Продукція > NVM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NVMYS4D6N04CLTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 21A/78A LFPAK4 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NVMYS4D6N04CLTWG | onsemi | MOSFET T6 40V LL LFPAK | на замовлення 3000 шт: термін постачання 119-128 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NVMYS4D6N04CLTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 21A/78A LFPAK4 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| NVMYS5D3N04CTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 35A, 10V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| NVMYS5D3N04CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 5300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 50W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm | на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| NVMYS5D3N04CTWG | onsemi | MOSFETs 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NVMYS5D3N04CTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| NVMYS5D3N04CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 5300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm | на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| NVMYS6D2N06CLTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 4LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Grade: Automotive Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| NVMYS6D2N06CLTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 4LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Grade: Automotive Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| NVMYS6D2N06CLTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMYS6D2N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 6100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 61W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm | на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| NVMYS6D2N06CLTWG | onsemi | MOSFETs T6 60V LL LFPAK | на замовлення 2865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NVMYS7D3N04CLTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 17A/52A 4LFPAK Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 52A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 74163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| NVMYS7D3N04CLTWG | onsemi | MOSFETs 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel | на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NVMYS7D3N04CLTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 17A/52A 4LFPAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 52A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| NVMYS8D0N04CTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NVMYS8D0N04CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMYS8D0N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 8100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| NVMYS8D0N04CTWG | onsemi | MOSFETs 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel | на замовлення 6282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NVMYS8D0N04CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMYS8D0N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 8100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 38W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| NVMYS8D0N04CTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NVMYS9D3N06CLTWG | onsemi | MOSFETs Power MOSFET 60 V, 9.3m?, 51 A, Single N-Channel | на замовлення 612 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |