Продукція > FDS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS9926A-NLFDS
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926ACFAI0512+
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926ANLFSCSO-16
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926APB
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926A_NLFAIRCHILD
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926A_Qonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 SGL N-CH 2.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926FDS9926A-NL
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926NLFAIRCHILD
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926_NLFAIRCHILD
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9933 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
916+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 916 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
761+29.10 грн
Мінімальне замовлення: 761 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933onsemi / FairchildMOSFETs Dl P-Ch 2.5V Spec PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 6255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+64.38 грн
100+44.99 грн
500+34.07 грн
1000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+53.93 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
603+58.70 грн
1000+54.13 грн
Мінімальне замовлення: 603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 DUAL P-CH -20V
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.10 грн
10+61.61 грн
100+40.62 грн
500+32.82 грн
1000+30.45 грн
2500+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.10 грн
14+53.93 грн
25+53.65 грн
50+51.28 грн
100+43.61 грн
250+40.73 грн
500+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9933A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.05 грн
11+74.13 грн
100+49.50 грн
500+35.85 грн
1000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
603+58.70 грн
1000+54.13 грн
10000+48.27 грн
Мінімальне замовлення: 603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933ANLFAIRCHILD
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933A_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9933BZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 391 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933BZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 10716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+41.69 грн
Мінімальне замовлення: 486 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933NLFAIRCHILD
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9934
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9934CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1125+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 1125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9934ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9934CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 54385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9934ConsemiMOSFETs 20V Complementary PowerTrench
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.01 грн
10+48.55 грн
100+27.73 грн
500+21.46 грн
1000+19.51 грн
2500+17.00 грн
5000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9934ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+45.82 грн
100+30.03 грн
500+21.83 грн
1000+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9934CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9934CNLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9934NLFAIRCHILD
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9936FAIRCHILD02+ SOP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9936AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9936NLFAIRCHILD
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS993A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
fds9945onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 62490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+47.17 грн
100+30.89 грн
500+22.43 грн
1000+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
fds9945onsemiMOSFETs SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
fds9945FairchildTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC FDS9945 TFDS9945
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9945 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
fds9945onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.63 грн
5000+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945
Код товару: 24988
Додати до обраних Обраний товар
FSТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Струм стоку Idd, A: 3,5 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 420/8
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
fds9945ONS/FAIMOSFET 2 N-Ch SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9945 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.18 грн
50+36.50 грн
100+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.78 грн
10000+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945-NLFairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945A
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945ANLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945NLFAIRCHILD
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945_NLFSC09+
на замовлення 10518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9948FDSSOP-8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9948-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953FSCSOP-8
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953AonsemiMOSFETs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9953A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.095 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.095
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953AFDS9953-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953ANLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953A_NLonsemi / FairchildMOSFET SO8, DUAL, PCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953A_NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953A_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953A_Tonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9955
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9955ANLFAIRCHILD
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9955NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9955_NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9956FSCSOP-8
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9956/SI9956NSSO-8
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958
Код товару: 177119
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9958 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.082ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.14 грн
500+35.93 грн
1000+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958ON-SemiconductorTrans. 2xP-Channel MOSFET; 60V; 20V; 190mOhm; 2,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS9958-F085; FDS9958TR SO8 TFDS9958
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.44 грн
10+69.67 грн
100+46.48 грн
500+34.28 грн
1000+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9958 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.082ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.74 грн
11+78.28 грн
100+51.94 грн
500+37.97 грн
1000+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958ONS/FAIMOSFET 2P-CH 60V 2.9A SOIC-8 Транзистори
на замовлення 15 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+128.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958onsemi / FairchildMOSFETs -60V Dual P-Channel PowerTrench
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.16 грн
10+59.61 грн
100+40.34 грн
500+32.96 грн
1000+27.87 грн
2500+24.80 грн
5000+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual P-Ch PowerTrench MOS
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958-F085onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958-F085onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958-SB82210Ponsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958_F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958_SB82210onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9959
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9963-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]