Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 35 40 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN0R7-25YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
Verlustleistung: 158W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.25 грн
35+21.55 грн
100+20.45 грн
250+18.62 грн
500+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+83.08 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+92.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
Verlustleistung: 158W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 152848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.19 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLCNXPMOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLCNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLCNXPN-MOSFET 100A 25V 272W 0.00099Ω PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC TPSMN0r9-25ylc
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.91 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+78.38 грн
3000+74.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+162.65 грн
500+154.40 грн
1000+144.97 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.49 грн
38+20.16 грн
100+19.12 грн
250+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN0R9-25YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 23552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 49500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+74.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.83 грн
10+125.80 грн
25+105.67 грн
100+95.61 грн
250+88.06 грн
500+83.86 грн
1000+75.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 12 V
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.93 грн
10+109.97 грн
50+83.65 грн
100+70.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+77.10 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
на замовлення 4223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+49.45 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+125.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 13680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+162.65 грн
500+154.40 грн
1000+144.97 грн
10000+131.84 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+78.71 грн
3000+73.48 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
на замовлення 4223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115
Код товару: 124400
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC/GFXNXP USA Inc.Description: PSMN0R9-25YLC/GFX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+67.42 грн
212+67.03 грн
213+66.64 грн
250+63.89 грн
500+58.82 грн
1000+56.14 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6721 pF @ 12 V
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.66 грн
10+106.20 грн
50+80.69 грн
100+67.99 грн
500+54.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+189.76 грн
500+170.90 грн
1000+157.94 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.42 грн
25+67.03 грн
100+64.26 грн
250+59.16 грн
500+56.47 грн
1000+56.14 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDXNexperiaMOSFETs PSMN0R9-25YLD/SOT669/LFPAK
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+95.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDX
Код товару: 217048
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6721 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+52.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+94.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30ULD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN0R9-30ULD/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30ULD/2XNexperiaMOSFETs N-channel 30 V, 0.87 mOhm, 300 A level Application Specific MOSFET in SOT1023A enhanced package for UL2595
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30ULDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30ULDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30ULDXNexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 30V 300A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30ULDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLD/2XNexperiaMOSFETs N-channel 30 V, 0.87 mohm, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+51.39 грн
4500+48.10 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+111.59 грн
128+111.03 грн
250+106.52 грн
500+98.12 грн
1000+93.71 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 349W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+66.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.59 грн
10+113.03 грн
25+112.46 грн
100+107.90 грн
250+99.40 грн
500+94.94 грн
1000+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.58 грн
500+169.72 грн
1000+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+81.56 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+66.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 15 V
на замовлення 13612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.11 грн
10+98.20 грн
50+74.41 грн
100+62.62 грн
500+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+82.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 349W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNexperiaMOSFETs PSMN0R9-30YLD/SOT1023/4 LEADS
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+95.01 грн
100+81.13 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.8kA
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.38 грн
10+147.60 грн
25+141.73 грн
100+137.54 грн
250+132.51 грн
500+129.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.58 грн
500+169.72 грн
1000+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.61 грн
500+128.47 грн
1000+117.86 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.61 грн
500+128.47 грн
1000+117.86 грн
10000+101.77 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+74.14 грн
3000+67.75 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.16 грн
11+71.63 грн
25+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.51 грн
4500+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+48.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 67053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.61 грн
500+128.47 грн
1000+117.86 грн
10000+101.77 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
на замовлення 9172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+80.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaMOSFETs PSMN102-200Y/SOT669/LFPAK
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.95 грн
3000+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+48.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+74.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+55.42 грн
3000+50.64 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V
на замовлення 14465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.11 грн
10+79.55 грн
50+59.79 грн
100+50.14 грн
500+39.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.61 грн
500+128.47 грн
1000+117.86 грн
10000+101.77 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
на замовлення 9172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.74 грн
3000+43.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN130-200DNXP0910+ TO252
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN130-200DNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN130-200D,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN130-200D,118NexperiaMOSFET N-CH TRENCH 200V 20A
на замовлення 5839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN130-200D,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN130-200D,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN130-200D,118-NEXNexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN130_2COD
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN165-200K
на замовлення 13161 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN165-200K,118NXPТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 35 40 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]