Продукція > IPB

MOSFETs N-Ch 700V 49A D2PAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190C7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190C7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; 72W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190C7ATMA1

MOSFETs N-Ch 700V 49A D2PAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	278.78 грн
74+	191.84 грн
100+	188.06 грн
500+	132.13 грн

Мінімальне замовлення: 51 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190C7ATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190C7ATMA2

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	267.39 грн
10+	173.07 грн
100+	104.93 грн
500+	86.29 грн
1000+	80.08 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190C7ATMA2

Description: INFINEON - IPB65R190C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.168 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 72W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.168ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	139.33 грн
500+	105.45 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	104.46 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

188+	189.00 грн
500+	170.10 грн

Мінімальне замовлення: 188 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190C7ATMA2

Description: INFINEON - IPB65R190C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.168 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm

на замовлення 707 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	267.39 грн
10+	175.58 грн
100+	122.42 грн
500+	94.23 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	103.52 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190C7ATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	257.84 грн
10+	162.51 грн
100+	113.51 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	329.37 грн
63+	226.56 грн
100+	159.64 грн
500+	128.50 грн
1000+	111.54 грн

Мінімальне замовлення: 44 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFD

Infineon

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFD

MOSFET N-Ch 650V 17.5A D2PAK-2 CoolMOS CFD2

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 1050-1059 дні (днів)

2+	306.05 грн
10+	270.72 грн
100+	193.30 грн
500+	164.30 грн
1000+	138.76 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFD7AATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

221+	160.65 грн
500+	152.38 грн
1000+	144.11 грн

Мінімальне замовлення: 221 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFD7AATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFD7AATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFD7AATMA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 812 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	294.78 грн
10+	186.56 грн
100+	116.67 грн
500+	98.03 грн
1000+	91.12 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFD7AATMA1

Description: INFINEON - IPB65R190CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.159 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 77W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.159ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	123.23 грн
500+	93.48 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFD7AATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	306.18 грн
65+	218.30 грн
100+	214.52 грн
200+	160.63 грн

Мінімальне замовлення: 47 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFD7AATMA1

Description: INFINEON - IPB65R190CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.159 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	267.39 грн
10+	175.58 грн
100+	123.23 грн
500+	93.48 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFD7AATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	292.22 грн
66+	215.99 грн
67+	204.07 грн
100+	149.72 грн
250+	142.24 грн
500+	120.63 грн

Мінімальне замовлення: 49 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFD7AATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	285.02 грн
10+	179.94 грн
100+	126.43 грн
500+	99.44 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFD7AATMA1

Infineon

MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3 Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFD7AXTMA1

MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDA

MOSFETs N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

на замовлення 753 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	339.07 грн
10+	219.11 грн
100+	142.21 грн
500+	124.26 грн
1000+	104.24 грн
2000+	103.55 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	362.88 грн
53+	270.27 грн
100+	241.92 грн

Мінімальне замовлення: 40 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDAATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1036 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	311.43 грн
10+	197.51 грн
100+	139.56 грн
500+	112.19 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDAATMA1

MOSFETs N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

на замовлення 775 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	322.96 грн
10+	209.59 грн
100+	129.09 грн
500+	110.45 грн
1000+	103.55 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDAATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 171mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Application: automotive industry

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 19000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	217.20 грн
10000+	199.43 грн
15000+	186.53 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	154.87 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDAATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	110.99 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	402.20 грн
52+	263.55 грн
100+	173.19 грн
250+	164.60 грн
500+	164.19 грн

Мінімальне замовлення: 36 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDAATMA1

Description: INFINEON - IPB65R190CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	161.88 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	155.15 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	144.86 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 167000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	224.12 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDAATMA1

Description: INFINEON - IPB65R190CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	331.02 грн
10+	221.48 грн
100+	161.88 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDATMA1

Description: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm

на замовлення 1775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	258.53 грн
10+	169.13 грн
100+	132.09 грн
500+	94.98 грн
1000+	85.60 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 150793 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

173+	205.54 грн
500+	194.91 грн
1000+	184.28 грн
10000+	166.30 грн

Мінімальне замовлення: 173 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDATMA1

MOSFET N-Ch 650V 17.5A D2PAK-2 CoolMOS CFD2

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDATMA1

Description: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm

на замовлення 1775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	132.09 грн
500+	94.98 грн
1000+	85.60 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDATMA2

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDATMA2

Infineon

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R190CFDATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V

на замовлення 603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	260.95 грн
10+	164.68 грн
100+	115.16 грн
500+	88.66 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R225C7

MOSFET N-Ch 700V 41A D2PAK-2

на замовлення 1004 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB65R225C7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB65R225C7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB65R225C7ATMA1

MOSFET N-Ch 700V 41A D2PAK-2

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB65R225C7ATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V

на замовлення 868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	222.89 грн
10+	139.93 грн
100+	97.22 грн
500+	74.06 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R225C7ATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R230CFD7AATMA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	264.98 грн
10+	171.48 грн
100+	104.24 грн
500+	84.91 грн
1000+	79.39 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R230CFD7AATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	173.85 грн
12000+	159.63 грн
18000+	149.31 грн
24000+	136.51 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R230CFD7AATMA1

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	233.77 грн
10+	146.81 грн
100+	102.35 грн
500+	83.28 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R230CFD7AATMA1

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R230CFD7AATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R280C6

MOSFET N-Ch 700V 13.8A D2PAK-2 CoolMOS C6

на замовлення 216 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB65R280C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB65R280C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB65R280E6

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB65R280E6

MOSFET N-Ch 700V 13.8A D2PAK-2 CoolMOS E6

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB65R280E6ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB65R280E6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB65R280E6ATMA1

MOSFET N-Ch 700V 13.8A D2PAK-2

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB65R310CFD

MOSFETs N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2 CoolMOS CFD2

на замовлення 4895 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.57 грн
10+	130.20 грн
100+	83.53 грн
500+	71.80 грн
1000+	60.54 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R310CFDA

MOSFETs N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	240.01 грн
10+	154.02 грн
100+	94.58 грн
500+	82.15 грн
1000+	69.72 грн
2000+	68.27 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R310CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R310CFDAATMA1

Description: INFINEON - IPB65R310CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.31 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	244.84 грн
10+	159.47 грн
100+	111.95 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R310CFDAATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	78.63 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R310CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R310CFDAATMA1

MOSFETs N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

на замовлення 2513 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	238.40 грн
10+	153.22 грн
100+	92.51 грн
500+	74.56 грн
1000+	68.90 грн
2000+	68.27 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R310CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	253.14 грн
74+	193.30 грн
75+	183.59 грн
103+	123.58 грн
250+	117.47 грн
500+	106.08 грн

Мінімальне замовлення: 56 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R310CFDAATMA1

Description: INFINEON - IPB65R310CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.31 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	111.95 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R310CFDAATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)

на замовлення 2393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	208.91 грн
10+	143.37 грн
100+	100.73 грн
500+	74.34 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R310CFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 13749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

239+	148.84 грн
500+	141.75 грн
1000+	133.48 грн
10000+	120.74 грн

Мінімальне замовлення: 239 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R310CFDATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB65R310CFDATMA1

MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2 CoolMOS CFD2

на замовлення 1976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB65R310CFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	51.07 грн
16+	50.29 грн
25+	49.52 грн
50+	47.00 грн
100+	42.83 грн
250+	40.45 грн
500+	39.79 грн
1000+	39.12 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R310CFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

239+	148.84 грн
500+	141.75 грн
1000+	133.48 грн
10000+	120.74 грн

Мінімальне замовлення: 239 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R310CFDATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB65R310CFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

282+	50.29 грн
287+	49.52 грн
291+	48.74 грн
296+	46.26 грн
301+	42.14 грн
500+	39.79 грн
1000+	39.12 грн

Мінімальне замовлення: 282 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R310CFDATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.4A
Power dissipation: 104.2W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB65R310CFDATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263-3
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active

на замовлення 607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	194.94 грн
10+	121.30 грн
100+	83.74 грн
500+	65.17 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R310CFDATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R310CFDATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R310CFDATMA2

MOSFETs LOW POWER_LEGACY

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R380C6

MOSFET N-Ch 700V 10.6A D2PAK-2 CoolMOS C6

на замовлення 265 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB65R380C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk

на замовлення 3263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

325+	71.45 грн

Мінімальне замовлення: 325 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R380C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)

на замовлення 14860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

222+	89.94 грн

Мінімальне замовлення: 222 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R380C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 11540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	127.58 грн
500+	114.82 грн
1000+	105.89 грн
10000+	91.03 грн

Мінімальне замовлення: 278 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB65R380C6ATMA1