Продукція > IPB

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	287.38 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099C7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 110W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099C7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R099C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm

на замовлення 613 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	497.14 грн
40+	358.70 грн
100+	264.12 грн
500+	232.27 грн

Мінімальне замовлення: 29 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	497.14 грн
10+	358.70 грн
100+	264.12 грн
500+	232.27 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099C7ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 1291 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CP

MOSFETs N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP

на замовлення 1030 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPA

MOSFETs N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA

на замовлення 2196 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPA

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	954.27 грн
25+	910.21 грн
50+	873.59 грн
100+	812.69 грн
250+	729.15 грн
500+	680.80 грн
1000+	664.28 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPA

Infineon

IPB60R099CPA MOSFETs N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	723.43 грн
10+	522.00 грн
25+	521.70 грн
50+	449.89 грн
100+	366.08 грн
250+	341.60 грн
500+	334.45 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; D2PAK,TO263
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
Application: automotive industry

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	601.19 грн
10+	393.85 грн
50+	314.84 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 255W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	723.43 грн
28+	521.70 грн
50+	449.89 грн
100+	366.08 грн
250+	341.60 грн
500+	334.45 грн

Мінімальне замовлення: 20 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

81+	439.63 грн
100+	417.23 грн

Мінімальне замовлення: 81 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	474.03 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

MOSFETs N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA

на замовлення 465 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 751 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

81+	439.63 грн
100+	417.23 грн
500+	396.02 грн

Мінімальне замовлення: 81 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	349.90 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPATMA1

Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm

на замовлення 1146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 251 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	750.71 грн
10+	507.25 грн
50+	421.28 грн
100+	362.37 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPATMA1

MOSFETs N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	751.66 грн
28+	507.90 грн
50+	421.82 грн
100+	362.83 грн

Мінімальне замовлення: 19 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

на замовлення 2499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	558.08 грн
10+	364.18 грн
50+	290.12 грн
100+	249.94 грн
500+	243.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPATMA1

Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm

на замовлення 1146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	349.45 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	476.73 грн
10+	402.90 грн
25+	358.11 грн
100+	318.05 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO263-3-2
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	476.73 грн
36+	402.90 грн
40+	358.11 грн
100+	318.05 грн

Мінімальне замовлення: 30 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	219.70 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	135.12 грн
3000+	120.95 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099P7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R099P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2081 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	431.64 грн
10+	268.04 грн
100+	219.44 грн
500+	184.25 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099P7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 117W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V

на замовлення 21153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	373.10 грн
10+	237.61 грн
50+	185.60 грн
100+	158.47 грн
500+	131.07 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099P7ATMA1

на замовлення 2081 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099P7ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 1202 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	431.64 грн
53+	268.04 грн
100+	219.44 грн
500+	184.25 грн

Мінімальне замовлення: 33 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R105CFD7

Infineon HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB60R105CFD7ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB60R105CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R105CFD7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R105CFD7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	142.87 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R105CFD7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R105CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 106W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.089ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 21 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R105CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R105CFD7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V

на замовлення 1074 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	387.20 грн
10+	248.17 грн
50+	194.66 грн
100+	166.51 грн
500+	149.35 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB60R105CFD7ATMA1

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB60R120C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB60R120C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

180+	196.83 грн
500+	186.22 грн
1000+	176.79 грн

Мінімальне замовлення: 180 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R120C7ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB60R120C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 7651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

180+	196.83 грн
500+	186.22 грн
1000+	176.79 грн

Мінімальне замовлення: 180 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R120C7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB60R120C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

180+	196.83 грн
500+	186.22 грн
1000+	176.79 грн
10000+	160.25 грн

Мінімальне замовлення: 180 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R120C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 29299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

180+	196.83 грн
500+	186.22 грн
1000+	176.79 грн
10000+	160.25 грн

Мінімальне замовлення: 180 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R120C7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V

на замовлення 50950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

136+	150.78 грн

Мінімальне замовлення: 136 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R120P7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB60R120P7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R120P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 95W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm

на замовлення 453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R120P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	368.35 грн
10+	217.13 грн
100+	185.94 грн
500+	156.70 грн
1000+	135.02 грн
2000+	121.00 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R120P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	303.34 грн
10+	192.39 грн
50+	149.36 грн
100+	127.16 грн
500+	107.61 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R120P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	150.73 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R120P7ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 5255 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB60R120P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	368.35 грн
66+	217.13 грн
100+	185.94 грн
500+	156.70 грн
1000+	135.02 грн
2000+	121.00 грн

Мінімальне замовлення: 39 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R120P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	107.41 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R120P7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R120P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 95W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm

на замовлення 453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB60R120P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R120P7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB60R120P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	150.92 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R125C6

MOSFETs N-Ch 650V 30A D2PAK-2 CoolMOS C6

на замовлення 1072 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB60R125C6

Infineon

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB60R125C6
Код товару: 207837

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB60R125C6ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R125C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 74 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB60R125C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V

на замовлення 2653 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	406.02 грн
10+	260.63 грн
50+	204.85 грн
100+	175.38 грн
500+	159.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB60R125C6ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R125C6ATMA1
Код товару: 210840

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB60R125C6ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB60R125C6ATMA1

IPB60R125C6ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R125C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	150.92 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R125CFD7ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB60R125CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1286 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	176.79 грн
500+	167.36 грн
1000+	157.94 грн

Мінімальне замовлення: 200 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R125CFD7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm

на замовлення 307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB60R125CFD7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	335.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB60R125CFD7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 92W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm

на замовлення 307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R125CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 211 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	176.79 грн

Мінімальне замовлення: 200 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R125CFD7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO263-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB60R125CFD7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R125CP

Infineon technologies

на замовлення 971 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB60R125CP

MOSFETs N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R125CPATMA1
Код товару: 172460

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB60R125CPATMA1

IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	284.05 грн
500+	269.91 грн
1000+	254.58 грн

Мінімальне замовлення: 125 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R125CPATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB60R125CPATMA1