Продукція > IRL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML2502TRPBF. | Infineon Technologies | IRLML2502TRPBF. | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF: IRLML2502TR-(SOT-23) IRLML2502TR | KLS | N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори | на замовлення 1333 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML2502TR\1CKX | IRF | SOT-23 | на замовлення 3250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2502\1CM | IRF | SOT-23 | на замовлення 17250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2503TRPBF | IR | 06+ PLCC | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2520 | IR | 09+ | на замовлення 17018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2803 | IR | на замовлення 66000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLML2803 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2803 TR | IR | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLML2803CT-ND | IRLML | N/A | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2803GPBF-ML | MOSLEADER | Description: N 30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML2803GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2803GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2803GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2803GTRPBF-ML | MOSLEADER | Description: N 30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML2803PbF | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2803TR | Infineon | N-MOSFET 1.2A 30V 0.54W 0.25Ω IRLML2803 TIRLML2803 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML2803TR | Infineon | N-MOSFET 1.2A 30V 0.54W 0.25Ω IRLML2803 TIRLML2803 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 197 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML2803TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2803TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2803GTR; IRLML2803TR; SP001550482; SP001572964; SP001558316; IRLML2803TR UMW TIRLML2803 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 340 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML2803TR Код товару: 193658
Додати до обраних
Обраний товар
| Китай | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 1,2 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 85/3,3 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2803TR | International Rectifier/Infineon | N-канальный ПТ (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, P=540mW, -55 to +150C), упр-е логич. уровнем.... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2803TR/TRPBF | на замовлення 102000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl | на замовлення 814158 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF | Infineon | N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm | на замовлення 196701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | на замовлення 357000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF | TAIWAN | N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF Код товару: 27051
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 1,2 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 85/3,3 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | у наявності: 939 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF | IRLML2803TRPBF Транзисторы Прочие | на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm | на замовлення 196701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF | --- | N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 23154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | на замовлення 367293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 1,2 А, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 85 @ 25, Qg, нКл = 5 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 910 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 31 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF | IRLML2803TRPBF Транзисторы Прочие | на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.2A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level | на замовлення 6569 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF-(sot-23) : IRLML2803TR-(SOT-23) IRLML2803TRPBF | KLS | N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 Транзистори | на замовлення 2500 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF-(sot-23) : IRLML2803TR-(SOT-23) IRLML2803TRPBF | UMW | N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 Транзистори | на замовлення 2800 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF-1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Obsolete Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF-1 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF-1-ML | MOSLEADER | Description: N 30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF/IR | IR | 08+; | на замовлення 880 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBFSOT23-1BPB-FREE | IR | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLML2893 | IR | 04+ SOT-23 | на замовлення 45700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML5103 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML5103/1DKP | IR | 09+ | на замовлення 6448 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML5103GPBF-ML | MOSLEADER | Description: P -30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5103GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML5103GTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML5103GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT P-Ch -0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl | на замовлення 7013 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML5103GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML5103GTRPBF-ML | MOSLEADER | Description: P -30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5103TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML5103TR | International Rectifier/Infineon | P-канальный ПТ (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, P=540mW, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML5103TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 1Ohm; 760mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML5103TR; IRLML5103GTR; SP001572946; SP001568594; IRLML5103TR UMW TIRLML5103 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5103TR | Infineon | P-MOSFET 0.61A 30V 0.54W 0.6Ω IRLML5103 TIRLML5103 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 693 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5103TR SOT23-DDY | IR | на замовлення 1937 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLML5103TR (SOT-23, Infineon) Код товару: 157424
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Id, A: 0,76 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 75/3,4 Монтаж: SMD | у наявності: 1219 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRLML5103TR (SOT-23, IR) Код товару: 25079
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Id, A: 0,76 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 78/3.4 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | у наявності: 458 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRLML5103TR SOT23-DDY | IR | на замовлення 1937 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLML5103TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | KLS | P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 Транзистори | на замовлення 3252 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 855000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V | на замовлення 130377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 855000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 558000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 540mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm | на замовлення 13946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT P-Ch -0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl | на замовлення 66872 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 26726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.61A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | на замовлення 2951 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V | на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 760 мА, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 75 @ 25, Qg, нКл = 5.1 @ 10 В, Rds = 600 мОм @ 600 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 1538 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 26726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 540mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm | на замовлення 13946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 564166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF(транзистор) Код товару: 60714
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF-1-ML | MOSLEADER | Description: P -30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML5203 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23 Packaging: Tube Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 95 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML5203 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML5203 1H MK. | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 145mOhm; 3A; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML5203TR; IRLML5203GTR; SP001567222; SP001558846; IRLML5203 UMW TIRLML5203 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2450 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5203GPBF | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML5203GPBF-ML | MOSLEADER | Description: P -30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5203GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML5203GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT P-Ch -30V -3A 98mOhm 9.5nC Log Lvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML5203GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML5203GTRPBF-ML | MOSLEADER | Description: P -30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5203PbF | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML5203TR | HXY MOSFET | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 1,2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML5203TR; IRLML5203GTR; SP001567222; SP001558846; IRLML5203TR HXY MOSFET TIRLML5203 HXY кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 2750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5203TR | Infineon | Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 165mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML5203TR; IRLML5203; IRLML5203TR; IRLML5203; IRLML5203TR TIRLML5203 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3765 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5203TR RoHS IRLML5203TR | Infineon | MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 Транзистори | на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML5203TR(PBF) | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 3 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 510 @ 25, Qg, нКл = 14 @ 10 В, Rds = 98 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 322951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

