Продукція > DMC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 35  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMC3016LDV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 21A/15A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 21A/15A 8-Pin PowerDI 3333 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3016LDV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.02 грн
500+23.71 грн
1000+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3016LDV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.35 грн
50+50.42 грн
100+33.02 грн
500+23.71 грн
1000+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LNS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.3W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LNS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LNS-7Diodes ZetexCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LNS-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3016LNS-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.20 грн
17+48.40 грн
100+31.65 грн
500+23.11 грн
1000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LNS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+36.57 грн
100+25.11 грн
500+18.69 грн
1000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LNS-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40V
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.73 грн
10+44.62 грн
100+25.34 грн
500+19.61 грн
1000+17.74 грн
2000+15.39 грн
4000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LNS-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3016LNS-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.65 грн
500+23.11 грн
1000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LNS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LSDDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3016LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.09 грн
500+18.47 грн
1000+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A, 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N & P Comp FET Enh 2.3Vgs 25nC 22nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3016LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.67 грн
21+40.19 грн
100+26.09 грн
500+18.47 грн
1000+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A, 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3018LSDDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3018LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3020UDVW-13Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3020UDVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 20A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.18W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 383pF @ 15V, 782pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V, 42mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V, 13.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3020UDVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3020UDVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 20A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.18W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 383pF @ 15V, 782pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V, 42mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V, 13.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3020UDVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3020UDVW-7Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3020UDVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.18W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 383pF @ 15V, 782pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V, 42mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V, 13.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3020UDVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.18W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 383pF @ 15V, 782pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V, 42mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V, 13.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V,TO252,2.5K
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.73 грн
10+57.40 грн
100+32.03 грн
500+22.09 грн
1000+19.19 грн
2500+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3021LK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 14 A, 14 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.08 грн
100+44.46 грн
500+32.46 грн
1000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.75W
Drain current: 6.8/-9.4A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Case: TO252-4
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3021LK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 14 A, 14 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.46 грн
500+32.46 грн
1000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13
Код товару: 88668
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET COMP PAIR
на замовлення 4745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.26 грн
10+42.63 грн
100+24.09 грн
500+18.50 грн
1000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.71 грн
5000+12.98 грн
7500+12.38 грн
12500+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3021LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.84 грн
50+47.04 грн
100+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3021LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 7/-8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.85 грн
11+41.22 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 16331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.80 грн
10+35.97 грн
100+23.30 грн
500+16.74 грн
1000+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13DIODES/ZETEXTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-7 DMC3021LSD TDMC3021LSD
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 888 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+38.89 грн
100+25.31 грн
500+18.28 грн
1000+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; automotive industry
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 30V Comp Pair
на замовлення 19864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.00 грн
10+44.14 грн
100+24.99 грн
500+19.26 грн
1000+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3021LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.50 грн
18+46.31 грн
100+30.20 грн
500+21.61 грн
1000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3021LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.20 грн
500+21.61 грн
1000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LDV-13Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET Power DI
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LDV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40V
на замовлення 5762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.80 грн
10+40.49 грн
100+22.92 грн
500+17.60 грн
1000+15.95 грн
3000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LDV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3025LDV-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 15 A, 15 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.64 грн
19+44.30 грн
100+28.83 грн
500+21.61 грн
1000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 15A POWERDI3333
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 47960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
10+32.08 грн
100+22.20 грн
500+17.41 грн
1000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 15A POWERDI3333
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.60 грн
6000+13.32 грн
9000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LDV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3025LDV-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 15 A, 15 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.83 грн
500+21.61 грн
1000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LDV-7Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET Power DI
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LDV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40V
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.53 грн
10+40.57 грн
100+22.99 грн
500+17.67 грн
1000+16.02 грн
2000+13.32 грн
4000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 15A POWERDI3333
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.27 грн
6000+13.93 грн
10000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LNS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LNS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7.2A PWRDI3333
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 6.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LNS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7.2A PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 6.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LNS-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40V
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.43 грн
10+38.98 грн
100+23.13 грн
500+18.22 грн
1000+15.12 грн
2000+12.50 грн
4000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSD-13Diodes INC.Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 501 @ 15, Rds = 20 мОм @ 7,4 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 4,2 А,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.50 грн
5000+11.01 грн
7500+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.13 грн
24+33.59 грн
100+22.63 грн
500+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.41 грн
10+35.33 грн
100+19.54 грн
500+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSD-13DiodesMOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO Транзистори
на замовлення 60 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
12+28.33 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.03 грн
10+31.11 грн
100+20.04 грн
500+14.32 грн
1000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSD-13DIODES/ZETEXTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3025LSD DMC3025LSD TDMC3025LSD
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
60+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.63 грн
500+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.5/-8.5A
On-state resistance: 0.02/0.045Ω
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.53 грн
14+31.41 грн
100+18.61 грн
500+13.30 грн
1000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 6732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.10 грн
10+45.89 грн
100+26.09 грн
500+20.16 грн
1000+18.29 грн
2500+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.15 грн
16+51.38 грн
100+33.67 грн
500+24.16 грн
1000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 5.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V, 45mOhm @ 5.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501pF @ 15V, 590pF @ 25V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 480161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+44.95 грн
100+29.42 грн
500+21.34 грн
1000+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.67 грн
500+24.16 грн
1000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 5.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V, 45mOhm @ 5.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501pF @ 15V, 590pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 477500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.96 грн
5000+16.82 грн
7500+16.09 грн
12500+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.36 грн
5000+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3026LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3026LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.13 грн
18+45.50 грн
100+29.64 грн
500+21.16 грн
1000+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3026LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V, 1241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V, 10.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
10+46.74 грн
100+30.61 грн
500+22.22 грн
1000+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3026LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N & P Comp FET Enh 20Vgss Low Rdson
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.80 грн
10+40.33 грн
100+22.85 грн
500+17.60 грн
1000+15.88 грн
2500+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3026LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3026LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.64 грн
500+21.16 грн
1000+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3026LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/6.2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3026LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V, 1241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V, 10.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3028LSDDIODES/ZETEXN/P-MOSFET 30V 6.6A/6.8A 28mΩ 1.8W DMC3028LSD Diodes TDMC3028LSD
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 35  [ Наступна Сторінка >> ]