Продукція > IPB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB60R105CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+141.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R105CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R105CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 106W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.089ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R105CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R105CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R105CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R105CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 106W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.089ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R105CFD7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120C7Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 29299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+197.27 грн
500+186.64 грн
1000+177.19 грн
10000+160.61 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+197.27 грн
500+186.64 грн
1000+177.19 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 19A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 50950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+149.40 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+197.27 грн
500+186.64 грн
1000+177.19 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+197.27 грн
500+186.64 грн
1000+177.19 грн
10000+160.61 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 19A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120C7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+151.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R120P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 95W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+369.17 грн
10+217.61 грн
100+186.35 грн
500+157.04 грн
1000+135.32 грн
2000+121.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+151.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.34 грн
10+186.67 грн
50+144.89 грн
100+123.36 грн
500+104.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+369.17 грн
66+217.61 грн
100+186.35 грн
500+157.04 грн
1000+135.32 грн
2000+121.27 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R120P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 95W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 5255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 30A D2PAK-2 CoolMOS C6
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6
Код товару: 207837
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+149.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R125C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 219W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6ATMA1
Код товару: 210840
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.30 грн
10+258.24 грн
50+202.97 грн
100+173.78 грн
500+157.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6ATMA1Infineon TechnologiesIPB60R125C6ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+177.19 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+177.19 грн
500+167.74 грн
1000+158.29 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CFD7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 92W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPInfineon technologies
на замовлення 971 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.05 грн
10+269.23 грн
100+194.30 грн
500+182.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R125CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1
Код товару: 172460
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1Infineon TechnologiesIPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+284.68 грн
500+270.51 грн
1000+255.15 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1Infineon TechnologiesIPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1Infineon TechnologiesIPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+284.68 грн
500+270.51 грн
1000+255.15 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1Infineon TechnologiesIPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+284.68 грн
500+270.51 грн
1000+255.15 грн
10000+231.23 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.91 грн
10+183.30 грн
100+129.35 грн
500+111.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.127ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 23.8A D2PAK-2 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6Infineon technologies
на замовлення 872 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6
Код товару: 101086
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+160.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.07 грн
10+209.70 грн
50+163.19 грн
100+139.08 грн
500+120.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 23.8A D2PAK-2 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+160.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160P6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+98.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160P6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+130.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160P6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_PRICE/PERFORM
на замовлення 5007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160P6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160P6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160P6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160P6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.14 грн
10+177.62 грн
50+137.62 грн
100+117.07 грн
500+97.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160P6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+130.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160P6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R160P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R165CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R165CPATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R165CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.165 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R165CPATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R165CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+147.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R165CPATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R165CPATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R165CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.165 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R165CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R165CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
на замовлення 5772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.56 грн
10+238.57 грн
50+186.44 грн
100+159.23 грн
500+132.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R165CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.64 грн
500+167.74 грн
1000+154.74 грн
10000+133.27 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R170CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.64 грн
500+167.74 грн
1000+154.74 грн
10000+133.27 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R170CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.144ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.64 грн
500+167.74 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.75 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.