14AC120 | Omron | Power Relay 120VAC 10A SPDT(29mm 13mm 25.5mm) THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R14AC24 | Omron | Power Relay 24VAC 8A SPDT(29x13x25.5)mm THT | на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R14AC24 | Omron | Power Relay 24VAC 8A SPDT(29x13x25.5)mm THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R14AC24 | Omron | Power Relay 24VAC 8A SPDT(29x13x25.5)mm THT | на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R14AC24 | Omron | Power Relay 24VAC 8A SPDT(29x13x25.5)mm THT | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R14AC24 | Omron | Power Relay 24VAC 8A SPDT(29x13x25.5)mm THT | на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R14AC24 | Omron | Power Relay 24VAC 8A SPDT(29x13x25.5)mm THT | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R14AC24 | Omron | Power Relay 24VAC 8A SPDT(29x13x25.5)mm THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R14AC240 | Omron | Power Relay 240VAC 10A SPDT(29mm 13.5mm 25.5mm) THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R14AC240 | Omron | Power Relay 240VAC 10A SPDT(29mm 13.5mm 25.5mm) THT | на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R14AC240 | Omron Electronics | General Purpose Relays | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R14AC240 | Omron | Power Relay 240VAC 10A SPDT(29mm 13.5mm 25.5mm) THT | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R14AC24BYOMI | Omron Electronics | General Purpose Relays 10 AMP 24VAC SPDT NON-LATCHING | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R14DC100 | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: RELAY GEN PURPOSE SPDT 8A 100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R14DC110 | Omron | Power Relay 110VDC 10A SPDT(29mm 13mm 25.5mm) THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R14DC110 | Omron | Power Relay 110VDC 10A SPDT(29mm 13mm 25.5mm) THT | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R14DC110 | Omron | Power Relay 110VDC 10A SPDT(29mm 13mm 25.5mm) THT | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R14DC24BYOMI | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 24V Packaging: Box Mounting Type: Through Hole Coil Voltage: 24VDC Operating Temperature: -40°C ~ 70°C Termination Style: PC Pin Relay Type: General Purpose Coil Current: 21.8 mA Coil Type: Non Latching Seal Rating: Sealed - Fully Contact Material: Silver Alloy, Cadmium Free Contact Form: SPDT (1 Form C) Contact Rating (Current): 10 A Switching Voltage: 380VAC, 125VDC - Max Must Release Voltage: 3.6 VDC Must Operate Voltage: 16.8 VDC Operate Time: 15 ms Release Time: 10 ms Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R14DC48 | Omron | Power Relay 48VDC 10A SPDT(29x13x25.5)mm THT | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R14DC5 | Omron | Power Relay 5VDC 8A SPDT(29mm 13.5mm 25.5mm) THT | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R14DC5 | Omron | Power Relay 5VDC 8A SPDT(29mm 13.5mm 25.5mm) THT | на замовлення 1635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R14DC5 | Omron | Power Relay 5VDC 8A SPDT(29mm 13.5mm 25.5mm) THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R14DC5 | Omron | Power Relay 5VDC 8A SPDT(29mm 13.5mm 25.5mm) THT | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R14HDC12 | Omron | Power Relay 12VDC 5A SPDT(29mm 13.5mm 25.5mm) THT | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R14HDC12 | Omron | Power Relay 12VDC 5A SPDT(29mm 13.5mm 25.5mm) THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R14HDC24 | Omron | Power Relay 24VDC 5A SPDT(29mm 13mm 25.5mm) THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R14HDC24 | Omron | Power Relay 24VDC 5A SPDT(29mm 13mm 25.5mm) THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R14T130AC24 | Omron | PCB Power Relay | на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R14T130AC24 | Omron | PCB Power Relay | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R14T130DC24 | Omron | Power Relay 24VDC 10A SPDT(28.6x12.9x24.8)mm Panel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R14T130DC24 | Omron | Power Relay 24VDC 10A SPDT(28.6x12.9x24.8)mm Panel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R15DC | Omron | Power Relay 5VDC 10A SPDT(29x13x25.5)mm THT | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R15DC | Omron | Power Relay 5VDC 10A SPDT(29x13x25.5)mm THT | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1A24DC | Omron | Power Relay 24VDC 10A SPST-NO(29x13x25.5)mm THT | на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1A24DC | Omron | Power Relay 24VDC 10A SPST-NO(29x13x25.5)mm THT | на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1A412DC | Omron | Power Relay 12VDC 8A SPST-NO(29mm 13mm 25.5mm) THT | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R1A412DC | Omron | Power Relay 12VDC 8A SPST-NO(29mm 13mm 25.5mm) THT | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1A424DC | Omron | Power Relay 24VDC 10A SPST-NO(29x13.5x25.5)mm THT | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G2R1A424DC | Omron | Power Relay 24VDC 10A SPST-NO(29x13.5x25.5)mm THT | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1A4AC120 | Omron | Power Relay 120VAC 10A SPST-NO(29mm 13mm 25.5mm) THT | на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1A4DC12 | Omron | Power Relay 12VDC 8A SPST-NO(29mm 13mm 25.5mm) THT | на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1A4DC12 | Omron | Power Relay 12VDC 8A SPST-NO(29mm 13mm 25.5mm) THT | на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G2R1A4DC12 | Omron | Power Relay 12VDC 8A SPST-NO(29mm 13mm 25.5mm) THT | на замовлення 4100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

