Продукція > si3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI3439KDWA-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 16V, 40pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 850mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V, 0.86nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 29391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
18+17.43 грн
100+11.00 грн
500+7.71 грн
1000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3439KDWAS-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs DUAL N/P-CHANNEL MOSFET,SOT-363S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3439KDWAS-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: DUAL N/P-CHANNEL MOSFET,SOT-363S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 325mW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 16V, 36pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 850mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363S
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3439KU6-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI3439KU6-TP - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 520 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 9550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3439KU6-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI3439KU6-TP - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 520 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 520mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3439KU6-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs DUAL N+P-CHANNEL MOSFET, DFN1010B-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440VISHAY
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 150V 2.2A N-CH MOSFET
на замовлення 35296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3440ADV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.38 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3440ADV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.38 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.79 грн
30+25.74 грн
100+21.92 грн
500+16.10 грн
1000+13.82 грн
3000+10.66 грн
6000+10.53 грн
9000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+57.86 грн
246+57.69 грн
250+57.52 грн
500+55.30 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.54 грн
9000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.19 грн
25+58.03 грн
50+55.80 грн
100+51.51 грн
250+49.30 грн
500+49.16 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3440ADV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.316 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
551+25.74 грн
647+21.92 грн
849+16.70 грн
1000+14.93 грн
3000+11.10 грн
6000+10.53 грн
9000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 551 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 4A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 3.6W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 432mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3
Код товару: 171852
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 44264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1596+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 1596 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
на замовлення 10351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
12+25.05 грн
50+18.19 грн
100+14.98 грн
500+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3440ADV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.316 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DVVISHAY09+ SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.375 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.14W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.375ohm
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.77 грн
25+60.18 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 1.2A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.14W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.375 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.14W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.375ohm
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 236416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+60.36 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 236440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.49 грн
13+60.58 грн
100+49.90 грн
500+41.95 грн
1000+36.29 грн
3000+33.05 грн
6000+30.97 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 14946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+75.15 грн
234+60.59 грн
500+54.24 грн
1000+50.39 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+80.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 24103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.00 грн
10+94.16 грн
100+63.69 грн
500+47.53 грн
1000+43.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.10 грн
10+113.20 грн
100+79.69 грн
500+63.66 грн
1000+52.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.72 грн
6000+39.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+161.77 грн
127+112.28 грн
180+79.05 грн
500+63.14 грн
1000+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 193635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+110.16 грн
177+80.47 грн
500+64.14 грн
1000+55.70 грн
3000+47.75 грн
6000+41.62 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.55 грн
124+114.34 грн
200+105.84 грн
500+74.90 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 1.2A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.14W
Case: SC74; TSOP6
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Gate charge: 8nC
Technology: TrenchFET®
Drain current: 1.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.4Ω
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.64 грн
11+40.55 грн
100+32.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3441BDVVISHAYSOT23 05+PBF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDV-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDV-T1Vishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SI3441BDV-T1-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDV-T1-E3Vishay SiliconixTSOP6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDV-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI3433CDV-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDV-T1-E3 B1...VishayP-MOSFET 20V 2.45A 90mΩ 860mW obsolete SI3441BDV-T1-E3 Vishay TSI3441bdv
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
60+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDV-T1-GE3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI3433CDV-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDV-T3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDVT1E3VISHAY
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441DBV-T1-E3
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441DVVISHAY
на замовлення 11300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441DVFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2885 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441DV(441/)
на замовлення 12250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441DV-T1(431P)
на замовлення 77441 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441DV-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 15018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441DV-T2VISHAY
на замовлення 2553 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441DV-TI
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441DV-TI-E3
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441DV/T1
на замовлення 7678 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441DVT1VISHAY
на замовлення 38300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441DVTI
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441TRIR04+ SOT23-6
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442VISHAY
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 2.5-V (G-S)
на замовлення 13166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
10+38.89 грн
100+29.80 грн
500+22.11 грн
1000+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
на замовлення 24567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.34 грн
10+41.28 грн
100+26.88 грн
500+19.40 грн
1000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V 3A
на замовлення 67926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 4.2A 1.67W 57mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-GE3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.