Продукція > IRL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML6344TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 37mOhm; 5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6344TR; SP001574050; IRLML6344TR UMW TIRLML6344 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 850 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6344TR-(SOT-23) IRLML6344TR | KLS | Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Транзистори | на замовлення 5825 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6344TR-ES | ElecSuper | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 5A; 29mOhm; 12V; 1,3W; -55°C~150°C; Substitute: YJL3400A-F2-0000HF; IRLML6344 SOT23 TIRLML6344 c кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1160 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V | на замовлення 5195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF Код товару: 208132
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm | на замовлення 10751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | TECH PUBLIC | Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Polarisation: unipolar Gate charge: 6.8nC On-state resistance: 37mΩ Power dissipation: 1.3W Drain current: 5A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V | на замовлення 6434 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF Код товару: 42697
10
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 5 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 650/6,8 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | у наявності: 4753 шт
очікується: 500 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5 A, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 6,8 @ 4,5 В, Rds = 29 мОм @ 5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 2084 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm | на замовлення 10751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | Infineon | Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Транзистори | на замовлення 40 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 119831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv capable | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | TYS | Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF-ML | MOSLEADER | Description: N 30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6346 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6346TR | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 80mOhm; 3,4A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6346TR; SP001578770; IRLML6346 TIRLML6346 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 6368 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6346TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23 Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6346TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 80mOhm; 3,4A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6346TR; SP001578770; IRLML6346TR UMW TIRLML6346 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6346TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 24, Qg, нКл = 2,9 @ 4,5 В, Rds = 63 мОм @ 3,4 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable | на замовлення 66074 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6346TRPBF | Infineon | N-MOSFET, 30В, 2,7А. Idm: 17А, 0,8А, SOT-23-3 Транзистори | на замовлення 45 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6346TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm | на замовлення 34504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 24 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 | на замовлення 46382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6346TRPBF | International Rectifier | Транзистор N-MOSFET, польовий, 30В, 2,7А. Idm: 17А, 0,8А, SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6346TRPBF Код товару: 48281
2
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 2,7 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 63 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 270/2,9 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | у наявності: 1367 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 24 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6346TRPBF | International Rectifier | N-MOSFET, 30В, 2,7А. Idm: 17А, 0,8А, SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6346TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm | на замовлення 34504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6346TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 17A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.9nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | на замовлення 1761 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401 | UMW | Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6401 | MLCCBASE | Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 110mOhm; 3,5A; 0,35W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 MLCCBASE TIRLML6401 MLC кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm | на замовлення 3640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401 | HUASHUO | Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401 | HXY MOSFET | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 HXY MOSFET TIRLML6401 HXY кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 990 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm | на замовлення 3640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401 | TECH PUBLIC | Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 TEC кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 2201 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401 | Infineon | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6401 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6401 | HUASHUO | Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1805 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401 TR | IR | на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLML6401-3 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm | на замовлення 8555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401-3 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm | на замовлення 8555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401-T1 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRLML6401GPBF-ML | MOSLEADER | Description: P -12V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6401GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6401GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6401GTRPBF | IR | 09+ QFP100 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6401GTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6401GTRPBF-ML | MOSLEADER | Description: P -12V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401PBF | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6401TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401TR | International Rectifier/Infineon | P-канальный ПТ (Vds=12V, Id=4.3A@T=25C, Id=3.4A@T=70C, Rds=0.05 R, P=1.3W, -55 to +150C)... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6401TR | VBsemi | Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 43 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401TR | Infineon | Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1780 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401TR Код товару: 53008
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLML6401TR | KEXIN | Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 KEX кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401TR | Infineon | Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 41 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401TR | JGSEMI | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 3,3A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR JGSEMI TIRLML6401 JGS кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) FET Type: P-Channel Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6401TR-VB | VBsemi | Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401TR/1F1A | IR | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6401TR/FBTR3 | на замовлення 1760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRLML6401TR/TRPBF | на замовлення 102050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 4,3 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 830 пФ @ 10 В, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 50 мОм @ 4,3 A, 4,5 В, Ugs(th) = 950 мВ @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 1043 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | IRLML6401TRPBF Транзисторы HEXFET | на замовлення 992 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | Infineon | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори | на замовлення 130 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm | на замовлення 22764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 17415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -4.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | MOSFET 12V 4.3A (34A pulse), P Channel SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF Код товару: 34344
9
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: -12 V Струм стоку Id, A: -4,3 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 830/10 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | у наявності: 13887 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm | на замовлення 22764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 153173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 153173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | TYS | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори | на замовлення 678 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF-1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 23870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF-1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-901 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF-1-ML | MOSLEADER | Description: P -12V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF-VB IRLML6401TRPBF | VBSEMI | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори | на замовлення 59 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBFSOT23-F7PB-FREE | IR | на замовлення 57000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLML6401TR\1F1A | IRF | SOT-23 | на замовлення 3260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

