Продукція > SI3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI3440ADV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 150V 2.2A N-CH MOSFET
на замовлення 35296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.26 грн
13+24.93 грн
100+11.67 грн
500+10.42 грн
1000+9.32 грн
3000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3440ADV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.316 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 34333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.22 грн
30+27.38 грн
100+13.77 грн
500+12.19 грн
1000+10.63 грн
5000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+42.25 грн
337+42.09 грн
339+41.92 грн
500+40.27 грн
1000+37.13 грн
3000+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3
Код товару: 171852
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.58 грн
25+42.42 грн
50+40.74 грн
100+37.58 грн
250+35.93 грн
500+35.79 грн
1000+35.65 грн
3000+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 44264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.89 грн
19+16.75 грн
100+10.77 грн
500+10.08 грн
1000+7.32 грн
3000+6.70 грн
6000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
на замовлення 9336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
14+21.69 грн
100+12.59 грн
500+11.78 грн
1000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3440ADV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.316 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 34333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.77 грн
500+12.19 грн
1000+10.63 грн
5000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1596+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 1596 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.16 грн
6000+7.56 грн
9000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.01 грн
28+27.78 грн
100+14.64 грн
1000+11.97 грн
3000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DVVISHAY09+ SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.00 грн
4000+57.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.14W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.14 грн
11+79.33 грн
100+61.13 грн
500+43.97 грн
1000+36.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.41 грн
15+52.28 грн
25+51.76 грн
100+49.62 грн
250+45.67 грн
500+43.59 грн
1000+43.34 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.00 грн
10+94.16 грн
100+63.69 грн
500+47.53 грн
1000+43.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+52.28 грн
274+51.76 грн
276+51.46 грн
278+49.33 грн
500+45.41 грн
1000+43.34 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.14W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.13 грн
500+43.97 грн
1000+36.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 61598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.36 грн
10+65.89 грн
100+40.73 грн
500+35.35 грн
1000+33.96 грн
3000+33.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R SI3440DV-T1-GE3 TSI3440dv
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+73.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 1.2A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.14W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.64 грн
11+40.55 грн
100+32.66 грн
500+29.17 грн
1000+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.72 грн
6000+39.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 14946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.53 грн
10+88.92 грн
100+59.09 грн
500+50.81 грн
1000+41.42 грн
3000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 193635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+110.16 грн
177+80.47 грн
500+64.14 грн
1000+55.70 грн
3000+47.75 грн
6000+41.62 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.55 грн
124+114.34 грн
200+105.84 грн
500+74.90 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 236416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+60.36 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 24103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.00 грн
10+94.16 грн
100+63.69 грн
500+47.53 грн
1000+43.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 236440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.49 грн
13+60.58 грн
100+49.90 грн
500+41.95 грн
1000+36.29 грн
3000+33.05 грн
6000+30.97 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+80.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3441BDVVISHAYSOT23 05+PBF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDV-T1Vishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SI3441BDV-T1-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDV-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDV-T1-E3Vishay SiliconixTSOP6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDV-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI3433CDV-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDV-T1-E3 B1...VishayP-MOSFET 20V 2.45A 90mΩ 860mW obsolete SI3441BDV-T1-E3 Vishay TSI3441bdv
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
60+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI3433CDV-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDV-T1-GE3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDV-T3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDVT1E3VISHAY
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441DBV-T1-E3
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441DVFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2885 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441DVVISHAY
на замовлення 11300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441DV(441/)
на замовлення 12250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441DV-T1(431P)
на замовлення 77441 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441DV-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 15018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441DV-T2VISHAY
на замовлення 2553 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441DV-TI
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441DV-TI-E3
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441DV/T1
на замовлення 7678 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441DVT1VISHAY
на замовлення 38300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441DVTI
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441TRIR04+ SOT23-6
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442VISHAY
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
10+38.89 грн
100+29.80 грн
500+22.11 грн
1000+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 2.5-V (G-S)
на замовлення 13166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.69 грн
10+36.92 грн
100+21.88 грн
500+18.29 грн
1000+16.08 грн
3000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V 3A
на замовлення 67926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.69 грн
10+36.36 грн
100+21.88 грн
500+18.29 грн
1000+15.53 грн
3000+12.70 грн
6000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 24567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.34 грн
10+41.28 грн
100+26.88 грн
500+19.40 грн
1000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3VISHAYSOT163
на замовлення 18610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-GE3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 4.2A 1.67W 57mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442CDV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 8A 2.7W 27mohm @ 10V
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442DC-T1VISHAY0010+
на замовлення 5098 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442DVONSEMIDescription: ONSEMI - SI3442DV - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 32796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2466+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 2466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]