Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN0R7-25YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
Verlustleistung: 158W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+180.41 грн
500+153.31 грн
1000+121.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 25V 300A
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.21 грн
10+127.82 грн
100+75.94 грн
500+62.96 грн
1000+61.16 грн
1500+58.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+81.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 152848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+72.87 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+123.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
Verlustleistung: 158W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+381.76 грн
10+260.95 грн
100+180.41 грн
500+153.31 грн
1000+121.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 235A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 235A
Power dissipation: 158W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+135.95 грн
3000+134.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLCNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLCNXPN-MOSFET 100A 25V 272W 0.00099Ω PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC TPSMN0r9-25ylc
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+54.09 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLCNXPMOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 49500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+74.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+49.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 12 V
на замовлення 6063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.30 грн
10+109.04 грн
100+74.52 грн
500+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 13750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+163.01 грн
500+154.74 грн
1000+145.29 грн
10000+132.13 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+149.45 грн
10+124.64 грн
25+104.70 грн
100+94.73 грн
250+87.25 грн
500+83.10 грн
1000+74.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+149.80 грн
200+100.96 грн
500+85.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 25V 100A
на замовлення 5441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.44 грн
10+111.94 грн
100+66.48 грн
500+55.09 грн
1000+48.53 грн
1500+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 12 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+54.60 грн
3000+48.98 грн
4500+47.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+163.01 грн
500+154.74 грн
1000+145.29 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115
Код товару: 124400
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.63 грн
36+21.28 грн
100+20.18 грн
250+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.80 грн
10+192.49 грн
50+149.80 грн
200+100.96 грн
500+85.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC/GFXNXP USA Inc.Description: PSMN0R9-25YLC/GFX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6721 pF @ 12 V
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.25 грн
10+127.59 грн
100+88.35 грн
500+69.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+94.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+67.57 грн
212+67.18 грн
213+66.79 грн
250+64.03 грн
500+58.95 грн
1000+56.26 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDX
Код товару: 217048
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6721 pF @ 12 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+65.90 грн
3000+60.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+190.18 грн
500+171.28 грн
1000+158.29 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.57 грн
25+67.18 грн
100+64.41 грн
250+59.29 грн
500+56.59 грн
1000+56.26 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 25V 300A
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.41 грн
10+112.73 грн
100+66.48 грн
500+53.57 грн
1000+48.05 грн
1500+44.80 грн
3000+42.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+95.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30ULD/2XNexperiaMOSFETs N-channel 30 V, 0.87 mOhm, 300 A level Application Specific MOSFET in SOT1023A enhanced package for UL2595
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30ULD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN0R9-30ULD/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30ULDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30ULDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30ULDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30ULDXNexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 30V 300A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLD/2XNexperiaMOSFETs N-channel 30 V, 0.87 mohm, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+82.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.87 грн
10+146.25 грн
25+140.43 грн
100+136.28 грн
250+131.29 грн
500+127.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 349W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+255.31 грн
10+164.30 грн
100+102.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 300A
на замовлення 24981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.83 грн
10+100.82 грн
100+69.72 грн
500+59.99 грн
1000+48.67 грн
1500+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+95.22 грн
100+81.31 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+111.84 грн
128+111.27 грн
250+106.75 грн
500+98.34 грн
1000+93.92 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 15 V
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.66 грн
10+97.37 грн
100+66.16 грн
500+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+66.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.84 грн
10+113.28 грн
25+112.71 грн
100+108.14 грн
250+99.62 грн
500+95.15 грн
1000+94.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 349W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+81.74 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.05 грн
3000+45.34 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.00 грн
3000+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.90 грн
3000+33.78 грн
4500+32.40 грн
7500+28.95 грн
10500+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+74.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
на замовлення 9192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.05 грн
10+117.59 грн
100+77.64 грн
500+54.07 грн
1000+45.77 грн
5000+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+55.55 грн
3000+50.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+128.76 грн
500+115.89 грн
1000+106.87 грн
10000+91.88 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.84 грн
3000+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+128.76 грн
500+115.89 грн
1000+106.87 грн
10000+91.88 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+74.31 грн
3000+67.90 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaMOSFETs PSMN102-200Y/SOT669/LFPAK
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.50 грн
10+84.95 грн
100+49.08 грн
500+38.80 грн
1000+33.83 грн
1500+31.27 грн
3000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V
на замовлення 14812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.92 грн
10+78.90 грн
100+52.97 грн
500+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+45.05 грн
250+44.80 грн
500+44.56 грн
1000+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 40053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+128.76 грн
500+115.89 грн
1000+106.87 грн
10000+91.88 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 9937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.11 грн
500+46.74 грн
1000+37.42 грн
5000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+80.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+45.05 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN130-200DNXP0910+ TO252
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN130-200DNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN130-200D,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN130-200D,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN130-200D,118NexperiaMOSFET N-CH TRENCH 200V 20A
на замовлення 5839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN130-200D,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN130-200D,118-NEXNexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN130_2COD
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN165-200K
на замовлення 13161 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN165-200K,118NXPТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN165-200K,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 2.9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN165-200K518NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100ASEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1040 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.55kW
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1109.84 грн
5+989.83 грн
10+869.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100ASEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1040 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.55kW
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+869.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100ASEJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-100ASE/SOT8000A/CCPAK1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 509 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36460 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100ASEJNexperiaMOSFETs SOT8000 100V 430A
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+812.65 грн
10+569.22 грн
100+412.82 грн
500+367.95 грн
1000+343.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100ASEJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 100V 430A 12-Pin CCPAK EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100ASEJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-100ASE/SOT8000A/CCPAK1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 509 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36460 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100ASFJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-100ASF/SOT8000A/CCPAK1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 539 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33624 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]